Capacitancia total entre puerta y canal de MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Capacitancia del canal de puerta = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal
Cg = Cox*Wc*L
Esta fórmula usa 4 Variables
Variables utilizadas
Capacitancia del canal de puerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia del canal de compuerta se refiere a la capacitancia eléctrica que existe entre el electrodo de compuerta y la región del canal de un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET).
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.
Ancho de banda - (Medido en Metro) - El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).
Longitud del canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal se refiere a la distancia entre los terminales de fuente y drenaje en un transistor de efecto de campo (FET).
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Capacitancia de óxido: 940 Microfaradio --> 0.00094 Faradio (Verifique la conversión ​aquí)
Ancho de banda: 10 Micrómetro --> 1E-05 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Longitud del canal: 100 Micrómetro --> 0.0001 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Cg = Cox*Wc*L --> 0.00094*1E-05*0.0001
Evaluar ... ...
Cg = 9.4E-13
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
9.4E-13 Faradio -->9.4E-07 Microfaradio (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
9.4E-07 9.4E-7 Microfaradio <-- Capacitancia del canal de puerta
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

15 Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Conductancia del canal de MOSFET
​ Vamos Conductancia del canal = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*(Ancho de banda/Longitud del canal)*Voltaje a través de óxido
Frecuencia de transición de MOSFET
​ Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET
​ Vamos Carga de electrones en el canal = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal*Voltaje efectivo
Cambio de fase en el circuito RC de salida
​ Vamos Cambio de fase = arctan(Reactancia capacitiva/(Resistencia+Resistencia de carga))
Mosfet de capacitancia Miller de salida
​ Vamos Capacitancia Miller de salida = Capacitancia de drenaje de puerta*((Ganancia de voltaje+1)/Ganancia de voltaje)
Menor frecuencia crítica de Mosfet
​ Vamos Frecuencia de esquina = 1/(2*pi*(Resistencia+Resistencia de entrada)*Capacidad)
Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET
​ Vamos Ancho de banda = Capacitancia de superposición/(Capacitancia de óxido*Longitud de superposición)
Capacitancia de superposición de MOSFET
​ Vamos Capacitancia de superposición = Ancho de banda*Capacitancia de óxido*Longitud de superposición
Capacitancia total entre puerta y canal de MOSFET
​ Vamos Capacitancia del canal de puerta = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal
Frecuencia crítica en el circuito RC de entrada de alta frecuencia
​ Vamos Frecuencia de esquina = 1/(2*pi*Resistencia de entrada*Capacitancia de Miller)
Cambio de fase en el circuito RC de entrada
​ Vamos Cambio de fase = arctan(Reactancia capacitiva/Resistencia de entrada)
Reactancia capacitiva de Mosfet
​ Vamos Reactancia capacitiva = 1/(2*pi*Frecuencia*Capacidad)
Capacitancia Miller de Mosfet
​ Vamos Capacitancia de Miller = Capacitancia de drenaje de puerta*(Ganancia de voltaje+1)
Frecuencia crítica de Mosfet
​ Vamos Frecuencia crítica en decibles = 10*log10(Frecuencia crítica)
Atenuación del circuito RC
​ Vamos Atenuación = Voltaje básico/Voltaje de entrada

Capacitancia total entre puerta y canal de MOSFET Fórmula

Capacitancia del canal de puerta = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal
Cg = Cox*Wc*L

Explique todo el proceso de la región del canal del MOSFET que forma un capacitor de placas paralelas.

La puerta y la región del canal del MOSFET forman un capacitor de placas paralelas, con la capa de óxido actuando como el dieléctrico del capacitor. El voltaje de puerta positivo hace que se acumule una carga positiva en la placa superior del capacitor (el electrodo de puerta). La carga negativa correspondiente en la placa inferior está formada por los electrones en el canal inducido. Por tanto, se desarrolla un campo eléctrico en dirección vertical. Es este campo el que controla la cantidad de carga en el canal y, por lo tanto, determina la conductividad del canal y, a su vez, la corriente que fluirá a través del canal cuando se aplica un voltaje.

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