Tiempo de tránsito de CC Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Tiempo transitorio de CC = Longitud de la puerta/Velocidad de deriva de saturación
To = Lg/Vds
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Tiempo transitorio de CC - (Medido en Segundo) - El tiempo transitorio de CC se refiere al tiempo que tarda un electrón en viajar desde el cátodo al ánodo de un dispositivo electrónico y luego de regreso al cátodo.
Longitud de la puerta - (Medido en Metro) - La longitud de la puerta se refiere a la longitud física de la región del canal de un transistor, crucial para determinar el rendimiento, la velocidad y el consumo de energía de un dispositivo semiconductor en circuitos integrados.
Velocidad de deriva de saturación - (Medido en Metro por Segundo) - La velocidad de deriva de saturación se refiere a la velocidad máxima que un electrón o un hueco puede alcanzar en un material determinado cuando se somete a un campo eléctrico.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Longitud de la puerta: 0.24 Metro --> 0.24 Metro No se requiere conversión
Velocidad de deriva de saturación: 72 Metro por Segundo --> 72 Metro por Segundo No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
To = Lg/Vds --> 0.24/72
Evaluar ... ...
To = 0.00333333333333333
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.00333333333333333 Segundo --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.00333333333333333 0.003333 Segundo <-- Tiempo transitorio de CC
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

13 Klystron Calculadoras

Ancho de la zona de agotamiento
​ Vamos Ancho de la región de agotamiento = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densidad de dopaje))*(Barrera potencial de Schottky-Voltaje de puerta))
Conductancia mutua del amplificador Klystron
​ Vamos Conductancia mutua del amplificador Klystron = (2*Corriente del acumulador del cátodo*Coeficiente de acoplamiento de vigas*Función de Bessel de primer orden)/Amplitud de la señal de entrada
Eficiencia de Klystron
​ Vamos Eficiencia del klistrón = (Coeficiente complejo del haz*Función de Bessel de primer orden)*(Voltaje de separación del receptor/Voltaje del agrupador catódico)
Parámetro de agrupación de Klystron
​ Vamos Parámetro de agrupamiento = (Coeficiente de acoplamiento de vigas*Amplitud de la señal de entrada*Variación angular)/(2*Voltaje del agrupador catódico)
Conductancia de carga de la viga
​ Vamos Conductancia de carga del haz = Conductancia de la cavidad-(Conductancia cargada+Conductancia de pérdida de cobre)
Pérdida de cobre de la cavidad
​ Vamos Conductancia de pérdida de cobre = Conductancia de la cavidad-(Conductancia de carga del haz+Conductancia cargada)
Conductancia de cavidad
​ Vamos Conductancia de la cavidad = Conductancia cargada+Conductancia de pérdida de cobre+Conductancia de carga del haz
Voltaje del ánodo
​ Vamos Voltaje del ánodo = Energía generada en el circuito anódico/(Corriente del ánodo*Eficiencia Electrónica)
Frecuencia de resonancia de la cavidad
​ Vamos Frecuencia de resonancia = Factor Q del resonador de cavidad*(Frecuencia 2-Frecuencia 1)
Potencia de entrada de Reflex Klystron
​ Vamos Potencia de entrada del klystron reflejo = Voltaje reflejo del klistrón*Corriente de haz reflejo de Klystron
Tiempo de tránsito de CC
​ Vamos Tiempo transitorio de CC = Longitud de la puerta/Velocidad de deriva de saturación
Pérdida de potencia en el circuito del ánodo
​ Vamos Pérdida de potencia = Fuente de alimentación DC*(1-Eficiencia Electrónica)
Fuente de alimentación DC
​ Vamos Fuente de alimentación DC = Pérdida de potencia/(1-Eficiencia Electrónica)

Tiempo de tránsito de CC Fórmula

Tiempo transitorio de CC = Longitud de la puerta/Velocidad de deriva de saturación
To = Lg/Vds

¿Qué es la cavidad de microondas?

Una cavidad de microondas o cavidad de radiofrecuencia es un tipo especial de resonador, que consiste en una estructura metálica cerrada que confina los campos electromagnéticos en la región de microondas del espectro.

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