Calculadora Transconductancia de FET

✖La corriente de drenaje de polarización cero en un FET es la corriente de drenaje que fluye cuando el voltaje de la compuerta es igual a cero.ⓘ Corriente de drenaje de polarización cero [I_dss]			+10% -10%
✖El voltaje de Pinch OFF es el voltaje al cual el canal de un transistor de efecto de campo (FET) se vuelve tan estrecho que se cierra efectivamente, impidiendo cualquier flujo de corriente adicional.ⓘ Tensión de pellizco apagado [V_off]			+10% -10%
✖La ganancia al voltaje de fuente de un JFET es la relación entre el cambio en el voltaje de drenaje y el cambio en el voltaje de fuente.ⓘ Ganancia a voltaje de fuente [V_(g-s)]			+10% -10%

✖La transconductancia directa de un JFET es máxima con un voltaje de puerta cero y disminuye a medida que aumenta el voltaje de la puerta.ⓘ Transconductancia de FET [G_m]

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Fórmula

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Transconductancia de FET

Fórmula

`"G"_{"m"} = (2*"I"_{"dss"})/"V"_{"off"}*(1-"V"_{"(g-s)"}/"V"_{"off"})`

Ejemplo

`"0.019073S"=(2*"0.96A")/"100.66V"*(1-"0.0039V"/"100.66V")`

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Transconductancia de FET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Transconductancia directa = (2*Corriente de drenaje de polarización cero)/Tensión de pellizco apagado*(1-Ganancia a voltaje de fuente/Tensión de pellizco apagado)
G_m = (2*I_dss)/V_off*(1-V_(g-s)/V_off)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Transconductancia directa - (Medido en Siemens) - La transconductancia directa de un JFET es máxima con un voltaje de puerta cero y disminuye a medida que aumenta el voltaje de la puerta.
Corriente de drenaje de polarización cero - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje de polarización cero en un FET es la corriente de drenaje que fluye cuando el voltaje de la compuerta es igual a cero.
Tensión de pellizco apagado - (Medido en Voltio) - El voltaje de Pinch OFF es el voltaje al cual el canal de un transistor de efecto de campo (FET) se vuelve tan estrecho que se cierra efectivamente, impidiendo cualquier flujo de corriente adicional.
Ganancia a voltaje de fuente - (Medido en Voltio) - La ganancia al voltaje de fuente de un JFET es la relación entre el cambio en el voltaje de drenaje y el cambio en el voltaje de fuente.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Corriente de drenaje de polarización cero: 0.96 Amperio --> 0.96 Amperio No se requiere conversión
Tensión de pellizco apagado: 100.66 Voltio --> 100.66 Voltio No se requiere conversión
Ganancia a voltaje de fuente: 0.0039 Voltio --> 0.0039 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

G_m = (2*I_dss)/V_off*(1-V_(g-s)/V_off) --> (2*0.96)/100.66*(1-0.0039/100.66)

Evaluar ... ...

G_m = 0.0190733718554303

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.0190733718554303 Siemens --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.0190733718554303 ≈ 0.019073 Siemens <-- Transconductancia directa

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Mohamed Fazil V

instituto de tecnología acharya (AIT), Bangalore

¡Mohamed Fazil V ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

< 9 FET Calculadoras

Corriente de drenaje de la región óhmica de FET

Vamos Corriente de drenaje = Conductancia del canal*(Drenaje a voltaje de fuente+3/2*((Psi+Ganancia a voltaje de fuente-Drenaje a voltaje de fuente)^(3/2)-(Psi+Ganancia a voltaje de fuente)^(3/2))/((Psi+Tensión de pellizco apagado)^(1/2)))

Transconductancia de FET

Vamos Transconductancia directa = (2*Corriente de drenaje de polarización cero)/Tensión de pellizco apagado*(1-Ganancia a voltaje de fuente/Tensión de pellizco apagado)

Voltaje de fuente de drenaje de FET

Vamos Drenaje a voltaje de fuente = Voltaje de suministro en el drenaje-Corriente de drenaje*(Resistencia al drenaje+Resistencia de la fuente)

Capacitancia del sustrato de puerta de FET

Vamos Capacitancia del sustrato de puerta = Capacitancia del sustrato de puerta Tiempo de inactividad/(1-(Voltaje del sustrato de la puerta/Psi))^(1/2)

Corriente de drenaje de FET

Vamos Corriente de drenaje = Corriente de drenaje de polarización cero*(1-Ganancia a voltaje de fuente/Ganancia de corte a voltaje de fuente)^2

Capacitancia de drenaje de compuerta de FET

Vamos Capacitancia de puerta a drenaje = Capacitancia de drenaje de compuerta fuera de tiempo/(1-Voltaje de puerta a drenaje/Psi)^(1/3)

Capacitancia de fuente de puerta de FET

Vamos Capacitancia de puerta a fuente = Capacitancia de fuente de puerta fuera de tiempo/(1-(Ganancia a voltaje de fuente/Psi))^(1/3)

Pellizcar el voltaje del FET

Vamos Tensión de pellizco apagado = Apague el drenaje para alimentar el voltaje-Ganancia a voltaje de fuente

Ganancia de voltaje de FET

Vamos Ganancia de voltaje = -Transconductancia directa*Resistencia al drenaje

Transconductancia de FET Fórmula

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