Calculadora Capacitancia de superposición de MOSFET

✖El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).ⓘ Ancho de banda [W_c]			+10% -10%
✖La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.ⓘ Capacitancia de óxido [C_ox]			+10% -10%
✖La longitud de superposición es la distancia promedio que los portadores sobrantes pueden cubrir antes de recombinarse.ⓘ Longitud de superposición [L_ov]			+10% -10%

✖La capacitancia de superposición se refiere a la capacitancia que surge entre dos regiones conductoras muy próximas entre sí, pero no conectadas directamente.ⓘ Capacitancia de superposición de MOSFET [C_oc]

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Fórmula

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Capacitancia de superposición de MOSFET

Fórmula

`"C"_{"oc"} = "W"_{"c"}*"C"_{"ox"}*"L"_{"ov"}`

Ejemplo

`"3.8E^-7μF"="10μm"*"940μF"*"40.6μm"`

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Capacitancia de superposición de MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia de superposición = Ancho de banda*Capacitancia de óxido*Longitud de superposición
C_oc = W_c*C_ox*L_ov
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Capacitancia de superposición - (Medido en Faradio) - La capacitancia de superposición se refiere a la capacitancia que surge entre dos regiones conductoras muy próximas entre sí, pero no conectadas directamente.
Ancho de banda - (Medido en Metro) - El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.
Longitud de superposición - (Medido en Metro) - La longitud de superposición es la distancia promedio que los portadores sobrantes pueden cubrir antes de recombinarse.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Ancho de banda: 10 Micrómetro --> 1E-05 Metro (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de óxido: 940 Microfaradio --> 0.00094 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Longitud de superposición: 40.6 Micrómetro --> 4.06E-05 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_oc = W_c*C_ox*L_ov --> 1E-05*0.00094*4.06E-05

Evaluar ... ...

C_oc = 3.8164E-13

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

3.8164E-13 Faradio -->3.8164E-07 Microfaradio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

3.8164E-07 ≈ 3.8E-7 Microfaradio <-- Capacitancia de superposición

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnología (LIENDRE), Hamirpur

¡Anshika Arya ha verificado esta calculadora y 2500+ más calculadoras!

< 15 Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Conductancia del canal de MOSFET

Vamos Conductancia del canal = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*(Ancho de banda/Longitud del canal)*Voltaje a través de óxido

Frecuencia de transición de MOSFET

Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))

Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET

Vamos Carga de electrones en el canal = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal*Voltaje efectivo

Cambio de fase en el circuito RC de salida

Vamos Cambio de fase = arctan(Reactancia capacitiva/(Resistencia+Resistencia de carga))

Mosfet de capacitancia Miller de salida

Vamos Capacitancia Miller de salida = Capacitancia de drenaje de puerta*((Ganancia de voltaje+1)/Ganancia de voltaje)

Menor frecuencia crítica de Mosfet

Vamos Frecuencia de esquina = 1/(2*pi*(Resistencia+Resistencia de entrada)*Capacidad)

Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET

Vamos Ancho de banda = Capacitancia de superposición/(Capacitancia de óxido*Longitud de superposición)

Capacitancia de superposición de MOSFET

Vamos Capacitancia de superposición = Ancho de banda*Capacitancia de óxido*Longitud de superposición

Capacitancia total entre puerta y canal de MOSFET

Vamos Capacitancia del canal de puerta = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal

Frecuencia crítica en el circuito RC de entrada de alta frecuencia

Vamos Frecuencia de esquina = 1/(2*pi*Resistencia de entrada*Capacitancia de Miller)

Cambio de fase en el circuito RC de entrada

Vamos Cambio de fase = arctan(Reactancia capacitiva/Resistencia de entrada)

Reactancia capacitiva de Mosfet

Vamos Reactancia capacitiva = 1/(2*pi*Frecuencia*Capacidad)

Capacitancia Miller de Mosfet

Vamos Capacitancia de Miller = Capacitancia de drenaje de puerta*(Ganancia de voltaje+1)

Frecuencia crítica de Mosfet

Vamos Frecuencia crítica en decibles = 10*log10(Frecuencia crítica)

Atenuación del circuito RC

Vamos Atenuación = Voltaje básico/Voltaje de entrada

Capacitancia de superposición de MOSFET Fórmula

Capacitancia de superposición = Ancho de banda*Capacitancia de óxido*Longitud de superposición
C_oc = W_c*C_ox*L_ov

¿Cómo actúa el MOSFET como condensador?

En pocas palabras, el DRENAJE y la FUENTE del MOSFET actúan como placas conductoras en un condensador debido a la puerta aislada. Los MOSFET se comportan como dispositivos electroconductores, que es el equivalente a una capacitancia controlada por voltaje.

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