Ángulo de vértice Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Ángulo del ápice = tan(Alfa)
A = tan(α)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 2 Variables
Funciones utilizadas
tan - La tangente de un ángulo es una razón trigonométrica entre la longitud del lado opuesto a un ángulo y la longitud del lado adyacente a un ángulo en un triángulo rectángulo., tan(Angle)
Variables utilizadas
Ángulo del ápice - (Medido en Radián) - El ángulo del ápice es el ángulo entre las líneas que definen el ápice que apunta a la punta de un cono.
Alfa - Alfa es el parámetro que puede variar según el dispositivo o aplicación particular que se esté considerando.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Alfa: -3 --> No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
A = tan(α) --> tan((-3))
Evaluar ... ...
A = 0.142546543074278
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.142546543074278 Radián -->8.16731530233745 Grado (Verifique la conversión aquí)
RESPUESTA FINAL
8.16731530233745 8.167315 Grado <-- Ángulo del ápice
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

14 Dispositivos con componentes ópticos Calculadoras

Capacitancia de unión PN
Vamos Capacitancia de unión = Área de unión PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permitividad relativa*[Permitivity-silicon])/(Voltaje a través de la unión PN-(Voltaje de polarización inversa))*((Concentración de aceptor*Concentración de donantes)/(Concentración de aceptor+Concentración de donantes)))
Concentración de electrones en condiciones de desequilibrio
Vamos Concentración de electrones = Concentración intrínseca de electrones*exp((Nivel cuasi Fermi de electrones-Nivel de energía intrínseca del semiconductor)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))
Longitud de difusión de la región de transición
Vamos Difusión Duración de la región de transición = Corriente óptica/(Cargar*Área de unión PN*Tasa de generación óptica)-(Ancho de transición+Longitud de la unión del lado P)
Corriente debida a portadora generada ópticamente
Vamos Corriente óptica = Cargar*Área de unión PN*Tasa de generación óptica*(Ancho de transición+Difusión Duración de la región de transición+Longitud de la unión del lado P)
Retardo máximo
Vamos Retardo máximo = (2*pi)/Longitud de onda de la luz*Longitud de la fibra*Índice de refracción^3*Voltaje de modulación
Ángulo máximo de aceptación de la lente compuesta
Vamos Ángulo de aceptación = asin(Índice de refracción del medio 1*Radio de la lente*sqrt(Constante positiva))
Densidad efectiva de estados en banda de conducción
Vamos Densidad efectiva de estados = 2*(2*pi*Masa efectiva de electrón*[BoltZ]*Temperatura absoluta/[hP]^2)^(3/2)
Coeficiente de difusión del electrón
Vamos Coeficiente de difusión de electrones = Movilidad del electrón*[BoltZ]*Temperatura absoluta/[Charge-e]
Difracción mediante la fórmula de Fresnel-Kirchoff
Vamos Ángulo de difracción = asin(1.22*Longitud de onda de la luz visible/Diámetro de apertura)
Espaciado de franjas dado el ángulo del ápice
Vamos Espacio marginal = Longitud de onda de la luz visible/(2*tan(Ángulo de interferencia))
Ángulo de Brewster
Vamos El ángulo de Brewster = arctan(Índice de refracción del medio 1/Índice de refracción)
Energía de excitación
Vamos Energía de excitación = 1.6*10^-19*13.6*(Masa efectiva de electrón/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Ángulo de rotación del plano de polarización
Vamos Ángulo de rotación = 1.8*Densidad de flujo magnético*Longitud del medio
Ángulo de vértice
Vamos Ángulo del ápice = tan(Alfa)

Ángulo de vértice Fórmula

Ángulo del ápice = tan(Alfa)
A = tan(α)

¿Qué es la recombinación de electrones?

Proceso en el que un electrón, que ha sido excitado desde la banda de valencia a la banda de conducción de un semiconductor, vuelve a caer en un estado vacío en la banda de valencia, lo que se conoce como agujero.

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