Área de memoria que contiene N bits Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Área de la celda de memoria = (Área de la celda de memoria de un bit*Frecuencia absoluta)/Eficiencia de la matriz
A = (Abit*fabs)/E
Esta fórmula usa 4 Variables
Variables utilizadas
Área de la celda de memoria - (Medido en Metro cuadrado) - El área de la celda de memoria se define como el área total ocupada por el número N de bits de memoria.
Área de la celda de memoria de un bit - (Medido en Metro cuadrado) - El área de la celda de memoria de un bit se define como la celda de memoria, que es un circuito electrónico que almacena un bit de información binaria. Debe configurarse para almacenar un 1 lógico y restablecerse para almacenar un 0 lógico.
Frecuencia absoluta - (Medido en hercios) - La frecuencia absoluta es el número de apariciones de un punto de datos particular en un conjunto de datos. Representa el recuento real de cuántas veces aparece un valor específico en los datos.
Eficiencia de la matriz - La eficiencia de la matriz se define como el tamaño de la celda de bits dividido por el ACPB. Para normalizar esta métrica, independientemente del nodo tecnológico.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Área de la celda de memoria de un bit: 47.72 Milímetro cuadrado --> 4.772E-05 Metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)
Frecuencia absoluta: 10 hercios --> 10 hercios No se requiere conversión
Eficiencia de la matriz: 0.88 --> No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
A = (Abit*fabs)/E --> (4.772E-05*10)/0.88
Evaluar ... ...
A = 0.000542272727272727
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.000542272727272727 Metro cuadrado -->542.272727272727 Milímetro cuadrado (Verifique la conversión aquí)
RESPUESTA FINAL
542.272727272727 542.2727 Milímetro cuadrado <-- Área de la celda de memoria
(Cálculo completado en 00.007 segundos)

Créditos

Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

19 Subsistema de ruta de datos de matriz Calculadoras

Retraso del multiplexor
Vamos Retardo del multiplexor = (Retraso del sumador de acarreo y salto-(Retardo de propagación+(2*(N-entrada y puerta-1)*Retardo de puerta Y-O)-Retraso XOR))/(Entrada K y puerta-1)
Retraso del sumador de carry-looker
Vamos Retraso del sumador de carry-looker = Retardo de propagación+Retraso de propagación del grupo+((N-entrada y puerta-1)+(Entrada K y puerta-1))*Retardo de puerta Y-O+Retraso XOR
Retraso de sumador de acarreo y salto
Vamos Retraso del sumador de acarreo y salto = Retardo de propagación+2*(N-entrada y puerta-1)*Retardo de puerta Y-O+(Entrada K y puerta-1)*Retardo del multiplexor+Retraso XOR
Retraso de sumador de incremento de acarreo
Vamos Retraso del sumador incrementador de acarreo = Retardo de propagación+Retraso de propagación del grupo+(Entrada K y puerta-1)*Retardo de puerta Y-O+Retraso XOR
Retraso crítico en las puertas
Vamos Retraso crítico en las puertas = Retardo de propagación+(N-entrada y puerta+(Entrada K y puerta-2))*Retardo de puerta Y-O+Retardo del multiplexor
Retardo de propagación de grupo
Vamos Retardo de propagación = Retraso del sumador de árboles-(log2(Frecuencia absoluta)*Retardo de puerta Y-O+Retraso XOR)
Retraso del sumador de árboles
Vamos Retraso del sumador de árboles = Retardo de propagación+log2(Frecuencia absoluta)*Retardo de puerta Y-O+Retraso XOR
Capacitancia de la celda
Vamos Capacitancia celular = (Capacitancia de bits*2*Oscilación de voltaje en Bitline)/(voltaje positivo-(Oscilación de voltaje en Bitline*2))
Capacitancia de bits
Vamos Capacitancia de bits = ((voltaje positivo*Capacitancia celular)/(2*Oscilación de voltaje en Bitline))-Capacitancia celular
Oscilación de voltaje en la línea de bits
Vamos Oscilación de voltaje en Bitline = (voltaje positivo/2)*Capacitancia celular/(Capacitancia celular+Capacitancia de bits)
Retraso 'XOR'
Vamos Retraso XOR = Tiempo de ondulación-(Retardo de propagación+(Puertas en el camino crítico-1)*Retardo de puerta Y-O)
Retardo de la ruta crítica del sumador de acarreo y ondulación
Vamos Tiempo de ondulación = Retardo de propagación+(Puertas en el camino crítico-1)*Retardo de puerta Y-O+Retraso XOR
Capacitancia de tierra
Vamos Capacitancia de tierra = ((Voltaje agresor*Capacitancia adyacente)/Voltaje de la víctima)-Capacitancia adyacente
Área de memoria que contiene N bits
Vamos Área de la celda de memoria = (Área de la celda de memoria de un bit*Frecuencia absoluta)/Eficiencia de la matriz
Área de celda de memoria
Vamos Área de la celda de memoria de un bit = (Eficiencia de la matriz*Área de la celda de memoria)/Frecuencia absoluta
Eficiencia de matriz
Vamos Eficiencia de la matriz = (Área de la celda de memoria de un bit*Frecuencia absoluta)/Área de la celda de memoria
Puerta 'Y' de entrada N
Vamos N-entrada y puerta = Sumador de salto de acarreo de N bits/Entrada K y puerta
Sumador de acarreo y salto de N bits
Vamos Sumador de salto de acarreo de N bits = N-entrada y puerta*Entrada K y puerta
Puerta 'Y' de entrada K
Vamos Entrada K y puerta = Sumador de salto de acarreo de N bits/N-entrada y puerta

Área de memoria que contiene N bits Fórmula

Área de la celda de memoria = (Área de la celda de memoria de un bit*Frecuencia absoluta)/Eficiencia de la matriz
A = (Abit*fabs)/E

¿Cuál es el significado de ras y cas en SDRAM?

La SDRAM recibe su comando de dirección en dos palabras de dirección y utiliza un esquema multiplex para guardar los pines de entrada. La primera palabra de dirección está enganchada en el chip DRAM con la luz estroboscópica de dirección de fila (RAS). Después del comando RAS está la luz estroboscópica de dirección de columna (CAS) para enganchar la segunda palabra de dirección. Poco después de las luces estroboscópicas RAS y CAS, los datos almacenados son valido para lectura.

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