DIBL Коэффициент Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Коэффициент DIBL = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Сток в источник потенциала
η = (Vt0-Vt)/Vds
В этой формуле используются 4 Переменные
Используемые переменные
Коэффициент DIBL - Коэффициент DIBL в устройстве cmos обычно отображается порядка 0,1.
Пороговое напряжение DIBL - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение dibl определяется как минимальное напряжение, необходимое для соединения источника потенциала тела, когда источник находится под потенциалом тела.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, необходимое для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.
Сток в источник потенциала - (Измеряется в вольт) - Сток к истоку. Потенциал – это потенциал между стоком и истоком.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Пороговое напряжение DIBL: 0.59 вольт --> 0.59 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 0.3 вольт --> 0.3 вольт Конверсия не требуется
Сток в источник потенциала: 1.45 вольт --> 1.45 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
η = (Vt0-Vt)/Vds --> (0.59-0.3)/1.45
Оценка ... ...
η = 0.2
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.2 --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.2 <-- Коэффициент DIBL
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

25 Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы

Плотность заряда области массового истощения СБИС
Идти Плотность заряда области массового истощения = -(1-((Боковая протяженность области истощения с источником+Боковая протяженность области истощения с дренажом)/(2*Длина канала)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Концентрация акцептора*abs(2*Поверхностный потенциал))
Коэффициент эффекта тела
Идти Коэффициент эффекта тела = modulus((Пороговое напряжение-Пороговое напряжение DIBL)/(sqrt(Поверхностный потенциал+(Разница в потенциале исходного тела))-sqrt(Поверхностный потенциал)))
Соединение Встроенное напряжение СБИС
Идти Встроенное напряжение соединения = ([BoltZ]*Температура/[Charge-e])*ln(Концентрация акцептора*Концентрация доноров/(Внутренняя концентрация)^2)
Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС
Идти Глубина истощения Pn-перехода с источником = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Встроенное напряжение соединения)/([Charge-e]*Концентрация акцептора))
Общая паразитная емкость источника
Идти Паразитная емкость источника = (Емкость между соединением тела и источника*Область диффузии источника)+(Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой*Периметр боковой стенки диффузии источника)
Ток насыщения короткого канала СБИС
Идти Ток насыщения короткого канала = ширина канала*Скорость дрейфа электронов насыщения*Оксидная емкость на единицу площади*Напряжение источника насыщения, стока
Переходный ток
Идти Ток перехода = (Статическая мощность/Базовое напряжение коллектора)-(Подпороговый ток+Текущий конфликт+Ток затвора)
Поверхностный потенциал
Идти Поверхностный потенциал = 2*Разница в потенциале исходного тела*ln(Концентрация акцептора/Внутренняя концентрация)
Пороговое напряжение, когда источник соответствует потенциалу тела
Идти Пороговое напряжение DIBL = Коэффициент DIBL*Сток в источник потенциала+Пороговое напряжение
DIBL Коэффициент
Идти Коэффициент DIBL = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Сток в источник потенциала
Пороговое напряжение
Идти Пороговое напряжение = Ворота к напряжению канала-(Плата за канал/Емкость затвора)
Емкость затвора
Идти Емкость затвора = Плата за канал/(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)
Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС
Идти Оксидная емкость после полного масштабирования = Оксидная емкость на единицу площади*Коэффициент масштабирования
Плата за канал
Идти Плата за канал = Емкость затвора*(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)
Подпороговый наклон
Идти Подпороговый наклон = Разница в потенциале исходного тела*Коэффициент DIBL*ln(10)
Длина затвора с использованием оксидной емкости затвора
Идти Длина ворот = Емкость затвора/(Емкость оксидного слоя затвора*Ширина ворот)
Оксидная емкость затвора
Идти Емкость оксидного слоя затвора = Емкость затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)
Толщина оксида затвора после полного масштабирования СБИС
Идти Толщина оксида затвора после полного масштабирования = Толщина оксида ворот/Коэффициент масштабирования
Глубина соединения после полного масштабирования СБИС
Идти Глубина соединения после полного масштабирования = Глубина соединения/Коэффициент масштабирования
Критическое напряжение
Идти Критическое напряжение = Критическое электрическое поле*Электрическое поле по длине канала
Ширина канала после полного масштабирования СБИС
Идти Ширина канала после полного масштабирования = ширина канала/Коэффициент масштабирования
Длина канала после полного масштабирования СБИС
Идти Длина канала после полного масштабирования = Длина канала/Коэффициент масштабирования
Внутренняя емкость затвора
Идти Емкость перекрытия МОП-затвора = Емкость МОП-ворота*Ширина перехода
Мобильность в Mosfet
Идти Мобильность в MOSFET = К Прайм/Емкость оксидного слоя затвора
K-Prime
Идти К Прайм = Мобильность в MOSFET*Емкость оксидного слоя затвора

DIBL Коэффициент формула

Коэффициент DIBL = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Сток в источник потенциала
η = (Vt0-Vt)/Vds

Каково значение снижения барьера, вызванного дренажем (DIBL)?

Напряжение стока Vds создает электрическое поле, влияющее на пороговое напряжение. Этот эффект снижения барьера, вызванного стоком (DIBL), особенно заметен в транзисторах с коротким каналом. Снижение барьера, вызванное стоком, приводит к увеличению Ids при насыщении Vds, почти так же, как это происходит при модуляции длины канала. Этот эффект можно свести к меньшему ВА раннего напряжения. Опять же, это проклятие для аналоговых схем, но несущественно для большинства цифровых схем. Что еще более важно, DIBL увеличивает подпороговую утечку при высоких значениях Vds.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!