Calculadora Parámetro de transconductancia del transistor MOS

✖La corriente de drenaje por debajo del voltaje umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.ⓘ Corriente de drenaje [i_d]			+10% -10%
✖El voltaje a través del óxido se debe a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.ⓘ Voltaje a través del óxido [V_ox]			+10% -10%
✖El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.ⓘ Voltaje umbral [V_t]			+10% -10%
✖El voltaje entre la puerta y la fuente es el voltaje que cae a través del terminal puerta-fuente del transistor.ⓘ Voltaje entre puerta y fuente [V_gs]			+10% -10%

✖El parámetro de transconductancia es el producto del parámetro de transconductancia del proceso y la relación de aspecto del transistor (W/L).ⓘ Parámetro de transconductancia del transistor MOS [K_n]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

✖

Parámetro de transconductancia del transistor MOS

Fórmula

`"K"_{"n"} = "i"_{"d"}/(("V"_{"ox"}-"V"_{"t"})*"V"_{"gs"})`

Ejemplo

`"2.951843mA/V²"="17.5mA"/(("3.775V"-"2V")*"3.34V")`

Calculadora

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Características del amplificador de transistores Fórmulas PDF PDF Image

Parámetro de transconductancia del transistor MOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Parámetro de transconductancia = Corriente de drenaje/((Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente)
K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs)
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Parámetro de transconductancia - (Medido en Amperio por voltio cuadrado) - El parámetro de transconductancia es el producto del parámetro de transconductancia del proceso y la relación de aspecto del transistor (W/L).
Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje por debajo del voltaje umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.
Voltaje a través del óxido - (Medido en Voltio) - El voltaje a través del óxido se debe a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.
Voltaje entre puerta y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre la puerta y la fuente es el voltaje que cae a través del terminal puerta-fuente del transistor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Corriente de drenaje: 17.5 Miliamperio --> 0.0175 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Voltaje a través del óxido: 3.775 Voltio --> 3.775 Voltio No se requiere conversión
Voltaje umbral: 2 Voltio --> 2 Voltio No se requiere conversión
Voltaje entre puerta y fuente: 3.34 Voltio --> 3.34 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs) --> 0.0175/((3.775-2)*3.34)

Evaluar ... ...

K_n = 0.00295184279328667

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.00295184279328667 Amperio por voltio cuadrado -->2.95184279328667 Miliamperios por voltio cuadrado (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

2.95184279328667 ≈ 2.951843 Miliamperios por voltio cuadrado <-- Parámetro de transconductancia

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » Amplificadores » Amplificadores de transistores » Características del amplificador de transistores » Parámetro de transconductancia del transistor MOS

Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 18 Características del amplificador de transistores Calculadoras

Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido

Vamos Corriente de salida = (Movilidad del electrón*Capacitancia de óxido*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral))*Voltaje de saturación entre drenaje y fuente

Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET

Vamos Voltaje efectivo = sqrt(2*Corriente de drenaje de saturación/(Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)))

Voltaje de entrada Voltaje de señal dado

Vamos Voltaje del componente fundamental = (Resistencia de entrada finita/(Resistencia de entrada finita+Resistencia de la señal))*Pequeño voltaje de señal

Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje efectivo)^2

Parámetro de transconductancia del transistor MOS

Vamos Parámetro de transconductancia = Corriente de drenaje/((Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente)

Corriente de drenaje instantánea usando voltaje entre el drenaje y la fuente

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente

Drenar la corriente del transistor

Vamos Corriente de drenaje = (Voltaje del componente fundamental+Voltaje total de drenaje instantáneo)/Resistencia al drenaje

Voltaje de drenaje instantáneo total

Vamos Voltaje total de drenaje instantáneo = Voltaje del componente fundamental-Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje

Voltaje de entrada en transistor

Vamos Voltaje del componente fundamental = Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje-Voltaje total de drenaje instantáneo

Transconductancia de amplificadores de transistores

Vamos Transconductancia primaria MOSFET = (2*Corriente de drenaje)/(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)

Señal de corriente en el emisor dada la señal de entrada

Vamos Corriente de señal en el emisor = Voltaje del componente fundamental/Resistencia del emisor

Resistencia de entrada del amplificador de colector común

Vamos Resistencia de entrada = Voltaje del componente fundamental/Corriente base

Entrada de amplificador de amplificador de transistores

Vamos Entrada del amplificador = Resistencia de entrada*Corriente de entrada

Resistencia de salida del circuito de puerta común dada la tensión de prueba

Vamos Resistencia de salida finita = Voltaje de prueba/Corriente de prueba

Transconductancia utilizando la corriente de colector del amplificador de transistores

Vamos Transconductancia primaria MOSFET = Colector actual/Voltaje umbral

Corriente de prueba del amplificador de transistores

Vamos Corriente de prueba = Voltaje de prueba/Resistencia de entrada

Resistencia de entrada del circuito de puerta común

Vamos Resistencia de entrada = Voltaje de prueba/Corriente de prueba

Ganancia de corriente CC del amplificador

Vamos DC ganancia de corriente = Colector actual/Corriente base

Parámetro de transconductancia del transistor MOS Fórmula

Parámetro de transconductancia = Corriente de drenaje/((Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente)
K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs)

¿Cómo se aumenta la transconductancia?

Una figura de mérito común para los FET es la transconductancia, y puede aumentarse reduciendo la resistencia del canal mediante un dopaje intenso. Pero esta estrategia degrada la movilidad de los electrones debido a la dispersión del portador por las impurezas ionizadas.

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!