Базовый ток с использованием тока насыщения в постоянном токе Калькулятор

✖Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.ⓘ Ток насыщения [I_sat]			+10% -10%
✖Коэффициент усиления по току с общим эмиттером зависит от двух факторов: ширины базовой области W и относительного легирования базовой и эмиттерной областей. Его диапазон варьируется от 50 до 200.ⓘ Коэффициент усиления по току с общим эмиттером [β]			+10% -10%
✖Напряжение база-коллектор — это электрический потенциал между базой и коллектором транзистора.ⓘ Напряжение база-коллектор [V_BC]			+10% -10%
✖Тепловое напряжение — это напряжение, возникающее внутри p-n-перехода.ⓘ Тепловое напряжение [V_t]			+10% -10%
✖Давление насыщенного пара у поверхности воды (мм ртутного столба) определяется как давление, оказываемое паром, находящимся в термодинамическом равновесии с его конденсированными фазами при данной температуре.ⓘ Давление пара насыщения [e_s]			+10% -10%

✖Базовый ток - это критический ток биполярного переходного транзистора. Без тока базы транзистор не может открыться.ⓘ Базовый ток с использованием тока насыщения в постоянном токе [I_B]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Базовый ток с использованием тока насыщения в постоянном токе

Формула

`"I"_{"B"} = ("I"_{"sat"}/"β")*e^("V"_{"BC"}/"V"_{"t"})+"e"_{"s"}*e^("V"_{"BC"}/"V"_{"t"})`

Пример

`"3.6E^6mA"=("1.675mA"/"65")*e^("2V"/"4.7V")+"17.54mmHg"*e^("2V"/"4.7V")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать БЮТ формула PDF

Базовый ток с использованием тока насыщения в постоянном токе Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*e^(Напряжение база-коллектор/Тепловое напряжение)+Давление пара насыщения*e^(Напряжение база-коллектор/Тепловое напряжение)
I_B = (I_sat/β)*e^(V_BC/V_t)+e_s*e^(V_BC/V_t)
В этой формуле используются 1 Константы, 6 Переменные

Используемые константы

e - постоянная Нейпира Значение, принятое как 2.71828182845904523536028747135266249

Используемые переменные

Базовый ток - (Измеряется в Ампер) - Базовый ток - это критический ток биполярного переходного транзистора. Без тока базы транзистор не может открыться.
Ток насыщения - (Измеряется в Ампер) - Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.
Коэффициент усиления по току с общим эмиттером - Коэффициент усиления по току с общим эмиттером зависит от двух факторов: ширины базовой области W и относительного легирования базовой и эмиттерной областей. Его диапазон варьируется от 50 до 200.
Напряжение база-коллектор - (Измеряется в вольт) - Напряжение база-коллектор — это электрический потенциал между базой и коллектором транзистора.
Тепловое напряжение - (Измеряется в вольт) - Тепловое напряжение — это напряжение, возникающее внутри p-n-перехода.
Давление пара насыщения - (Измеряется в паскаль) - Давление насыщенного пара у поверхности воды (мм ртутного столба) определяется как давление, оказываемое паром, находящимся в термодинамическом равновесии с его конденсированными фазами при данной температуре.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Ток насыщения: 1.675 Миллиампер --> 0.001675 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
Коэффициент усиления по току с общим эмиттером: 65 --> Конверсия не требуется
Напряжение база-коллектор: 2 вольт --> 2 вольт Конверсия не требуется
Тепловое напряжение: 4.7 вольт --> 4.7 вольт Конверсия не требуется
Давление пара насыщения: 17.54 Миллиметр ртутного столба (0 °C) --> 2338.46788 паскаль (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

I_B = (I_sat/β)*e^(V_BC/V_t)+e_s*e^(V_BC/V_t) --> (0.001675/65)*e^(2/4.7)+2338.46788*e^(2/4.7)

Оценка ... ...

I_B = 3578.80121683189

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

3578.80121683189 Ампер -->3578801.21683189 Миллиампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

3578801.21683189 ≈ 3.6E+6 Миллиампер <-- Базовый ток

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » БЮТ » Аналоговая электроника » Текущий » Базовый ток » Базовый ток с использованием тока насыщения в постоянном токе

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 14 Базовый ток Калькуляторы

Базовый ток с использованием тока насыщения в постоянном токе

Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*e^(Напряжение база-коллектор/Тепловое напряжение)+Давление пара насыщения*e^(Напряжение база-коллектор/Тепловое напряжение)

Ток насыщения с использованием концентрации легирующей примеси

Идти Ток насыщения = (Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер*[Charge-e]*Электронная диффузия*(Концентрация внутреннего носителя)^2)/(Ширина базового соединения*Легирующая концентрация основания)

Коэффициент усиления по току короткого замыкания BJT

Идти Коэффициент усиления по току короткого замыкания = (Коэффициент усиления по току с общим эмиттером на низкой частоте)/(1+Комплексная частотная переменная*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база)*Входное сопротивление)

Ток стока с заданным параметром устройства

Идти Ток стока = 1/2*крутизна*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение-Пороговое напряжение)^2*(1+Параметр устройства*Напряжение между стоком и истоком)

Базовый ток 2 BJT

Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*(e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение))

Базовый ток транзистора PNP с использованием тока насыщения

Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Справочный ток зеркала BJT

Идти Опорный ток = Коллекторный ток+(2*Коллекторный ток)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером

Опорный ток BJT Current Mirror

Идти Опорный ток = (Напряжение питания-Напряжение база-эмиттер)/Сопротивление

Опорный ток зеркала BJT при заданном токе коллектора

Идти Опорный ток = Коллекторный ток*(1+2/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)

Базовый ток транзистора PNP с использованием тока коллектора

Идти Базовый ток = Коллекторный ток/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером

Базовый ток транзистора PNP при заданном токе эмиттера

Идти Базовый ток = Ток эмиттера/(Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)

Базовый ток 1 BJT

Идти Базовый ток = Коллекторный ток/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером

Базовый ток PNP-транзистора с использованием коэффициента усиления по току с общей базой

Идти Базовый ток = (1-Коэффициент усиления по току с общей базой)*Ток эмиттера

Общий базовый ток

Идти Базовый ток = Базовый ток 1+Базовый ток 2

Базовый ток с использованием тока насыщения в постоянном токе формула

Почему ток базы транзистора очень мал?

База собранный переход транзистора имеет обратное смещение. Следовательно, более 98% тока эмиттера достигает коллектора. Очень небольшое количество носителей заряда не достигает коллектора и перетекает в цепь базы, составляя ток базы (менее 2%).

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!