Потенциал между источником и телом Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Изготовление СБИС EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Аналоговая СБИС Оптимизация материалов СБИС

✖Поверхностный потенциал является ключевым параметром при оценке свойств тонкопленочных транзисторов по постоянному току.ⓘ Поверхностный потенциал [Φ_s]			+10% -10%
✖Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.ⓘ Концентрация акцептора [N_A]			+10% -10%
✖Собственная концентрация относится к концентрации носителей заряда (электронов и дырок) в собственном полупроводнике при тепловом равновесии.ⓘ Внутренняя концентрация [N_i]			+10% -10%

✖Разность потенциалов тела источника рассчитывается, когда внешний приложенный потенциал равен сумме падения напряжения на оксидном слое и падения напряжения на полупроводнике.ⓘ Потенциал между источником и телом [V_sb]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Потенциал между источником и телом Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Разница в потенциале исходного тела = Поверхностный потенциал/(2*ln(Концентрация акцептора/Внутренняя концентрация))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))
В этой формуле используются 1 Функции, 4 Переменные

Используемые функции

ln - Натуральный логарифм, также известный как логарифм по основанию е, является обратной функцией натуральной показательной функции., ln(Number)

Используемые переменные

Разница в потенциале исходного тела - (Измеряется в вольт) - Разность потенциалов тела источника рассчитывается, когда внешний приложенный потенциал равен сумме падения напряжения на оксидном слое и падения напряжения на полупроводнике.
Поверхностный потенциал - (Измеряется в вольт) - Поверхностный потенциал является ключевым параметром при оценке свойств тонкопленочных транзисторов по постоянному току.
Концентрация акцептора - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.
Внутренняя концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Собственная концентрация относится к концентрации носителей заряда (электронов и дырок) в собственном полупроводнике при тепловом равновесии.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Поверхностный потенциал: 6.86 вольт --> 6.86 вольт Конверсия не требуется
Концентрация акцептора: 1E+16 1 на кубический сантиметр --> 1E+22 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Внутренняя концентрация: 14500000000 1 на кубический сантиметр --> 1.45E+16 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i)) --> 6.86/(2*ln(1E+22/1.45E+16))

Оценка ... ...

V_sb = 0.255133406849134

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.255133406849134 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.255133406849134 ≈ 0.255133 вольт <-- Разница в потенциале исходного тела

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Изготовление СБИС » Аналоговая СБИС » Потенциал между источником и телом

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< Аналоговая СБИС Калькуляторы

Напряжение слива

LaTeX Идти Базовое напряжение коллектора = sqrt(Динамическая мощность/(Частота*Емкость))

Ворота к базовой емкости

LaTeX Идти Ворота к базовой емкости = Емкость затвора-(Ворота к емкости источника+Ворота для стока емкости)

Напряжение затвора в канал

LaTeX Идти Ворота к напряжению канала = (Плата за канал/Емкость затвора)+Пороговое напряжение

Ворота к коллекторскому потенциалу

LaTeX Идти Ворота к напряжению канала = (Ворота к источнику потенциала+Ворота для истощения потенциала)/2

Узнать больше >>

Потенциал между источником и телом формула

LaTeX Идти

Разница в потенциале исходного тела = Поверхностный потенциал/(2*ln(Концентрация акцептора/Внутренняя концентрация))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))

Как тело влияет на пороговое напряжение?

Транзисторы - это четырехвыводное устройство. Это ворота, исток, сток и тело. Когда напряжение Vsb прикладывается между источником и телом, оно увеличивает количество заряда, необходимого для инвертирования канала, следовательно, увеличивает пороговое напряжение. Эффект тела еще больше ухудшает производительность проходных транзисторов, пытающихся передать слабое значение.

English Spanish French German Italian Portuguese Polish Dutch

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!