Транскондуктивность МОП-транзистора с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Параметр крутизны процесса = крутизна/(Соотношение сторон*Повышенное напряжение)
k'n = gm/(WL*Vov)
В этой формуле используются 4 Переменные
Используемые переменные
Параметр крутизны процесса - (Измеряется в Ампер на квадратный вольт) - Параметр технологической крутизны (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.
крутизна - (Измеряется в Сименс) - Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток.
Соотношение сторон - Соотношение сторон определяется как отношение ширины канала транзистора к его длине. Это отношение ширины ворот к расстоянию между источником
Повышенное напряжение - (Измеряется в вольт) - Напряжение перегрузки — это термин, используемый в электронике и относящийся к уровню напряжения, приложенному к устройству или компоненту, который превышает его нормальное рабочее напряжение.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
крутизна: 0.5 Миллисименс --> 0.0005 Сименс (Проверьте преобразование ​здесь)
Соотношение сторон: 0.1 --> Конверсия не требуется
Повышенное напряжение: 0.32 вольт --> 0.32 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
k'n = gm/(WL*Vov) --> 0.0005/(0.1*0.32)
Оценка ... ...
k'n = 0.015625
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.015625 Ампер на квадратный вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.015625 Ампер на квадратный вольт <-- Параметр крутизны процесса
(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Аншика Арья
Национальный Технологический Институт (NIT), Хамирпур
Аншика Арья проверил этот калькулятор и еще 2500+!

16 крутизна Калькуляторы

MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны
​ Идти Параметр крутизны процесса = крутизна/(Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение))
Крутизна заданного параметра крутизны процесса
​ Идти крутизна = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)
Крутизна тока стока
​ Идти крутизна = sqrt(2*Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*Ток стока)
Транскондуктивность МОП-транзистора с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки
​ Идти Параметр крутизны процесса = крутизна/(Соотношение сторон*Повышенное напряжение)
Транскондуктивность с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки
​ Идти крутизна = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*Повышенное напряжение
MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны
​ Идти крутизна = Параметр крутизны*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)
Технологическая крутизна с учетом крутизны и тока стока
​ Идти Параметр крутизны процесса = крутизна^2/(2*Соотношение сторон*Ток стока)
Ток стока с учетом крутизны процесса и крутизны
​ Идти Ток стока = крутизна^2/(2*Соотношение сторон*Параметр крутизны процесса)
Влияние тела на транспроводимость
​ Идти Транспроводимость тела = Изменение порогового значения базового напряжения*крутизна
Транспроводимость задних ворот
​ Идти Транспроводимость задних ворот = крутизна*Эффективность напряжения
Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны
​ Идти Параметр крутизны = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон
МОП-транзистор
​ Идти крутизна = Изменение тока стока/Напряжение затвор-исток
Транскондуктивность МОП-транзистора при заданном напряжении перегрузки
​ Идти крутизна = Параметр крутизны*Повышенное напряжение
Параметр крутизны процесса MOSFET
​ Идти Параметр крутизны = крутизна/Повышенное напряжение
Ток стока с использованием крутизны
​ Идти Ток стока = (Повышенное напряжение)*крутизна/2
Крутизна МОП-транзистора
​ Идти крутизна = (2*Ток стока)/Повышенное напряжение

Транскондуктивность МОП-транзистора с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки формула

Параметр крутизны процесса = крутизна/(Соотношение сторон*Повышенное напряжение)
k'n = gm/(WL*Vov)

Какая польза от крутизны в MOSFET?

Крутизна - это выражение характеристик биполярного транзистора или полевого транзистора (FET). В общем, чем больше коэффициент крутизны для устройства, тем большее усиление (усиление) оно способно обеспечить, когда все другие факторы остаются постоянными.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!