✖Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, необходимое для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.ⓘ Пороговое напряжение [Vt] | | | +10% -10% |
✖Пороговое напряжение dibl определяется как минимальное напряжение, необходимое для соединения источника потенциала тела, когда источник находится под потенциалом тела.ⓘ Пороговое напряжение DIBL [Vt0] | | | +10% -10% |
✖Поверхностный потенциал является ключевым параметром при оценке свойств тонкопленочных транзисторов по постоянному току.ⓘ Поверхностный потенциал [Φs] | | | +10% -10% |
✖Разность потенциалов тела источника рассчитывается, когда внешний приложенный потенциал равен сумме падения напряжения на оксидном слое и падения напряжения на полупроводнике.ⓘ Разница в потенциале исходного тела [Vsb] | | | +10% -10% |