Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor calcolatrice

✖La corrente di collettore è una corrente di uscita amplificata di un transistor a giunzione bipolare.ⓘ Corrente del collettore [i_c]			+10% -10%
✖La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.ⓘ Soglia di voltaggio [V_t]			+10% -10%

✖La transconduttanza primaria del MOSFET è la variazione nella corrente di drain divisa per la piccola variazione nella tensione di gate/source con una tensione di drain/source costante.ⓘ Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor [g_mp]

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Formula

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Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor

Formula

`"g"_{"mp"} = "i"_{"c"}/"V"_{"t"}`

Esempio

`"19.76mS"="39.52mA"/"2V"`

Calcolatrice

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Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Transconduttanza primaria MOSFET = Corrente del collettore/Soglia di voltaggio
g_mp = i_c/V_t
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Transconduttanza primaria MOSFET - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza primaria del MOSFET è la variazione nella corrente di drain divisa per la piccola variazione nella tensione di gate/source con una tensione di drain/source costante.
Corrente del collettore - (Misurato in Ampere) - La corrente di collettore è una corrente di uscita amplificata di un transistor a giunzione bipolare.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Corrente del collettore: 39.52 Millampere --> 0.03952 Ampere (Controlla la conversione qui)
Soglia di voltaggio: 2 Volt --> 2 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

g_mp = i_c/V_t --> 0.03952/2

Valutare ... ...

g_mp = 0.01976

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.01976 Siemens -->19.76 Millisiemens (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

19.76 Millisiemens <-- Transconduttanza primaria MOSFET

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Anshika Arya

Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

< 18 Caratteristiche dell'amplificatore a transistor Calcolatrici

Corrente che scorre attraverso il canale indotto nel transistor data la tensione di ossido

Partire Corrente di uscita = (Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio))*Tensione di saturazione tra Drain e Source

Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET

Partire Tensione effettiva = sqrt(2*Corrente di drenaggio di saturazione/(Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)))

Tensione di ingresso data tensione di segnale

Partire Tensione dei componenti fondamentali = (Resistenza di ingresso finita/(Resistenza di ingresso finita+Resistenza del segnale))*Piccola tensione di segnale

Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

Partire Corrente di drenaggio di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2

Parametro di transconduttanza del transistor MOS

Partire Parametro di transconduttanza = Assorbimento di corrente/((Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source)

Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source

Corrente di scarico del transistor

Partire Assorbimento di corrente = (Tensione dei componenti fondamentali+Tensione di drenaggio istantanea totale)/Resistenza allo scarico

Tensione di scarico totale istantanea

Partire Tensione di drenaggio istantanea totale = Tensione dei componenti fondamentali-Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente

Tensione di ingresso nel transistor

Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale

Transconduttanza degli amplificatori a transistor

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = (2*Assorbimento di corrente)/(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)

Segnale Corrente nell'emettitore dato il segnale di ingresso

Partire Corrente del segnale nell'emettitore = Tensione dei componenti fondamentali/Resistenza dell'emettitore

Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Corrente del collettore/Soglia di voltaggio

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a collettore comune

Partire Resistenza in ingresso = Tensione dei componenti fondamentali/Corrente di base

Ingresso amplificatore dell'amplificatore a transistor

Partire Ingresso dell'amplificatore = Resistenza in ingresso*Corrente in ingresso

Guadagno di corrente CC dell'amplificatore

Partire Guadagno di corrente CC = Corrente del collettore/Corrente di base

Resistenza di uscita del circuito di gate comune data la tensione di prova

Partire Resistenza di uscita finita = Prova di tensione/Prova corrente

Resistenza di ingresso del circuito di gate comune

Partire Resistenza in ingresso = Prova di tensione/Prova corrente

Prova la corrente dell'amplificatore a transistor

Partire Prova corrente = Prova di tensione/Resistenza in ingresso

< 18 Azioni CV degli amplificatori a stadio comune Calcolatrici

Tensione di uscita del transistor di origine controllata

Partire Componente CC della tensione da gate a sorgente = (Guadagno di tensione*Corrente elettrica-Transconduttanza di cortocircuito*Segnale di uscita differenziale)*(1/Resistenza finale+1/Resistenza dell'avvolgimento primario nel secondario)

Resistenza di ingresso del circuito a base comune

Partire Resistenza in ingresso = (Resistenza dell'emettitore*(Resistenza di uscita finita+Resistenza al carico))/(Resistenza di uscita finita+(Resistenza al carico/(Guadagno corrente base del collettore+1)))

Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata

Partire Resistenza allo scarico = Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario+2*Resistenza finita+2*Resistenza finita*Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario

Resistenza di uscita dell'amplificatore CE degenerato dall'emettitore

Partire Resistenza allo scarico = Resistenza di uscita finita+(Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza di uscita finita)*(1/Resistenza dell'emettitore+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a emettitore comune data la resistenza di ingresso a piccolo segnale

Partire Resistenza in ingresso = (1/Resistenza di base+1/Resistenza di base 2+1/(Resistenza di ingresso del segnale piccolo+(Guadagno corrente base del collettore+1)*Resistenza dell'emettitore))^-1

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a emettitore comune data la resistenza dell'emettitore

Partire Resistenza in ingresso = (1/Resistenza di base+1/Resistenza di base 2+1/((Resistenza totale+Resistenza dell'emettitore)*(Guadagno corrente base del collettore+1)))^-1

Resistenza di uscita dell'amplificatore CS con resistenza alla sorgente

Partire Resistenza allo scarico = Resistenza di uscita finita+Resistenza alla fonte+(Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza di uscita finita*Resistenza alla fonte)

Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source

Transconduttanza nell'amplificatore a sorgente comune

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Frequenza di guadagno unitario*(Capacità dal gate alla sorgente+Porta di capacità per lo scarico)

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a emettitore comune

Partire Resistenza in ingresso = (1/Resistenza di base+1/Resistenza di base 2+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^-1

Impedenza di ingresso dell'amplificatore a base comune

Partire Impedenza di ingresso = (1/Resistenza dell'emettitore+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^(-1)

Segnale Corrente nell'emettitore dato il segnale di ingresso

Partire Corrente del segnale nell'emettitore = Tensione dei componenti fondamentali/Resistenza dell'emettitore

Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Corrente del collettore/Soglia di voltaggio

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a collettore comune

Partire Resistenza in ingresso = Tensione dei componenti fondamentali/Corrente di base

Tensione fondamentale nell'amplificatore a emettitore comune

Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza in ingresso*Corrente di base

Resistenza dell'emettitore nell'amplificatore a base comune

Partire Resistenza dell'emettitore = Tensione di ingresso/Corrente dell'emettitore

Corrente di emettitore dell'amplificatore a base comune

Partire Corrente dell'emettitore = Tensione di ingresso/Resistenza dell'emettitore

Tensione di carico dell'amplificatore CS

Partire Tensione di carico = Guadagno di tensione*Tensione di ingresso

Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor Formula

Transconduttanza primaria MOSFET = Corrente del collettore/Soglia di voltaggio
g_mp = i_c/V_t

Qual è l'uso della transconduttanza nei MOSFET?

La transconduttanza è un'espressione delle prestazioni di un transistor bipolare o transistor ad effetto di campo (FET). In generale, maggiore è il valore di transconduttanza per un dispositivo, maggiore è il guadagno (amplificazione) che è in grado di fornire, quando tutti gli altri fattori sono mantenuti costanti.

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