Напряжение перегрузки Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Повышенное напряжение = (2*Ток стока)/крутизна
Vov = (2*id)/gm
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Повышенное напряжение - (Измеряется в вольт) - Напряжение перегрузки — это термин, используемый в электронике и относящийся к уровню напряжения, приложенному к устройству или компоненту, который превышает его нормальное рабочее напряжение.
Ток стока - (Измеряется в Ампер) - Ток стока — это ток, который течет между клеммами стока и истока полевого транзистора (FET), который представляет собой тип транзистора, обычно используемый в электронных схемах.
крутизна - (Измеряется в Сименс) - Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Ток стока: 0.08 Миллиампер --> 8E-05 Ампер (Проверьте преобразование ​здесь)
крутизна: 0.5 Миллисименс --> 0.0005 Сименс (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Vov = (2*id)/gm --> (2*8E-05)/0.0005
Оценка ... ...
Vov = 0.32
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.32 вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.32 вольт <-- Повышенное напряжение
(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

20 Напряжение Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник»
​ Идти Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*ширина канала/Длина канала*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)
Выходное напряжение общего затвора
​ Идти Выходное напряжение = -(крутизна*Критическое напряжение)*((Сопротивление нагрузки*Сопротивление ворот)/(Сопротивление ворот+Сопротивление нагрузки))
Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением
​ Идти Напряжение затвор-исток = Пороговое напряжение+sqrt((2*Ток смещения постоянного тока)/(Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон))
Входное напряжение источника
​ Идти Входное напряжение источника = Входное напряжение*(Сопротивление входного усилителя/(Сопротивление входного усилителя+Эквивалентное сопротивление источника))
Выходное напряжение на стоке Q1 полевого МОП-транзистора при синфазном сигнале
​ Идти Напряжение стока Q1 = -Выходное сопротивление*(крутизна*Синфазный входной сигнал)/(1+(2*крутизна*Выходное сопротивление))
Входное напряжение затвор-исток
​ Идти Критическое напряжение = (Сопротивление входного усилителя/(Сопротивление входного усилителя+Эквивалентное сопротивление источника))*Входное напряжение
Выходное напряжение на стоке Q2 MOSFET при синфазном сигнале
​ Идти Напряжение стока Q2 = -(Выходное сопротивление/((1/крутизна)+2*Выходное сопротивление))*Синфазный входной сигнал
Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET
​ Идти Входной ток = Напряжение затвор-исток*(Угловая частота*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))
Напряжение на затворе и истоке MOSFET при заданном входном токе
​ Идти Напряжение затвор-исток = Входной ток/(Угловая частота*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))
Повышенное напряжение, когда полевой МОП-транзистор действует как усилитель с сопротивлением нагрузки
​ Идти крутизна = Общий ток/(Синфазный входной сигнал-(2*Общий ток*Выходное сопротивление))
Инкрементальный сигнал напряжения дифференциального усилителя
​ Идти Синфазный входной сигнал = (Общий ток/крутизна)+(2*Общий ток*Выходное сопротивление)
Напряжение на стоке Q2 в MOSFET
​ Идти Выходное напряжение = -(Общее сопротивление нагрузки MOSFET/(2*Выходное сопротивление))*Синфазный входной сигнал
Напряжение на стоке Q1 MOSFET
​ Идти Выходное напряжение = -(Общее сопротивление нагрузки MOSFET/(2*Выходное сопротивление))*Синфазный входной сигнал
Напряжение насыщения MOSFET
​ Идти Напряжение насыщения стока и истока = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение
Напряжение между затвором и истоком полевого МОП-транзистора при дифференциальном входном напряжении при заданном напряжении перегрузки
​ Идти Напряжение затвор-исток = Пороговое напряжение+1.4*Эффективное напряжение
Пороговое напряжение, когда полевой МОП-транзистор действует как усилитель
​ Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение
Пороговое напряжение MOSFET
​ Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение
Выходное напряжение на стоке Q1 MOSFET
​ Идти Напряжение стока Q1 = -(Выходное сопротивление*Общий ток)
Выходное напряжение на стоке Q2 MOSFET
​ Идти Напряжение стока Q2 = -(Выходное сопротивление*Общий ток)
Напряжение перегрузки
​ Идти Повышенное напряжение = (2*Ток стока)/крутизна

Напряжение перегрузки формула

Повышенное напряжение = (2*Ток стока)/крутизна
Vov = (2*id)/gm

Какая польза от крутизны в MOSFET?

Крутизна - это выражение характеристик биполярного транзистора или полевого транзистора (FET). В общем, чем больше коэффициент крутизны для устройства, тем большее усиление (усиление) оно способно обеспечить, когда все другие факторы остаются постоянными.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!