Калькулятор от А до Я
🔍
Скачать PDF
Химия
Инженерное дело
финансовый
Здоровье
математика
физика
Пороговое напряжение после полного масштабирования СБИС Калькулятор
Инженерное дело
Детская площадка
Здоровье
математика
физика
финансовый
Химия
↳
Электроника
Гражданская
Материаловедение
Механический
Технология производства
Химическая инженерия
Электрические
Электроника и приборы
⤿
Изготовление СБИС
EDC
Аналоговая связь
Аналоговая электроника
Антенна
Беспроводная связь
Волоконно-оптическая передача
Встроенная система
Интегральные схемы (ИС)
Конструкция оптического волокна
Линия передачи и антенна
Оптоэлектронные устройства
Проектирование и применение КМОП
Радиолокационная система
РФ Микроэлектроника
Сигнал и системы
Силовая электроника
Система контроля
Системы коммутации телекоммуникаций
Спутниковая связь
Твердотельные устройства
Телевизионная инженерия
Теория информации и кодирование
Теория СВЧ
Теория электромагнитного поля
Усилители
Цифровая обработка изображений
Цифровая связь
⤿
Оптимизация материалов СБИС
Аналоговая СБИС
✖
Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, необходимое для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.
ⓘ
Пороговое напряжение [V
t
]
Abvolt
Аттовольт
сантивольт
Децивольт
Декавольт
EMU электрического потенциала
ESU электрического потенциала
Фемтовольт
Гигавольт
Гектовольт
киловольт
Мегавольт
микровольт
милливольт
Нановольт
петавольт
пиковольт
Планка напряжения
Statvolt
Теравольт
вольт
Ватт / Ампер
Йоктовольт
Цептовольт
+10%
-10%
✖
Масштабный коэффициент определяется как соотношение, на которое размеры транзистора изменяются в процессе проектирования.
ⓘ
Коэффициент масштабирования [Sf]
+10%
-10%
✖
Пороговое напряжение после полного масштабирования определяется как значение минимально необходимого значения затвора для включения МОП-транзистора после процесса полного масштабирования.
ⓘ
Пороговое напряжение после полного масштабирования СБИС [V
t
']
Abvolt
Аттовольт
сантивольт
Децивольт
Декавольт
EMU электрического потенциала
ESU электрического потенциала
Фемтовольт
Гигавольт
Гектовольт
киловольт
Мегавольт
микровольт
милливольт
Нановольт
петавольт
пиковольт
Планка напряжения
Statvolt
Теравольт
вольт
Ватт / Ампер
Йоктовольт
Цептовольт
⎘ копия
Шаги
👎
Формула
✖
Пороговое напряжение после полного масштабирования СБИС
Формула
`("V"_{"t"}"'") = "V"_{"t"}/"Sf"`
Пример
`"0.2V"="0.3V"/"1.5"`
Калькулятор
LaTeX
сбросить
👍
Скачать Электроника формула PDF
Пороговое напряжение после полного масштабирования СБИС Решение
ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Пороговое напряжение после полного масштабирования
=
Пороговое напряжение
/
Коэффициент масштабирования
V
t
'
=
V
t
/
Sf
В этой формуле используются
3
Переменные
Используемые переменные
Пороговое напряжение после полного масштабирования
-
(Измеряется в вольт)
- Пороговое напряжение после полного масштабирования определяется как значение минимально необходимого значения затвора для включения МОП-транзистора после процесса полного масштабирования.
Пороговое напряжение
-
(Измеряется в вольт)
- Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, необходимое для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.
Коэффициент масштабирования
- Масштабный коэффициент определяется как соотношение, на которое размеры транзистора изменяются в процессе проектирования.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Пороговое напряжение:
0.3 вольт --> 0.3 вольт Конверсия не требуется
Коэффициент масштабирования:
1.5 --> Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
V
t
' = V
t
/Sf -->
0.3/1.5
Оценка ... ...
V
t
'
= 0.2
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.2 вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.2 вольт
<--
Пороговое напряжение после полного масштабирования
(Расчет завершен через 00.004 секунд)
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
Изготовление СБИС
»
Оптимизация материалов СБИС
»
Пороговое напряжение после полного масштабирования СБИС
Кредиты
Сделано
Приянка Патель
Инженерный колледж Лалбхай Далпатбхай
(ЛДЦЭ)
,
Ахмедабад
Приянка Патель создал этот калькулятор и еще 25+!
Проверено
Сантош Ядав
Инженерный колледж Даянанды Сагара
(ДСКЭ)
,
Банглор
Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!
<
25 Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы
Плотность заряда области массового истощения СБИС
Идти
Плотность заряда области массового истощения
= -(1-((
Боковая протяженность области истощения с источником
+
Боковая протяженность области истощения с дренажом
)/(2*
Длина канала
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Концентрация акцептора
*
abs
(2*
Поверхностный потенциал
))
Коэффициент эффекта тела
Идти
Коэффициент эффекта тела
=
modulus
((
Пороговое напряжение
-
Пороговое напряжение DIBL
)/(
sqrt
(
Поверхностный потенциал
+(
Разница в потенциале исходного тела
))-
sqrt
(
Поверхностный потенциал
)))
Соединение Встроенное напряжение СБИС
Идти
Встроенное напряжение соединения
= (
[BoltZ]
*
Температура
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Концентрация акцептора
*
Концентрация доноров
/(
Внутренняя концентрация
)^2)
Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС
Идти
Глубина истощения Pn-перехода с источником
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Встроенное напряжение соединения
)/(
[Charge-e]
*
Концентрация акцептора
))
Общая паразитная емкость источника
Идти
Паразитная емкость источника
= (
Емкость между соединением тела и источника
*
Область диффузии источника
)+(
Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой
*
Периметр боковой стенки диффузии источника
)
Ток насыщения короткого канала СБИС
Идти
Ток насыщения короткого канала
=
ширина канала
*
Скорость дрейфа электронов насыщения
*
Оксидная емкость на единицу площади
*
Напряжение источника насыщения, стока
Переходный ток
Идти
Ток перехода
= (
Статическая мощность
/
Базовое напряжение коллектора
)-(
Подпороговый ток
+
Текущий конфликт
+
Ток затвора
)
Поверхностный потенциал
Идти
Поверхностный потенциал
= 2*
Разница в потенциале исходного тела
*
ln
(
Концентрация акцептора
/
Внутренняя концентрация
)
DIBL Коэффициент
Идти
Коэффициент DIBL
= (
Пороговое напряжение DIBL
-
Пороговое напряжение
)/
Сток в источник потенциала
Пороговое напряжение, когда источник соответствует потенциалу тела
Идти
Пороговое напряжение DIBL
=
Коэффициент DIBL
*
Сток в источник потенциала
+
Пороговое напряжение
Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС
Идти
Оксидная емкость после полного масштабирования
=
Оксидная емкость на единицу площади
*
Коэффициент масштабирования
Пороговое напряжение
Идти
Пороговое напряжение
=
Ворота к напряжению канала
-(
Плата за канал
/
Емкость затвора
)
Емкость затвора
Идти
Емкость затвора
=
Плата за канал
/(
Ворота к напряжению канала
-
Пороговое напряжение
)
Плата за канал
Идти
Плата за канал
=
Емкость затвора
*(
Ворота к напряжению канала
-
Пороговое напряжение
)
Подпороговый наклон
Идти
Подпороговый наклон
=
Разница в потенциале исходного тела
*
Коэффициент DIBL
*
ln
(10)
Длина затвора с использованием оксидной емкости затвора
Идти
Длина ворот
=
Емкость затвора
/(
Емкость оксидного слоя затвора
*
Ширина ворот
)
Оксидная емкость затвора
Идти
Емкость оксидного слоя затвора
=
Емкость затвора
/(
Ширина ворот
*
Длина ворот
)
Толщина оксида затвора после полного масштабирования СБИС
Идти
Толщина оксида затвора после полного масштабирования
=
Толщина оксида ворот
/
Коэффициент масштабирования
Глубина соединения после полного масштабирования СБИС
Идти
Глубина соединения после полного масштабирования
=
Глубина соединения
/
Коэффициент масштабирования
Критическое напряжение
Идти
Критическое напряжение
=
Критическое электрическое поле
*
Электрическое поле по длине канала
Ширина канала после полного масштабирования СБИС
Идти
Ширина канала после полного масштабирования
=
ширина канала
/
Коэффициент масштабирования
Длина канала после полного масштабирования СБИС
Идти
Длина канала после полного масштабирования
=
Длина канала
/
Коэффициент масштабирования
Внутренняя емкость затвора
Идти
Емкость перекрытия МОП-затвора
=
Емкость МОП-ворота
*
Ширина перехода
Мобильность в Mosfet
Идти
Мобильность в MOSFET
=
К Прайм
/
Емкость оксидного слоя затвора
K-Prime
Идти
К Прайм
=
Мобильность в MOSFET
*
Емкость оксидного слоя затвора
Пороговое напряжение после полного масштабирования СБИС формула
Пороговое напряжение после полного масштабирования
=
Пороговое напряжение
/
Коэффициент масштабирования
V
t
'
=
V
t
/
Sf
Дом
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍
Поиск
Категории
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!