Profondeur de la peau Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Profondeur de la peau = sqrt(Résistivité/(pi*Perméabilité relative*Fréquence))
δ = sqrt(ρ/(pi*μr*f))
Cette formule utilise 1 Constantes, 1 Les fonctions, 4 Variables
Constantes utilisées
pi - Constante d'Archimède Valeur prise comme 3.14159265358979323846264338327950288
Fonctions utilisées
sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)
Variables utilisées
Profondeur de la peau - La profondeur de la peau est une mesure de la densité du courant.
Résistivité - (Mesuré en ohmmètre) - La résistivité est la mesure de la force avec laquelle un matériau s'oppose au flux de courant qui le traverse.
Perméabilité relative - (Mesuré en Henry / mètre) - La perméabilité relative est le rapport entre la perméabilité effective d'un fluide particulier à une saturation particulière et la perméabilité absolue de ce fluide à saturation totale.
Fréquence - (Mesuré en Hertz) - La fréquence fait référence au nombre d'occurrences d'un événement périodique par heure et est mesurée en cycles/seconde.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Résistivité: 1.7E-05 ohmmètre --> 1.7E-05 ohmmètre Aucune conversion requise
Perméabilité relative: 9.5 Henry / mètre --> 9.5 Henry / mètre Aucune conversion requise
Fréquence: 90 Hertz --> 90 Hertz Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
δ = sqrt(ρ/(pi*μr*f)) --> sqrt(1.7E-05/(pi*9.5*90))
Évaluer ... ...
δ = 7.95548144188745E-05
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
7.95548144188745E-05 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
7.95548144188745E-05 8E-5 <-- Profondeur de la peau
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

20 Tube de faisceau Calculatrices

Tension micro-ondes dans l'espace du groupeur
​ Aller Tension micro-onde dans l'espace du groupeur = (Amplitude du signal/(Fréquence angulaire de la tension micro-ondes*Temps de transit moyen))*(cos(Fréquence angulaire de la tension micro-ondes*Saisie de l'heure)-cos(Fréquence angulaire de résonance+(Fréquence angulaire de la tension micro-ondes*Distance d'écart entre le groupeur)/Vitesse de l'électron))
Puissance de sortie RF
​ Aller Puissance de sortie RF = Puissance d'entrée RF*exp(-2*Constante d'atténuation RF*Longueur du circuit RF)+int((Puissance RF générée/Longueur du circuit RF)*exp(-2*Constante d'atténuation RF*(Longueur du circuit RF-x)),x,0,Longueur du circuit RF)
Tension du répulsif
​ Aller Tension du répulsif = sqrt((8*Fréquence angulaire^2*Longueur de l'espace de dérive^2*Tension du petit faisceau)/((2*pi*Nombre d'oscillations)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Tension du petit faisceau
Épuisement total pour le système WDM
​ Aller Épuisement total pour un système WDM = sum(x,2,Nombre de canaux,Coefficient de gain Raman*Puissance du canal*Longueur efficace/Zone efficace)
Perte de puissance moyenne dans le résonateur
​ Aller Perte de puissance moyenne dans le résonateur = (Résistance de surface du résonateur/2)*(int(((Valeur maximale de l'intensité magnétique tangentielle)^2)*x,x,0,Rayon du résonateur))
Fréquence plasmatique
​ Aller Fréquence plasmatique = sqrt(([Charge-e]*Densité de charge électronique CC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Énergie totale stockée dans le résonateur
​ Aller Énergie totale stockée dans le résonateur = int((Permittivité du milieu/2*Intensité du champ électrique^2)*x,x,0,Volume du résonateur)
Profondeur de la peau
​ Aller Profondeur de la peau = sqrt(Résistivité/(pi*Perméabilité relative*Fréquence))
Densité totale de courant du faisceau d'électrons
​ Aller Densité totale de courant du faisceau d'électrons = -Densité de courant du faisceau CC+Perturbation instantanée du courant du faisceau RF
Fréquence porteuse dans la ligne spectrale
​ Aller Fréquence porteuse = Fréquence de la ligne spectrale-Nombre d'échantillons*Fréquence de répétition
Vitesse totale des électrons
​ Aller Vitesse totale des électrons = Vitesse des électrons CC+Perturbation instantanée de la vitesse des électrons
Fréquence plasma réduite
​ Aller Fréquence plasmatique réduite = Fréquence plasmatique*Facteur de réduction de la charge d'espace
Densité de charge totale
​ Aller Densité de charge totale = -Densité de charge électronique CC+Densité de charge RF instantanée
Puissance obtenue à partir de l'alimentation CC
​ Aller Alimentation CC = Puissance générée dans le circuit anodique/Efficacité électronique
Puissance générée dans le circuit anodique
​ Aller Puissance générée dans le circuit anodique = Alimentation CC*Efficacité électronique
Gain de tension maximum à la résonance
​ Aller Gain de tension maximum à la résonance = Transconductance/Conductance
Puissance de crête d'impulsion micro-ondes rectangulaire
​ Aller Puissance de crête d'impulsion = Puissance moyenne/Cycle de service
Perte de retour
​ Aller Perte de retour = -20*log10(Coefficient de reflexion)
Alimentation CA fournie par la tension du faisceau
​ Aller Alimentation CA = (Tension*Actuel)/2
Alimentation CC fournie par la tension du faisceau
​ Aller Alimentation CC = Tension*Actuel

Profondeur de la peau Formule

Profondeur de la peau = sqrt(Résistivité/(pi*Perméabilité relative*Fréquence))
δ = sqrt(ρ/(pi*μr*f))

Qu'est-ce que l'effet de peau?

L'effet de peau est la tendance d'un courant électrique alternatif (AC) à se distribuer dans un conducteur de telle sorte que la densité de courant est la plus grande près de la surface du conducteur et diminue de façon exponentielle avec de plus grandes profondeurs dans le conducteur.

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