Transconductancia utilizando la corriente de colector del amplificador de transistores Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Transconductancia primaria MOSFET = Colector actual/Voltaje umbral
gmp = ic/Vt
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Transconductancia primaria MOSFET - (Medido en Siemens) - La transconductancia primaria MOSFET es el cambio en la corriente de drenaje dividido por el pequeño cambio en el voltaje de puerta/fuente con un voltaje de drenaje/fuente constante.
Colector actual - (Medido en Amperio) - La corriente del colector es una corriente de salida amplificada de un transistor de unión bipolar.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Colector actual: 39.52 Miliamperio --> 0.03952 Amperio (Verifique la conversión ​aquí)
Voltaje umbral: 2 Voltio --> 2 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
gmp = ic/Vt --> 0.03952/2
Evaluar ... ...
gmp = 0.01976
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.01976 Siemens -->19.76 milisiemens (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
19.76 milisiemens <-- Transconductancia primaria MOSFET
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

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Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
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Verificada por Anshika Arya
Instituto Nacional de Tecnología (LIENDRE), Hamirpur
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18 Características del amplificador de transistores Calculadoras

Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido
​ Vamos Corriente de salida = (Movilidad del electrón*Capacitancia de óxido*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral))*Voltaje de saturación entre drenaje y fuente
Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET
​ Vamos Voltaje efectivo = sqrt(2*Corriente de drenaje de saturación/(Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)))
Voltaje de entrada Voltaje de señal dado
​ Vamos Voltaje del componente fundamental = (Resistencia de entrada finita/(Resistencia de entrada finita+Resistencia de la señal))*Pequeño voltaje de señal
Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación
​ Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje efectivo)^2
Parámetro de transconductancia del transistor MOS
​ Vamos Parámetro de transconductancia = Corriente de drenaje/((Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente)
Corriente de drenaje instantánea usando voltaje entre el drenaje y la fuente
​ Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente
Drenar la corriente del transistor
​ Vamos Corriente de drenaje = (Voltaje del componente fundamental+Voltaje total de drenaje instantáneo)/Resistencia al drenaje
Voltaje de drenaje instantáneo total
​ Vamos Voltaje total de drenaje instantáneo = Voltaje del componente fundamental-Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje
Voltaje de entrada en transistor
​ Vamos Voltaje del componente fundamental = Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje-Voltaje total de drenaje instantáneo
Transconductancia de amplificadores de transistores
​ Vamos Transconductancia primaria MOSFET = (2*Corriente de drenaje)/(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)
Señal de corriente en el emisor dada la señal de entrada
​ Vamos Corriente de señal en el emisor = Voltaje del componente fundamental/Resistencia del emisor
Resistencia de entrada del amplificador de colector común
​ Vamos Resistencia de entrada = Voltaje del componente fundamental/Corriente base
Entrada de amplificador de amplificador de transistores
​ Vamos Entrada del amplificador = Resistencia de entrada*Corriente de entrada
Resistencia de salida del circuito de puerta común dada la tensión de prueba
​ Vamos Resistencia de salida finita = Voltaje de prueba/Corriente de prueba
Transconductancia utilizando la corriente de colector del amplificador de transistores
​ Vamos Transconductancia primaria MOSFET = Colector actual/Voltaje umbral
Corriente de prueba del amplificador de transistores
​ Vamos Corriente de prueba = Voltaje de prueba/Resistencia de entrada
Resistencia de entrada del circuito de puerta común
​ Vamos Resistencia de entrada = Voltaje de prueba/Corriente de prueba
Ganancia de corriente CC del amplificador
​ Vamos DC ganancia de corriente = Colector actual/Corriente base

18 Acciones CV de amplificadores de etapa comunes Calculadoras

Voltaje de salida del transistor de fuente controlada
​ Vamos Componente CC de la puerta a la fuente de voltaje = (Ganancia de voltaje*Corriente eléctrica-Transconductancia de cortocircuito*Señal de salida diferencial)*(1/Resistencia final+1/Resistencia del devanado primario en secundario)
Resistencia de entrada del circuito de base común
​ Vamos Resistencia de entrada = (Resistencia del emisor*(Resistencia de salida finita+Resistencia de carga))/(Resistencia de salida finita+(Resistencia de carga/(Ganancia de corriente base del colector+1)))
Resistencia de salida en otro drenaje del transistor de fuente controlada
​ Vamos Resistencia al drenaje = Resistencia del devanado secundario en primario+2*Resistencia finita+2*Resistencia finita*Transconductancia primaria MOSFET*Resistencia del devanado secundario en primario
Resistencia de salida del amplificador CE degenerado por emisor
​ Vamos Resistencia al drenaje = Resistencia de salida finita+(Transconductancia primaria MOSFET*Resistencia de salida finita)*(1/Resistencia del emisor+1/Resistencia de entrada de señal pequeña)
Resistencia de entrada del amplificador de emisor común dada la resistencia de entrada de señal pequeña
​ Vamos Resistencia de entrada = (1/Resistencia básica+1/Resistencia básica 2+1/(Resistencia de entrada de señal pequeña+(Ganancia de corriente base del colector+1)*Resistencia del emisor))^-1
Resistencia de salida del amplificador CS con resistencia de fuente
​ Vamos Resistencia al drenaje = Resistencia de salida finita+Resistencia de la fuente+(Transconductancia primaria MOSFET*Resistencia de salida finita*Resistencia de la fuente)
Resistencia de entrada del amplificador de emisor común dada la resistencia del emisor
​ Vamos Resistencia de entrada = (1/Resistencia básica+1/Resistencia básica 2+1/((Resistencia total+Resistencia del emisor)*(Ganancia de corriente base del colector+1)))^-1
Corriente de drenaje instantánea usando voltaje entre el drenaje y la fuente
​ Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente
Transconductancia en amplificador de fuente común
​ Vamos Transconductancia primaria MOSFET = Frecuencia de ganancia unitaria*(Capacitancia de puerta a fuente+Puerta de capacitancia para drenar)
Resistencia de entrada del amplificador de emisor común
​ Vamos Resistencia de entrada = (1/Resistencia básica+1/Resistencia básica 2+1/Resistencia de entrada de señal pequeña)^-1
Impedancia de entrada del amplificador de base común
​ Vamos Impedancia de entrada = (1/Resistencia del emisor+1/Resistencia de entrada de señal pequeña)^(-1)
Señal de corriente en el emisor dada la señal de entrada
​ Vamos Corriente de señal en el emisor = Voltaje del componente fundamental/Resistencia del emisor
Resistencia de entrada del amplificador de colector común
​ Vamos Resistencia de entrada = Voltaje del componente fundamental/Corriente base
Voltaje fundamental en un amplificador de emisor común
​ Vamos Voltaje del componente fundamental = Resistencia de entrada*Corriente base
Transconductancia utilizando la corriente de colector del amplificador de transistores
​ Vamos Transconductancia primaria MOSFET = Colector actual/Voltaje umbral
Resistencia del emisor en amplificador de base común
​ Vamos Resistencia del emisor = Voltaje de entrada/Corriente del emisor
Corriente del emisor del amplificador de base común
​ Vamos Corriente del emisor = Voltaje de entrada/Resistencia del emisor
Voltaje de carga del amplificador CS
​ Vamos Voltaje de carga = Ganancia de voltaje*Voltaje de entrada

Transconductancia utilizando la corriente de colector del amplificador de transistores Fórmula

Transconductancia primaria MOSFET = Colector actual/Voltaje umbral
gmp = ic/Vt

¿Cuál es el uso de la transconductancia en MOSFET?

La transconductancia es una expresión del rendimiento de un transistor bipolar o transistor de efecto de campo (FET). En general, cuanto mayor es la cifra de transconductancia de un dispositivo, mayor es la ganancia (amplificación) que es capaz de entregar, cuando todos los demás factores se mantienen constantes.

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