Paramètre de transconductance du transistor MOS Calculatrice

Paramètre de transconductance = Courant de vidange/((Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source)
K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs)
Cette formule utilise 5 Variables
Paramètre de transconductance - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance est le produit du paramètre de transconductance du processus et du rapport d'aspect du transistor (W/L).
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.
Tension aux bornes de l'oxyde - (Mesuré en Volt) - La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.
Tension entre la porte et la source - (Mesuré en Volt) - La tension entre la grille et la source est la tension qui tombe aux bornes de la grille-source du transistor.

(Calcul effectué en 00.020 secondes)