Calculadora Corriente de drenaje de señal pequeña MOSFET

✖Ruta libre media de electrones, que representa la distancia promedio que un electrón puede viajar sin dispersarse con impurezas, vencerse u otros obstáculos dentro del dispositivo de estado sólido.ⓘ Trayectoria libre media de electrones [λ]			+10% -10%
✖La resistencia de salida se refiere a la resistencia de un circuito electrónico al flujo de corriente cuando se conecta una carga a su salida.ⓘ Resistencia de salida [R_out]			+10% -10%

✖La corriente de drenaje es la corriente que fluye entre los terminales de drenaje y fuente de un transistor de efecto de campo (FET), que es un tipo de transistor comúnmente utilizado en circuitos electrónicos.ⓘ Corriente de drenaje de señal pequeña MOSFET [i_d]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

✖

Corriente de drenaje de señal pequeña MOSFET

Fórmula

`"i"_{"d"} = 1/("λ"*"R"_{"out"})`

Ejemplo

`"0.079936mA"=1/("2.78"*"4.5kΩ")`

Calculadora

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar MOSFET Fórmula PDF PDF Image

Corriente de drenaje de señal pequeña MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de drenaje = 1/(Trayectoria libre media de electrones*Resistencia de salida)
i_d = 1/(λ*R_out)
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje es la corriente que fluye entre los terminales de drenaje y fuente de un transistor de efecto de campo (FET), que es un tipo de transistor comúnmente utilizado en circuitos electrónicos.
Trayectoria libre media de electrones - Ruta libre media de electrones, que representa la distancia promedio que un electrón puede viajar sin dispersarse con impurezas, vencerse u otros obstáculos dentro del dispositivo de estado sólido.
Resistencia de salida - (Medido en Ohm) - La resistencia de salida se refiere a la resistencia de un circuito electrónico al flujo de corriente cuando se conecta una carga a su salida.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Trayectoria libre media de electrones: 2.78 --> No se requiere conversión
Resistencia de salida: 4.5 kilohmios --> 4500 Ohm (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

i_d = 1/(λ*R_out) --> 1/(2.78*4500)

Evaluar ... ...

i_d = 7.99360511590727E-05

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

7.99360511590727E-05 Amperio -->0.0799360511590727 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.0799360511590727 ≈ 0.079936 Miliamperio <-- Corriente de drenaje

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » MOSFET » Electrónica analógica » Análisis de señales pequeñas » Corriente de drenaje de señal pequeña MOSFET

Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 15 Análisis de señales pequeñas Calculadoras

Pequeña ganancia de voltaje de señal con respecto a la resistencia de entrada

Vamos Ganancia de voltaje = (Resistencia del amplificador de entrada/(Resistencia del amplificador de entrada+Resistencia autoinducida))*((Resistencia de la fuente*Resistencia de salida)/(Resistencia de la fuente+Resistencia de salida))/(1/Transconductancia+((Resistencia de la fuente*Resistencia de salida)/(Resistencia de la fuente+Resistencia de salida)))

Voltaje de puerta a fuente con respecto a la resistencia de señal pequeña

Vamos Voltaje crítico = Voltaje de entrada*((1/Transconductancia)/((1/Transconductancia)*((Resistencia de la fuente*Pequeña resistencia de señal)/(Resistencia de la fuente+Pequeña resistencia de señal))))

Voltaje de salida de drenaje común en señal pequeña

Vamos Tensión de salida = Transconductancia*Voltaje crítico*((Resistencia de la fuente*Pequeña resistencia de señal)/(Resistencia de la fuente+Pequeña resistencia de señal))

Voltaje de salida del canal P de señal pequeña

Vamos Tensión de salida = Transconductancia*Voltaje de fuente a puerta*((Resistencia de salida*Resistencia al drenaje)/(Resistencia al drenaje+Resistencia de salida))

Ganancia de voltaje para señal pequeña

Vamos Ganancia de voltaje = (Transconductancia*(1/((1/Resistencia de carga)+(1/Resistencia al drenaje))))/(1+(Transconductancia*Resistencia autoinducida))

Ganancia de voltaje de señal pequeña con respecto a la resistencia de drenaje

Vamos Ganancia de voltaje = (Transconductancia*((Resistencia de salida*Resistencia al drenaje)/(Resistencia de salida+Resistencia al drenaje)))

Corriente de salida de señal pequeña

Vamos Corriente de salida = (Transconductancia*Voltaje crítico)*(Resistencia al drenaje/(Resistencia de carga+Resistencia al drenaje))

Factor de amplificación para el modelo MOSFET de pequeña señal

Vamos Factor de amplificación = 1/Trayectoria libre media de electrones*sqrt((2*Parámetro de transconductancia del proceso)/Corriente de drenaje)

Corriente de entrada de señal pequeña

Vamos Corriente de entrada de señal pequeña = (Voltaje crítico*((1+Transconductancia*Resistencia autoinducida)/Resistencia autoinducida))

Transconductancia dados parámetros de señal pequeños

Vamos Transconductancia = 2*Parámetro de transconductancia*(Componente CC de la puerta a la fuente de voltaje-voltaje total)

Ganancia de voltaje usando señal pequeña

Vamos Ganancia de voltaje = Transconductancia*1/(1/Resistencia de carga+1/Resistencia finita)

Voltaje de salida de señal pequeña

Vamos Tensión de salida = Transconductancia*Voltaje de fuente a puerta*Resistencia de carga

Puerta a fuente de voltaje en señal pequeña

Vamos Voltaje crítico = Voltaje de entrada/(1+Resistencia autoinducida*Transconductancia)

Corriente de drenaje de señal pequeña MOSFET

Vamos Corriente de drenaje = 1/(Trayectoria libre media de electrones*Resistencia de salida)

Factor de amplificación en el modelo MOSFET de pequeña señal

Vamos Factor de amplificación = Transconductancia*Resistencia de salida

Corriente de drenaje de señal pequeña MOSFET Fórmula

Corriente de drenaje = 1/(Trayectoria libre media de electrones*Resistencia de salida)
i_d = 1/(λ*R_out)

¿MOSFET es un dispositivo simétrico?

MOSFET es un dispositivo simétrico, por lo tanto, la respuesta es sí. sin embargo, si en el diseño de su circuito ha atado su cuerpo a una de las terminales, querrá que esa terminal sea la fuente.

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!