Calculadora A a Z
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La masa efectiva de electrones es un concepto utilizado en física del estado sólido para describir el comportamiento de los electrones en una red cristalina o un material semiconductor.
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Masa efectiva de electrón [m
eff
]
Assarion (Romano bíblico)
Unidad de masa atómica
Attograma
Dram avoirdupois
Bekan (Hebreo Bíblico)
Quilate
Centigramo
Dalton
Decagramo
Decigramo
Denarius (Romano bíblico)
Didrachma (Griego bíblico)
Drachma (Griego bíblico)
Masa de electrones (Resto)
Exagramo
Femtogram
Gama
Gerah (Hebreo Bíblico)
gigagramo
gigatonelada
Grain
Gramo
Hectogramo
Hundredweight (Reino Unido)
Hundredweight (US)
Misa de Júpiter
Kilogramo
Kilogramo-Fuerza Cuadrado Segundo por Metro
kilolibra
Kilotón (métrico)
Lepton (Romano bíblico)
Misa de Deuteron
masa de la tierra
masa de neutrones
Masa de protón
masa de sol
Megagramo
megatonelada
microgramo
Miligramo
Mina (Griego bíblico)
Mina (Hebreo Bíblico)
Misa de los Muones
Nanogramo
Onza
Pennyweight
Petagramo
Pictograma
Masa de planck
Libra
Libra (Troy o Boticario)
libra
Libra-Fuerza Segundo Cuadrado por Pie
Quadrans (Romano bíblico)
Quarter (Reino Unido)
Quarter (US)
Quintal (métrico)
Escrúpulo (Boticario)
Shekel (hebreo bíblico)
Slug
masa solar
Stone (Reino Unido)
Stone (US)
Talent (Griego bíblico)
Talent (Hebreo Bíblico)
Teragramo
Tetradrachma (Griego bíblico)
Tonelada (Ensayo) (Reino Unido)
Tonelada (Ensayo) (US)
Tonelada (Largo)
Tonelada (Métrico)
Tonelada (Corta)
Tonelada
+10%
-10%
✖
La temperatura absoluta representa la temperatura del sistema.
ⓘ
Temperatura absoluta [T]
Celsius
Delisle
Fahrenheit
Kelvin
newton
Ranking
Reaumur
Romero
Triple punto de agua
+10%
-10%
✖
La densidad efectiva de estados se refiere a la densidad de estados de electrones disponibles por unidad de volumen dentro de la estructura de bandas de energía de un material.
ⓘ
Densidad efectiva de estados en banda de conducción [N
eff
]
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Pasos
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Fórmula
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Densidad efectiva de estados en banda de conducción
Fórmula
`"N"_{"eff"} = 2*(2*pi*"m"_{"eff"}*"[BoltZ]"*"T"/"[hP]"^2)^(3/2)`
Ejemplo
`"3.9E^24"=2*(2*pi*"0.2e-30kg"*"[BoltZ]"*"393K"/"[hP]"^2)^(3/2)`
Calculadora
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Descargar Dispositivos con componentes ópticos Fórmulas PDF
Densidad efectiva de estados en banda de conducción Solución
PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Densidad efectiva de estados
= 2*(2*
pi
*
Masa efectiva de electrón
*
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
/[hP]^2)^(3/2)
N
eff
= 2*(2*
pi
*
m
eff
*
[BoltZ]
*
T
/[hP]^2)^(3/2)
Esta fórmula usa
3
Constantes
,
3
Variables
Constantes utilizadas
[BoltZ]
- constante de Boltzmann Valor tomado como 1.38064852E-23
[hP]
- constante de planck Valor tomado como 6.626070040E-34
pi
- La constante de Arquímedes. Valor tomado como 3.14159265358979323846264338327950288
Variables utilizadas
Densidad efectiva de estados
- La densidad efectiva de estados se refiere a la densidad de estados de electrones disponibles por unidad de volumen dentro de la estructura de bandas de energía de un material.
Masa efectiva de electrón
-
(Medido en Kilogramo)
- La masa efectiva de electrones es un concepto utilizado en física del estado sólido para describir el comportamiento de los electrones en una red cristalina o un material semiconductor.
Temperatura absoluta
-
(Medido en Kelvin)
- La temperatura absoluta representa la temperatura del sistema.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Masa efectiva de electrón:
2E-31 Kilogramo --> 2E-31 Kilogramo No se requiere conversión
Temperatura absoluta:
393 Kelvin --> 393 Kelvin No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
N
eff
= 2*(2*pi*m
eff
*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2) -->
2*(2*
pi
*2E-31*
[BoltZ]
*393/[hP]^2)^(3/2)
Evaluar ... ...
N
eff
= 3.87070655661186E+24
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
3.87070655661186E+24 --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
3.87070655661186E+24
≈
3.9E+24
<--
Densidad efectiva de estados
(Cálculo completado en 00.004 segundos)
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Densidad efectiva de estados en banda de conducción
Créditos
Creado por
Priyanka G Chalikar
El Instituto Nacional de Ingeniería
(nie)
,
Mysuru
¡Priyanka G Chalikar ha creado esta calculadora y 10+ más calculadoras!
Verificada por
Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar
(DSCE)
,
banglore
¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
<
14 Dispositivos con componentes ópticos Calculadoras
Capacitancia de unión PN
Vamos
Capacitancia de unión
=
Área de unión PN
/2*
sqrt
((2*
[Charge-e]
*
Permitividad relativa
*
[Permitivity-silicon]
)/(
Voltaje a través de la unión PN
-(
Voltaje de polarización inversa
))*((
Concentración de aceptor
*
Concentración de donantes
)/(
Concentración de aceptor
+
Concentración de donantes
)))
Concentración de electrones en condiciones de desequilibrio
Vamos
Concentración de electrones
=
Concentración intrínseca de electrones
*
exp
((
Nivel cuasi Fermi de electrones
-
Nivel de energía intrínseca del semiconductor
)/(
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
))
Longitud de difusión de la región de transición
Vamos
Difusión Duración de la región de transición
=
Corriente óptica
/(
Cargar
*
Área de unión PN
*
Tasa de generación óptica
)-(
Ancho de transición
+
Longitud de la unión del lado P
)
Corriente debida a portadora generada ópticamente
Vamos
Corriente óptica
=
Cargar
*
Área de unión PN
*
Tasa de generación óptica
*(
Ancho de transición
+
Difusión Duración de la región de transición
+
Longitud de la unión del lado P
)
Retardo máximo
Vamos
Retardo máximo
= (2*
pi
)/
Longitud de onda de la luz
*
Longitud de la fibra
*
Índice de refracción
^3*
Voltaje de modulación
Ángulo máximo de aceptación de la lente compuesta
Vamos
Ángulo de aceptación
=
asin
(
Índice de refracción del medio 1
*
Radio de la lente
*
sqrt
(
Constante positiva
))
Densidad efectiva de estados en banda de conducción
Vamos
Densidad efectiva de estados
= 2*(2*
pi
*
Masa efectiva de electrón
*
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
/[hP]^2)^(3/2)
Coeficiente de difusión del electrón
Vamos
Coeficiente de difusión de electrones
=
Movilidad del electrón
*
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
/
[Charge-e]
Difracción mediante la fórmula de Fresnel-Kirchoff
Vamos
Ángulo de difracción
=
asin
(1.22*
Longitud de onda de la luz visible
/
Diámetro de apertura
)
Espaciado de franjas dado el ángulo del ápice
Vamos
Espacio marginal
=
Longitud de onda de la luz visible
/(2*
tan
(
Ángulo de interferencia
))
Ángulo de Brewster
Vamos
El ángulo de Brewster
=
arctan
(
Índice de refracción del medio 1
/
Índice de refracción
)
Energía de excitación
Vamos
Energía de excitación
= 1.6*10^-19*13.6*(
Masa efectiva de electrón
/
[Mass-e]
)*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Ángulo de rotación del plano de polarización
Vamos
Ángulo de rotación
= 1.8*
Densidad de flujo magnético
*
Longitud del medio
Ángulo de vértice
Vamos
Ángulo del ápice
=
tan
(
Alfa
)
Densidad efectiva de estados en banda de conducción Fórmula
Densidad efectiva de estados
= 2*(2*
pi
*
Masa efectiva de electrón
*
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
/[hP]^2)^(3/2)
N
eff
= 2*(2*
pi
*
m
eff
*
[BoltZ]
*
T
/[hP]^2)^(3/2)
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