| ✖La corriente de drenaje de saturación se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.ⓘ Corriente de drenaje de saturación [ids] |  |  | +10% -10% | 
| ✖El parámetro de transconductancia del proceso es el producto de la movilidad de los electrones en el canal y la capacitancia del óxido.ⓘ Parámetro de transconductancia del proceso [k'n] |  |  | +10% -10% | 
| ✖El ancho del canal es la dimensión del canal de MOSFET.ⓘ Ancho del canal [Wc] |  |  | +10% -10% | 
| ✖La longitud del canal, L, que es la distancia entre las dos uniones -p.ⓘ Longitud del canal [L] |  |  | +10% -10% |