| ✖Ток стока насыщения определяется как подпороговой ток и изменяется экспоненциально в зависимости от напряжения затвор-исток.ⓘ Ток стока насыщения [ids] |  |  | +10% -10% | 
| ✖Параметр крутизны процесса является произведением подвижности электронов в канале и оксидной емкости.ⓘ Параметр крутизны процесса [k'n] |  |  | +10% -10% | 
| ✖Ширина канала — это размер канала MOSFET.ⓘ Ширина канала [Wc] |  |  | +10% -10% | 
| ✖Длина канала L — расстояние между двумя -p-переходами.ⓘ Длина канала [L] |  |  | +10% -10% |