Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Transconduttanza primaria MOSFET = Corrente del collettore/Soglia di voltaggio
gmp = ic/Vt
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Transconduttanza primaria MOSFET - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza primaria del MOSFET è la variazione nella corrente di drain divisa per la piccola variazione nella tensione di gate/source con una tensione di drain/source costante.
Corrente del collettore - (Misurato in Ampere) - La corrente di collettore è una corrente di uscita amplificata di un transistor a giunzione bipolare.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Corrente del collettore: 39.52 Millampere --> 0.03952 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
Soglia di voltaggio: 2 Volt --> 2 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
gmp = ic/Vt --> 0.03952/2
Valutare ... ...
gmp = 0.01976
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.01976 Siemens -->19.76 Millisiemens (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
19.76 Millisiemens <-- Transconduttanza primaria MOSFET
(Calcolo completato in 00.007 secondi)

Titoli di coda

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Creato da Payal Priya LinkedIn Logo
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
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Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur
Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

Caratteristiche dell'amplificatore a transistor Calcolatrici

Corrente che scorre attraverso il canale indotto nel transistor data la tensione di ossido
​ LaTeX ​ Partire Corrente di uscita = (Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio))*Tensione di saturazione tra Drain e Source
Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione
​ LaTeX ​ Partire Corrente di drenaggio di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2
Tensione di scarico totale istantanea
​ LaTeX ​ Partire Tensione di drenaggio istantanea totale = Tensione dei componenti fondamentali-Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente
Tensione di ingresso nel transistor
​ LaTeX ​ Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale

Azioni CV degli amplificatori a stadio comune Calcolatrici

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a emettitore comune
​ LaTeX ​ Partire Resistenza in ingresso = (1/Resistenza di base+1/Resistenza di base 2+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^-1
Impedenza di ingresso dell'amplificatore a base comune
​ LaTeX ​ Partire Impedenza di ingresso = (1/Resistenza dell'emettitore+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^(-1)
Tensione fondamentale nell'amplificatore a emettitore comune
​ LaTeX ​ Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza in ingresso*Corrente di base
Corrente di emettitore dell'amplificatore a base comune
​ LaTeX ​ Partire Corrente dell'emettitore = Tensione di ingresso/Resistenza dell'emettitore

Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor Formula

​LaTeX ​Partire
Transconduttanza primaria MOSFET = Corrente del collettore/Soglia di voltaggio
gmp = ic/Vt

Qual è l'uso della transconduttanza nei MOSFET?

La transconduttanza è un'espressione delle prestazioni di un transistor bipolare o transistor ad effetto di campo (FET). In generale, maggiore è il valore di transconduttanza per un dispositivo, maggiore è il guadagno (amplificazione) che è in grado di fornire, quando tutti gli altri fattori sono mantenuti costanti.

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