| ✖Długość bramki odnosi się do fizycznej długości obszaru kanału tranzystora, kluczowej dla określenia wydajności, szybkości i zużycia energii urządzenia półprzewodnikowego w układach scalonych.ⓘ Długość bramy [Lg] |  |  | +10% -10% | 
| ✖Prędkość dryfu nasycenia odnosi się do maksymalnej prędkości, jaką elektron lub dziura może osiągnąć w danym materiale pod wpływem pola elektrycznego.ⓘ Prędkość dryfu nasycenia [Vds] |  |  | +10% -10% |