Frecuencia de plasma reducida Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Frecuencia plasmática reducida = Frecuencia plasmática*Factor de reducción de carga espacial
ωq = fp*R
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Frecuencia plasmática reducida - (Medido en radianes por segundo) - La frecuencia plasmática reducida se define como la reducción de la frecuencia plasmática en el nivel iónico debido a varias razones.
Frecuencia plasmática - (Medido en radianes por segundo) - La frecuencia del plasma es la frecuencia a la que la respuesta de un plasma está dominada por el movimiento de los electrones libres, en lugar del movimiento más lento de los iones u otras especies en el plasma.
Factor de reducción de carga espacial - El factor de reducción de carga espacial es un factor que explica la reducción del tiempo de tránsito de los electrones debido a la presencia de una carga espacial en un tubo de vacío.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Frecuencia plasmática: 1400000 radianes por segundo --> 1400000 radianes por segundo No se requiere conversión
Factor de reducción de carga espacial: 0.87 --> No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
ωq = fp*R --> 1400000*0.87
Evaluar ... ...
ωq = 1218000
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
1218000 radianes por segundo --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
1218000 1.2E+6 radianes por segundo <-- Frecuencia plasmática reducida
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

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Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
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Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
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20 tubo de haz Calculadoras

Voltaje de microondas en el espacio del Buncher
​ Vamos Voltaje de microondas en la brecha del Buncher = (Amplitud de señal/(Frecuencia angular del voltaje de microondas*Tiempo promedio de tránsito))*(cos(Frecuencia angular del voltaje de microondas*Introducir la hora)-cos(Frecuencia angular resonante+(Frecuencia angular del voltaje de microondas*Distancia de separación del apilador)/Velocidad del electrón))
Potencia de salida de RF
​ Vamos Potencia de salida de RF = Potencia de entrada de RF*exp(-2*Constante de atenuación de RF*Longitud del circuito de RF)+int((Energía de RF generada/Longitud del circuito de RF)*exp(-2*Constante de atenuación de RF*(Longitud del circuito de RF-x)),x,0,Longitud del circuito de RF)
Voltaje del repelente
​ Vamos Voltaje repelente = sqrt((8*Frecuencia angular^2*Longitud del espacio de deriva^2*Voltaje de haz pequeño)/((2*pi*Número de oscilación)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Voltaje de haz pequeño
Agotamiento total del sistema WDM
​ Vamos Agotamiento total de un sistema WDM = sum(x,2,número de canales,Coeficiente de ganancia Raman*Poder del canal*Longitud efectiva/Area efectiva)
Pérdida de potencia promedio en el resonador
​ Vamos Pérdida de potencia promedio en el resonador = (Resistencia superficial del resonador/2)*(int(((Valor máximo de intensidad magnética tangencial)^2)*x,x,0,Radio del resonador))
Frecuencia de plasma
​ Vamos Frecuencia plasmática = sqrt(([Charge-e]*Densidad de carga de electrones CC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Energía total almacenada en el resonador
​ Vamos Energía total almacenada en el resonador = int((Permitividad del medio/2*Intensidad del campo eléctrico^2)*x,x,0,Volumen del resonador)
Profundo en la piel
​ Vamos Profundo en la piel = sqrt(Resistividad/(pi*Permeabilidad relativa*Frecuencia))
Densidad de corriente total del haz de electrones
​ Vamos Densidad de corriente total del haz de electrones = -Densidad de corriente del haz de CC+Perturbación instantánea de la corriente del haz de RF
Frecuencia portadora en línea espectral
​ Vamos Frecuencia de carga = Frecuencia de línea espectral-Número de muestras*Frecuencia de repetición
Velocidad total de los electrones
​ Vamos Velocidad total de los electrones = Velocidad del electrón CC+Perturbación instantánea de la velocidad del electrón
Densidad de carga total
​ Vamos Densidad de carga total = -Densidad de carga de electrones CC+Densidad de carga de RF instantánea
Frecuencia de plasma reducida
​ Vamos Frecuencia plasmática reducida = Frecuencia plasmática*Factor de reducción de carga espacial
Energía obtenida de la fuente de alimentación de CC
​ Vamos Fuente de alimentación DC = Energía generada en el circuito anódico/Eficiencia Electrónica
Potencia generada en el circuito del ánodo
​ Vamos Energía generada en el circuito anódico = Fuente de alimentación DC*Eficiencia Electrónica
Ganancia máxima de voltaje en resonancia
​ Vamos Ganancia máxima de voltaje en resonancia = Transconductancia/Conductancia
Pico de potencia de pulso de microondas rectangular
​ Vamos Potencia máxima de pulso = Energía promedio/Ciclo de trabajo
Pérdida de retorno
​ Vamos Pérdida de retorno = -20*log10(Coeficiente de reflexión)
Energía CA suministrada por el voltaje del haz
​ Vamos Fuente de alimentación de CA = (Voltaje*Actual)/2
Energía CC suministrada por el voltaje del haz
​ Vamos Fuente de alimentación DC = Voltaje*Actual

Frecuencia de plasma reducida Fórmula

Frecuencia plasmática reducida = Frecuencia plasmática*Factor de reducción de carga espacial
ωq = fp*R

¿Qué es la frecuencia plasmática?

La frecuencia del plasma es una frecuencia característica asociada con el comportamiento de las partículas cargadas en un plasma. Un plasma es un estado de la materia en el que las moléculas de gas se han ionizado, es decir, han perdido o ganado electrones, dando como resultado una mezcla de iones cargados positivamente y electrones libres.

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