Retraso 'XOR' Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Retraso XOR = Tiempo de ondulación-(Retardo de propagación+(Puertas en el camino crítico-1)*Retardo de puerta Y-O)
Txor = Tripple-(tpg+(Ngates-1)*Tao)
Esta fórmula usa 5 Variables
Variables utilizadas
Retraso XOR - (Medido en Segundo) - XOR Delay es el retraso de propagación de la puerta XOR.
Tiempo de ondulación - (Medido en Segundo) - El tiempo de ondulación de un circuito sumador de ondulación de acarreo se define como el tiempo calculado del retardo de la ruta crítica.
Retardo de propagación - (Medido en Segundo) - El retardo de propagación generalmente se refiere al tiempo de subida o bajada en las puertas lógicas. Este es el tiempo que tarda una puerta lógica en cambiar su estado de salida en función de un cambio en el estado de entrada.
Puertas en el camino crítico - Las puertas en la ruta crítica se definen como el número total de puertas lógicas requeridas durante un ciclo en CMOS.
Retardo de puerta Y-O - (Medido en Segundo) - El retardo de la puerta Y-O en la celda gris se define como el retraso en el tiempo de cálculo en la puerta Y/O cuando la lógica pasa a través de ella.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Tiempo de ondulación: 30 nanosegundo --> 3E-08 Segundo (Verifique la conversión ​aquí)
Retardo de propagación: 8.01 nanosegundo --> 8.01E-09 Segundo (Verifique la conversión ​aquí)
Puertas en el camino crítico: 11 --> No se requiere conversión
Retardo de puerta Y-O: 2.05 nanosegundo --> 2.05E-09 Segundo (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Txor = Tripple-(tpg+(Ngates-1)*Tao) --> 3E-08-(8.01E-09+(11-1)*2.05E-09)
Evaluar ... ...
Txor = 1.49E-09
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
1.49E-09 Segundo -->1.49 nanosegundo (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
1.49 nanosegundo <-- Retraso XOR
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

19 Subsistema de ruta de datos de matriz Calculadoras

Retraso del sumador de carry-looker
​ Vamos Retraso del sumador de carry-looker = Retardo de propagación+Retraso de propagación del grupo+((N-entrada y puerta-1)+(Entrada K y puerta-1))*Retardo de puerta Y-O+Retraso XOR
Retraso del multiplexor
​ Vamos Retardo del multiplexor = (Retraso del sumador de acarreo y salto-(Retardo de propagación+(2*(N-entrada y puerta-1)*Retardo de puerta Y-O)-Retraso XOR))/(Entrada K y puerta-1)
Retraso de sumador de acarreo y salto
​ Vamos Retraso del sumador de acarreo y salto = Retardo de propagación+2*(N-entrada y puerta-1)*Retardo de puerta Y-O+(Entrada K y puerta-1)*Retardo del multiplexor+Retraso XOR
Retraso de sumador de incremento de acarreo
​ Vamos Retraso del sumador incrementador de acarreo = Retardo de propagación+Retraso de propagación del grupo+(Entrada K y puerta-1)*Retardo de puerta Y-O+Retraso XOR
Retraso crítico en las puertas
​ Vamos Retraso crítico en las puertas = Retardo de propagación+(N-entrada y puerta+(Entrada K y puerta-2))*Retardo de puerta Y-O+Retardo del multiplexor
Retardo de propagación de grupo
​ Vamos Retardo de propagación = Retraso del sumador de árboles-(log2(Frecuencia absoluta)*Retardo de puerta Y-O+Retraso XOR)
Retraso del sumador de árboles
​ Vamos Retraso del sumador de árboles = Retardo de propagación+log2(Frecuencia absoluta)*Retardo de puerta Y-O+Retraso XOR
Capacitancia de la celda
​ Vamos Capacitancia celular = (Capacitancia de bits*2*Oscilación de voltaje en Bitline)/(voltaje positivo-(Oscilación de voltaje en Bitline*2))
Capacitancia de bits
​ Vamos Capacitancia de bits = ((voltaje positivo*Capacitancia celular)/(2*Oscilación de voltaje en Bitline))-Capacitancia celular
Oscilación de voltaje en la línea de bits
​ Vamos Oscilación de voltaje en Bitline = (voltaje positivo/2)*Capacitancia celular/(Capacitancia celular+Capacitancia de bits)
Retraso 'XOR'
​ Vamos Retraso XOR = Tiempo de ondulación-(Retardo de propagación+(Puertas en el camino crítico-1)*Retardo de puerta Y-O)
Retardo de la ruta crítica del sumador de acarreo y ondulación
​ Vamos Tiempo de ondulación = Retardo de propagación+(Puertas en el camino crítico-1)*Retardo de puerta Y-O+Retraso XOR
Capacitancia de tierra
​ Vamos Capacitancia de tierra = ((Voltaje agresor*Capacitancia adyacente)/Voltaje de la víctima)-Capacitancia adyacente
Área de memoria que contiene N bits
​ Vamos Área de la celda de memoria = (Área de la celda de memoria de un bit*Frecuencia absoluta)/Eficiencia de la matriz
Área de celda de memoria
​ Vamos Área de la celda de memoria de un bit = (Eficiencia de la matriz*Área de la celda de memoria)/Frecuencia absoluta
Eficiencia de matriz
​ Vamos Eficiencia de la matriz = (Área de la celda de memoria de un bit*Frecuencia absoluta)/Área de la celda de memoria
Sumador de acarreo y salto de N bits
​ Vamos Sumador de salto de acarreo de N bits = N-entrada y puerta*Entrada K y puerta
Puerta 'Y' de entrada K
​ Vamos Entrada K y puerta = Sumador de salto de acarreo de N bits/N-entrada y puerta
Puerta 'Y' de entrada N
​ Vamos N-entrada y puerta = Sumador de salto de acarreo de N bits/Entrada K y puerta

Retraso 'XOR' Fórmula

Retraso XOR = Tiempo de ondulación-(Retardo de propagación+(Puertas en el camino crítico-1)*Retardo de puerta Y-O)
Txor = Tripple-(tpg+(Ngates-1)*Tao)

¿Qué es el pestillo?

El bloqueo se refiere a un mecanismo de falla en el que un tiristor parásito (como un rectificador controlado por silicio parásito o SCR) se crea inadvertidamente dentro de un circuito, lo que hace que una gran cantidad de corriente fluya continuamente a través de él una vez que se activa o enciende accidentalmente. . Dependiendo de los circuitos involucrados, la cantidad de flujo de corriente producido por este mecanismo puede ser lo suficientemente grande como para provocar la destrucción permanente del dispositivo debido a la sobretensión eléctrica (EOS).

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