Courant de drain du petit signal MOSFET Calculatrice

✖Libre parcours moyen d'électrons qui représente la distance moyenne qu'un électron peut parcourir sans se disperser avec des impuretés, des défaites ou d'autres obstacles à l'intérieur du dispositif à semi-conducteurs.ⓘ Libre parcours moyen des électrons [λ]			+10% -10%
✖La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.ⓘ Résistance de sortie [R_out]			+10% -10%

✖Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.ⓘ Courant de drain du petit signal MOSFET [i_d]

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Courant de drain du petit signal MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de vidange = 1/(Libre parcours moyen des électrons*Résistance de sortie)
i_d = 1/(λ*R_out)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.
Libre parcours moyen des électrons - Libre parcours moyen d'électrons qui représente la distance moyenne qu'un électron peut parcourir sans se disperser avec des impuretés, des défaites ou d'autres obstacles à l'intérieur du dispositif à semi-conducteurs.
Résistance de sortie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Libre parcours moyen des électrons: 2.78 --> Aucune conversion requise
Résistance de sortie: 4.5 Kilohm --> 4500 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

i_d = 1/(λ*R_out) --> 1/(2.78*4500)

Évaluer ... ...

i_d = 7.99360511590727E-05

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

7.99360511590727E-05 Ampère -->0.0799360511590727 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.0799360511590727 ≈ 0.079936 Milliampère <-- Courant de vidange

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Analyse des petits signaux Calculatrices

Tension de sortie du canal P à petit signal

LaTeX Aller Tension de sortie = Transconductance*Tension source-grille*((Résistance de sortie*Résistance aux fuites)/(Résistance aux fuites+Résistance de sortie))

Gain de tension des petits signaux par rapport à la résistance de drain

LaTeX Aller Gain de tension = (Transconductance*((Résistance de sortie*Résistance aux fuites)/(Résistance de sortie+Résistance aux fuites)))

Transconductance étant donné les paramètres de petits signaux

LaTeX Aller Transconductance = 2*Paramètre de transconductance*(Composante CC de la tension grille-source-Tension totale)

Tension de sortie de petit signal

LaTeX Aller Tension de sortie = Transconductance*Tension source-grille*Résistance à la charge

Courant de drain du petit signal MOSFET Formule

LaTeX Aller

Courant de vidange = 1/(Libre parcours moyen des électrons*Résistance de sortie)
i_d = 1/(λ*R_out)

Le MOSFET est-il un appareil symétrique?

Le MOSFET est un appareil symétrique, donc la réponse est oui. cependant, si dans la conception de votre circuit vous avez lié votre corps à l'une des bornes, vous voudriez que cette borne soit la source.

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