Transkonduktanz von FET Taschenrechner

✖Der Drainstrom mit Nullvorspannung in einem FET ist der Drainstrom, der fließt, wenn die Gatespannung gleich Null ist.ⓘ Drainstrom mit Nullvorspannung [I_dss]			+10% -10%
✖Die Pinch-Off-Spannung ist die Spannung, bei der der Kanal eines Feldeffekttransistors (FET) so schmal wird, dass er effektiv schließt und so jeden weiteren Stromfluss verhindert.ⓘ Pinch-Off-Spannung [V_off]			+10% -10%
✖Die Verstärkung zur Source-Spannung eines JFET ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Spannung zur Änderung der Source-Spannung.ⓘ Verstärkung zur Quellenspannung [V_(g-s)]			+10% -10%

✖Die Vorwärtssteilheit eines JFET ist bei einer Gate-Spannung von Null maximal und nimmt mit zunehmender Gate-Spannung ab.ⓘ Transkonduktanz von FET [G_m]

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Formel

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Transkonduktanz von FET

Formel

`"G"_{"m"} = (2*"I"_{"dss"})/"V"_{"off"}*(1-"V"_{"(g-s)"}/"V"_{"off"})`

Beispiel

`"0.019073S"=(2*"0.96A")/"100.66V"*(1-"0.0039V"/"100.66V")`

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Transkonduktanz von FET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Vorwärtstranskonduktanz = (2*Drainstrom mit Nullvorspannung)/Pinch-Off-Spannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Pinch-Off-Spannung)
G_m = (2*I_dss)/V_off*(1-V_(g-s)/V_off)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Vorwärtstranskonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die Vorwärtssteilheit eines JFET ist bei einer Gate-Spannung von Null maximal und nimmt mit zunehmender Gate-Spannung ab.
Drainstrom mit Nullvorspannung - (Gemessen in Ampere) - Der Drainstrom mit Nullvorspannung in einem FET ist der Drainstrom, der fließt, wenn die Gatespannung gleich Null ist.
Pinch-Off-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Pinch-Off-Spannung ist die Spannung, bei der der Kanal eines Feldeffekttransistors (FET) so schmal wird, dass er effektiv schließt und so jeden weiteren Stromfluss verhindert.
Verstärkung zur Quellenspannung - (Gemessen in Volt) - Die Verstärkung zur Source-Spannung eines JFET ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Spannung zur Änderung der Source-Spannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Drainstrom mit Nullvorspannung: 0.96 Ampere --> 0.96 Ampere Keine Konvertierung erforderlich
Pinch-Off-Spannung: 100.66 Volt --> 100.66 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Verstärkung zur Quellenspannung: 0.0039 Volt --> 0.0039 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

G_m = (2*I_dss)/V_off*(1-V_(g-s)/V_off) --> (2*0.96)/100.66*(1-0.0039/100.66)

Auswerten ... ...

G_m = 0.0190733718554303

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0190733718554303 Siemens --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0190733718554303 ≈ 0.019073 Siemens <-- Vorwärtstranskonduktanz

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 9 FET Taschenrechner

Ohmscher Bereich Drainstrom des FET

Gehen Stromverbrauch = Kanalleitfähigkeit*(Drain-Source-Spannung+3/2*((Psi+Verstärkung zur Quellenspannung-Drain-Source-Spannung)^(3/2)-(Psi+Verstärkung zur Quellenspannung)^(3/2))/((Psi+Pinch-Off-Spannung)^(1/2)))

Transkonduktanz von FET

Gehen Vorwärtstranskonduktanz = (2*Drainstrom mit Nullvorspannung)/Pinch-Off-Spannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Pinch-Off-Spannung)

Drain-Source-Spannung des FET

Gehen Drain-Source-Spannung = Versorgungsspannung am Drain-Stromverbrauch*(Abflusswiderstand+Quellenwiderstand)

Drainstrom des FET

Gehen Stromverbrauch = Drainstrom mit Nullvorspannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Cuttoff-Verstärkung zur Quellenspannung)^2

Gate-Source-Kapazität des FET

Gehen Gate-Source-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Quellenkapazität/(1-(Verstärkung zur Quellenspannung/Psi))^(1/3)

Gate-Substratkapazität des FET

Gehen Gate-Substratkapazität = Ausschaltzeit der Gate-Substratkapazität/(1-(Gate-Substratspannung/Psi))^(1/2)

Gate-Drain-Kapazität des FET

Gehen Gate-to-Drain-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Abflusskapazität/(1-Gate-zu-Drain-Spannung/Psi)^(1/3)

Abschnürspannung des FET

Gehen Pinch-Off-Spannung = Abklemmen der Drain-Source-Spannung-Verstärkung zur Quellenspannung

Spannungsverstärkung des FET

Gehen Spannungsverstärkung = -Vorwärtstranskonduktanz*Abflusswiderstand

Transkonduktanz von FET Formel

Vorwärtstranskonduktanz = (2*Drainstrom mit Nullvorspannung)/Pinch-Off-Spannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Pinch-Off-Spannung)
G_m = (2*I_dss)/V_off*(1-V_(g-s)/V_off)

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