Courant de drain du petit signal MOSFET Calculatrice

✖Libre parcours moyen d'électrons qui représente la distance moyenne qu'un électron peut parcourir sans se disperser avec des impuretés, des défaites ou d'autres obstacles à l'intérieur du dispositif à semi-conducteurs.ⓘ Libre parcours moyen des électrons [λ]			+10% -10%
✖La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.ⓘ Résistance de sortie [R_out]			+10% -10%

✖Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.ⓘ Courant de drain du petit signal MOSFET [i_d]

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Formule

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Courant de drain du petit signal MOSFET

Formule

`"i"_{"d"} = 1/("λ"*"R"_{"out"})`

Exemple

`"0.079936mA"=1/("2.78"*"4.5kΩ")`

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Courant de drain du petit signal MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de vidange = 1/(Libre parcours moyen des électrons*Résistance de sortie)
i_d = 1/(λ*R_out)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.
Libre parcours moyen des électrons - Libre parcours moyen d'électrons qui représente la distance moyenne qu'un électron peut parcourir sans se disperser avec des impuretés, des défaites ou d'autres obstacles à l'intérieur du dispositif à semi-conducteurs.
Résistance de sortie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Libre parcours moyen des électrons: 2.78 --> Aucune conversion requise
Résistance de sortie: 4.5 Kilohm --> 4500 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

i_d = 1/(λ*R_out) --> 1/(2.78*4500)

Évaluer ... ...

i_d = 7.99360511590727E-05

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

7.99360511590727E-05 Ampère -->0.0799360511590727 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.0799360511590727 ≈ 0.079936 Milliampère <-- Courant de vidange

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Analyse des petits signaux » Courant de drain du petit signal MOSFET

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 15 Analyse des petits signaux Calculatrices

Gain de tension de petit signal par rapport à la résistance d'entrée

Aller Gain de tension = (Résistance de l'amplificateur d'entrée/(Résistance de l'amplificateur d'entrée+Résistance auto-induite))*((Résistance à la source*Résistance de sortie)/(Résistance à la source+Résistance de sortie))/(1/Transconductance+((Résistance à la source*Résistance de sortie)/(Résistance à la source+Résistance de sortie)))

Tension grille-source par rapport à la résistance des petits signaux

Aller Tension critique = Tension d'entrée*((1/Transconductance)/((1/Transconductance)*((Résistance à la source*Résistance aux petits signaux)/(Résistance à la source+Résistance aux petits signaux))))

Tension de sortie de drain commun en petit signal

Aller Tension de sortie = Transconductance*Tension critique*((Résistance à la source*Résistance aux petits signaux)/(Résistance à la source+Résistance aux petits signaux))

Tension de sortie du canal P à petit signal

Aller Tension de sortie = Transconductance*Tension source-grille*((Résistance de sortie*Résistance aux fuites)/(Résistance aux fuites+Résistance de sortie))

Gain de tension pour petit signal

Aller Gain de tension = (Transconductance*(1/((1/Résistance à la charge)+(1/Résistance aux fuites))))/(1+(Transconductance*Résistance auto-induite))

Gain de tension des petits signaux par rapport à la résistance de drain

Aller Gain de tension = (Transconductance*((Résistance de sortie*Résistance aux fuites)/(Résistance de sortie+Résistance aux fuites)))

Courant de sortie du petit signal

Aller Courant de sortie = (Transconductance*Tension critique)*(Résistance aux fuites/(Résistance à la charge+Résistance aux fuites))

Facteur d'amplification pour le modèle MOSFET à petit signal

Aller Facteur d'amplification = 1/Libre parcours moyen des électrons*sqrt((2*Paramètre de transconductance de processus)/Courant de vidange)

Courant d'entrée du petit signal

Aller Courant d'entrée du petit signal = (Tension critique*((1+Transconductance*Résistance auto-induite)/Résistance auto-induite))

Transconductance étant donné les paramètres de petits signaux

Aller Transconductance = 2*Paramètre de transconductance*(Composante CC de la tension grille-source-Tension totale)

Gain de tension en utilisant un petit signal

Aller Gain de tension = Transconductance*1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance finie)

Tension de sortie de petit signal

Aller Tension de sortie = Transconductance*Tension source-grille*Résistance à la charge

Tension porte à source dans un petit signal

Aller Tension critique = Tension d'entrée/(1+Résistance auto-induite*Transconductance)

Courant de drain du petit signal MOSFET

Aller Courant de vidange = 1/(Libre parcours moyen des électrons*Résistance de sortie)

Facteur d'amplification dans le modèle MOSFET à petit signal

Aller Facteur d'amplification = Transconductance*Résistance de sortie

Courant de drain du petit signal MOSFET Formule

Courant de vidange = 1/(Libre parcours moyen des électrons*Résistance de sortie)
i_d = 1/(λ*R_out)

Le MOSFET est-il un appareil symétrique?

Le MOSFET est un appareil symétrique, donc la réponse est oui. cependant, si dans la conception de votre circuit vous avez lié votre corps à l'une des bornes, vous voudriez que cette borne soit la source.

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