Profundo en la piel Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Profundo en la piel = sqrt(Resistividad/(pi*Permeabilidad relativa*Frecuencia))
δ = sqrt(ρ/(pi*μr*f))
Esta fórmula usa 1 Constantes, 1 Funciones, 4 Variables
Constantes utilizadas
pi - La constante de Arquímedes. Valor tomado como 3.14159265358979323846264338327950288
Funciones utilizadas
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
Profundo en la piel - La profundidad de la piel es una medida de la densidad de corriente.
Resistividad - (Medido en Ohm Metro) - La resistividad es la medida de la fuerza con la que un material se opone al flujo de corriente a través de él.
Permeabilidad relativa - (Medido en Henry / Metro) - La permeabilidad relativa es la relación entre la permeabilidad efectiva de un fluido particular en una saturación particular y la permeabilidad absoluta de ese fluido en la saturación total.
Frecuencia - (Medido en hercios) - La frecuencia se refiere al número de ocurrencias de un evento periódico por vez y se mide en ciclos/segundo.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Resistividad: 1.7E-05 Ohm Metro --> 1.7E-05 Ohm Metro No se requiere conversión
Permeabilidad relativa: 9.5 Henry / Metro --> 9.5 Henry / Metro No se requiere conversión
Frecuencia: 90 hercios --> 90 hercios No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
δ = sqrt(ρ/(pi*μr*f)) --> sqrt(1.7E-05/(pi*9.5*90))
Evaluar ... ...
δ = 7.95548144188745E-05
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
7.95548144188745E-05 --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
7.95548144188745E-05 8E-5 <-- Profundo en la piel
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

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Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
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20 tubo de haz Calculadoras

Voltaje de microondas en el espacio del Buncher
​ Vamos Voltaje de microondas en la brecha del Buncher = (Amplitud de señal/(Frecuencia angular del voltaje de microondas*Tiempo promedio de tránsito))*(cos(Frecuencia angular del voltaje de microondas*Introducir la hora)-cos(Frecuencia angular resonante+(Frecuencia angular del voltaje de microondas*Distancia de separación del apilador)/Velocidad del electrón))
Potencia de salida de RF
​ Vamos Potencia de salida de RF = Potencia de entrada de RF*exp(-2*Constante de atenuación de RF*Longitud del circuito de RF)+int((Energía de RF generada/Longitud del circuito de RF)*exp(-2*Constante de atenuación de RF*(Longitud del circuito de RF-x)),x,0,Longitud del circuito de RF)
Voltaje del repelente
​ Vamos Voltaje repelente = sqrt((8*Frecuencia angular^2*Longitud del espacio de deriva^2*Voltaje de haz pequeño)/((2*pi*Número de oscilación)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Voltaje de haz pequeño
Agotamiento total del sistema WDM
​ Vamos Agotamiento total de un sistema WDM = sum(x,2,número de canales,Coeficiente de ganancia Raman*Poder del canal*Longitud efectiva/Area efectiva)
Pérdida de potencia promedio en el resonador
​ Vamos Pérdida de potencia promedio en el resonador = (Resistencia superficial del resonador/2)*(int(((Valor máximo de intensidad magnética tangencial)^2)*x,x,0,Radio del resonador))
Frecuencia de plasma
​ Vamos Frecuencia plasmática = sqrt(([Charge-e]*Densidad de carga de electrones CC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Energía total almacenada en el resonador
​ Vamos Energía total almacenada en el resonador = int((Permitividad del medio/2*Intensidad del campo eléctrico^2)*x,x,0,Volumen del resonador)
Profundo en la piel
​ Vamos Profundo en la piel = sqrt(Resistividad/(pi*Permeabilidad relativa*Frecuencia))
Densidad de corriente total del haz de electrones
​ Vamos Densidad de corriente total del haz de electrones = -Densidad de corriente del haz de CC+Perturbación instantánea de la corriente del haz de RF
Frecuencia portadora en línea espectral
​ Vamos Frecuencia de carga = Frecuencia de línea espectral-Número de muestras*Frecuencia de repetición
Velocidad total de los electrones
​ Vamos Velocidad total de los electrones = Velocidad del electrón CC+Perturbación instantánea de la velocidad del electrón
Densidad de carga total
​ Vamos Densidad de carga total = -Densidad de carga de electrones CC+Densidad de carga de RF instantánea
Frecuencia de plasma reducida
​ Vamos Frecuencia plasmática reducida = Frecuencia plasmática*Factor de reducción de carga espacial
Energía obtenida de la fuente de alimentación de CC
​ Vamos Fuente de alimentación DC = Energía generada en el circuito anódico/Eficiencia Electrónica
Potencia generada en el circuito del ánodo
​ Vamos Energía generada en el circuito anódico = Fuente de alimentación DC*Eficiencia Electrónica
Ganancia máxima de voltaje en resonancia
​ Vamos Ganancia máxima de voltaje en resonancia = Transconductancia/Conductancia
Pico de potencia de pulso de microondas rectangular
​ Vamos Potencia máxima de pulso = Energía promedio/Ciclo de trabajo
Pérdida de retorno
​ Vamos Pérdida de retorno = -20*log10(Coeficiente de reflexión)
Energía CA suministrada por el voltaje del haz
​ Vamos Fuente de alimentación de CA = (Voltaje*Actual)/2
Energía CC suministrada por el voltaje del haz
​ Vamos Fuente de alimentación DC = Voltaje*Actual

Profundo en la piel Fórmula

Profundo en la piel = sqrt(Resistividad/(pi*Permeabilidad relativa*Frecuencia))
δ = sqrt(ρ/(pi*μr*f))

¿Qué es el efecto piel?

El efecto piel es la tendencia de una corriente eléctrica alterna (CA) a distribuirse dentro de un conductor de manera que la densidad de corriente sea mayor cerca de la superficie del conductor y disminuya exponencialmente con mayores profundidades en el conductor.

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