Напряжение смещения MOSFET Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Общее мгновенное напряжение смещения = Напряжение смещения постоянного тока+Постоянное напряжение
Vbe = Vbias+Vde
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Общее мгновенное напряжение смещения - (Измеряется в вольт) - Общее мгновенное напряжение смещения часто используется для установления стабильной рабочей точки для активных компонентов, таких как транзисторы, усилители и диоды.
Напряжение смещения постоянного тока - (Измеряется в вольт) - Напряжение смещения постоянного тока часто используется для установления стабильной рабочей точки для активных компонентов, таких как транзисторы, усилители и диоды.
Постоянное напряжение - (Измеряется в вольт) - Напряжение постоянного тока, также известное как напряжение постоянного тока, относится к разности электрических потенциалов между двумя точками цепи, которая остается постоянной во времени.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Напряжение смещения постоянного тока: 5.3 вольт --> 5.3 вольт Конверсия не требуется
Постоянное напряжение: 3 вольт --> 3 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Vbe = Vbias+Vde --> 5.3+3
Оценка ... ...
Vbe = 8.3
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
8.3 вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
8.3 вольт <-- Общее мгновенное напряжение смещения
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Прахалад Сингх
Джайпурский инженерный колледж и исследовательский центр (JECRC), Джайпур
Прахалад Сингх проверил этот калькулятор и еще 10+!

18 Предвзятость Калькуляторы

Ток коллектора с учетом коэффициента усиления по току МОП-транзистора
​ Идти Коллекторный ток = (Текущее усиление*(Отрицательное напряжение питания-Базовое напряжение эмиттера))/(Базовое сопротивление+(Текущее усиление+1)*Сопротивление эмиттера)
Входной ток смещения МОП-транзистора
​ Идти Входной ток смещения = (Отрицательное напряжение питания-Базовое напряжение эмиттера)/(Базовое сопротивление+(Текущее усиление+1)*Сопротивление эмиттера)
Напряжение коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении коллектора
​ Идти Напряжение коллектор-эмиттер = Напряжение питания коллектора-(Коллекторный ток+Входной ток смещения)*Коллекторный нагрузочный резистор
Ток коллектора с учетом усиления тока
​ Идти Коллекторный ток = Текущее усиление*(Напряжение питания коллектора-Базовое напряжение эмиттера)/Базовое сопротивление
Напряжение коллектор-эмиттер
​ Идти Напряжение коллектор-эмиттер = Напряжение питания коллектора-Коллекторный нагрузочный резистор*Коллекторный ток
Напряжение коллектора относительно земли
​ Идти Коллекторное напряжение = Напряжение питания коллектора-Коллекторный ток*Коллекторный нагрузочный резистор
Постоянный ток смещения MOSFET
​ Идти Ток смещения постоянного тока = 1/2*Параметр крутизны*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)^2
Базовый ток MOSFET
​ Идти Входной ток смещения = (Напряжение смещения-Базовое напряжение эмиттера)/Базовое сопротивление
Выходное напряжение смещения постоянного тока на стоке
​ Идти Выходное напряжение = Напряжение питания-Сопротивление нагрузки*Ток смещения постоянного тока
Напряжение эмиттера относительно земли
​ Идти Напряжение эмиттера = -Отрицательное напряжение питания+(Ток эмиттера*Сопротивление эмиттера)
Напряжение смещения MOSFET
​ Идти Общее мгновенное напряжение смещения = Напряжение смещения постоянного тока+Постоянное напряжение
Ток коллектора при насыщении
​ Идти Насыщение коллекторного тока = Напряжение питания коллектора/Коллекторный нагрузочный резистор
Входной ток смещения
​ Идти Ток смещения постоянного тока = (Входной ток смещения 1+Входной ток смещения 2)/2
Постоянный ток смещения полевого МОП-транзистора с использованием перегрузки по напряжению
​ Идти Ток смещения постоянного тока = 1/2*Параметр крутизны*Эффективное напряжение^2
Базовое напряжение относительно земли
​ Идти Базовое напряжение = Напряжение эмиттера+Базовое напряжение эмиттера
Коллекторный ток Мосфета
​ Идти Коллекторный ток = Текущее усиление*Входной ток смещения
Ток смещения в дифференциальной паре
​ Идти Ток смещения постоянного тока = Ток стока 1+Ток стока 2
Эмиттерный ток МОП-транзистора
​ Идти Ток эмиттера = Коллекторный ток+Входной ток смещения

15 Характеристики МОП-транзистора Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник»
​ Идти Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*ширина канала/Длина канала*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)
Коэффициент усиления по напряжению при заданном сопротивлении нагрузки MOSFET
​ Идти Усиление напряжения = крутизна*(1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Выходное сопротивление))/(1+крутизна*Сопротивление источника)
Частота перехода MOSFET
​ Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))
Максимальное усиление напряжения в точке смещения
​ Идти Максимальное усиление напряжения = 2*(Напряжение питания-Эффективное напряжение)/(Эффективное напряжение)
Усиление напряжения с использованием слабого сигнала
​ Идти Усиление напряжения = крутизна*1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Конечное сопротивление)
Усиление напряжения при заданном напряжении стока
​ Идти Усиление напряжения = (Ток стока*Сопротивление нагрузки*2)/Эффективное напряжение
Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET
​ Идти ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)
Напряжение смещения MOSFET
​ Идти Общее мгновенное напряжение смещения = Напряжение смещения постоянного тока+Постоянное напряжение
Влияние тела на транспроводимость
​ Идти Транспроводимость тела = Изменение порогового значения базового напряжения*крутизна
Напряжение насыщения MOSFET
​ Идти Напряжение насыщения стока и истока = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение
Максимальное усиление напряжения при всех напряжениях
​ Идти Максимальное усиление напряжения = (Напряжение питания-0.3)/Тепловое напряжение
Пороговое напряжение MOSFET
​ Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение
Коэффициент усиления в модели MOSFET с малым сигналом
​ Идти Коэффициент усиления = крутизна*Выходное сопротивление
Крутизна МОП-транзистора
​ Идти крутизна = (2*Ток стока)/Повышенное напряжение
Проводимость в линейном сопротивлении MOSFET
​ Идти Проводимость канала = 1/Линейное сопротивление

Напряжение смещения MOSFET формула

Общее мгновенное напряжение смещения = Напряжение смещения постоянного тока+Постоянное напряжение
Vbe = Vbias+Vde

В чем основная функция предвзятости?

Смещение - это постоянный ток (DC), который преднамеренно протекает, или преднамеренно приложенное постоянное напряжение между двумя точками с целью управления цепью. В биполярном транзисторе смещение обычно определяется как направление, в котором постоянный ток от батареи или источника питания протекает между эмиттером и базой.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!