Zone de cellule mémoire Calculatrice

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Sous-système de chemin de données de tableau

Caractéristiques de conception CMOS

Caractéristiques des circuits CMOS

Caractéristiques du retard CMOS

Caractéristiques temporelles CMOS

Mesures de puissance CMOS

Onduleurs CMOS

Sous-système CMOS à usage spécial

✖L'efficacité du tableau est définie comme la taille de la cellule binaire divisée par l'ACPB. Afin de normaliser cette métrique, indépendamment du nœud technologique.ⓘ Efficacité de la baie [E]			+10% -10%
✖La zone de cellule mémoire est définie comme la zone totale occupée par le nombre N de bits de mémoire.ⓘ Zone de cellule mémoire [A]			+10% -10%
✖La fréquence absolue est le nombre d'occurrences d'un point de données particulier dans un ensemble de données. Il représente le nombre réel de fois où une valeur spécifique apparaît dans les données.ⓘ Fréquence absolue [f_abs]			+10% -10%

✖La zone d’une cellule mémoire One Bit est définie comme la cellule mémoire, qui est un circuit électronique qui stocke un bit d’informations binaires. Il doit être configuré pour stocker un 1 logique et réinitialisé pour stocker un 0 logique.ⓘ Zone de cellule mémoire [A_bit]

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Formule

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Zone de cellule mémoire

Formule

`"A"_{"bit"} = ("E"*"A")/"f"_{"abs"}`

Exemple

`"47.71976mm²"=("0.88"*"542.27mm²")/"10Hz"`

Calculatrice

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Zone de cellule mémoire Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Zone d'une cellule mémoire d'un bit = (Efficacité de la baie*Zone de cellule mémoire)/Fréquence absolue
A_bit = (E*A)/f_abs
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Zone d'une cellule mémoire d'un bit - (Mesuré en Mètre carré) - La zone d’une cellule mémoire One Bit est définie comme la cellule mémoire, qui est un circuit électronique qui stocke un bit d’informations binaires. Il doit être configuré pour stocker un 1 logique et réinitialisé pour stocker un 0 logique.
Efficacité de la baie - L'efficacité du tableau est définie comme la taille de la cellule binaire divisée par l'ACPB. Afin de normaliser cette métrique, indépendamment du nœud technologique.
Zone de cellule mémoire - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de cellule mémoire est définie comme la zone totale occupée par le nombre N de bits de mémoire.
Fréquence absolue - (Mesuré en Hertz) - La fréquence absolue est le nombre d'occurrences d'un point de données particulier dans un ensemble de données. Il représente le nombre réel de fois où une valeur spécifique apparaît dans les données.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Efficacité de la baie: 0.88 --> Aucune conversion requise
Zone de cellule mémoire: 542.27 Millimètre carré --> 0.00054227 Mètre carré (Vérifiez la conversion ici)
Fréquence absolue: 10 Hertz --> 10 Hertz Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

A_bit = (E*A)/f_abs --> (0.88*0.00054227)/10

Évaluer ... ...

A_bit = 4.771976E-05

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

4.771976E-05 Mètre carré -->47.71976 Millimètre carré (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

47.71976 Millimètre carré <-- Zone d'une cellule mémoire d'un bit

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 19 Sous-système de chemin de données de tableau Calculatrices

Retard du multiplexeur

Aller Retard du multiplexeur = (Délai de l'additionneur de saut de retenue-(Délai de propagation+(2*(Porte ET à entrée N-1)*Délai de porte ET-OU)-Délai XOR))/(Entrée K ET Porte-1)

Délai d'additionneur de report

Aller Délai de l'additionneur de saut de retenue = Délai de propagation+2*(Porte ET à entrée N-1)*Délai de porte ET-OU+(Entrée K ET Porte-1)*Retard du multiplexeur+Délai XOR

Délai d'additionneur de portage

Aller Délai d'additionneur de portage = Délai de propagation+Délai de propagation du groupe+((Porte ET à entrée N-1)+(Entrée K ET Porte-1))*Délai de porte ET-OU+Délai XOR

Délai d'additionneur d'augmentation de report

Aller Délai de l'additionneur d'incrément de report = Délai de propagation+Délai de propagation du groupe+(Entrée K ET Porte-1)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR

Retard critique dans les portes

Aller Retard critique dans les portes = Délai de propagation+(Porte ET à entrée N+(Entrée K ET Porte-2))*Délai de porte ET-OU+Retard du multiplexeur

Délai de propagation de groupe

Aller Délai de propagation = Délai de l'additionneur d'arbre-(log2(Fréquence absolue)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR)

Délai d'additionneur d'arbre

Aller Délai de l'additionneur d'arbre = Délai de propagation+log2(Fréquence absolue)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR

Capacité de cellule

Aller Capacité cellulaire = (Capacité des bits*2*Variation de tension sur Bitline)/(Tension positive-(Variation de tension sur Bitline*2))

Capacité de bit

Aller Capacité des bits = ((Tension positive*Capacité cellulaire)/(2*Variation de tension sur Bitline))-Capacité cellulaire

Variation de tension sur Bitline

Aller Variation de tension sur Bitline = (Tension positive/2)*Capacité cellulaire/(Capacité cellulaire+Capacité des bits)

Délai « XOR »

Aller Délai XOR = Temps d'ondulation-(Délai de propagation+(Portes sur le chemin critique-1)*Délai de porte ET-OU)

Retard du chemin critique de l'additionneur de report d'ondulation

Aller Temps d'ondulation = Délai de propagation+(Portes sur le chemin critique-1)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR

Capacité au sol

Aller Capacité au sol = ((Tension de l'agresseur*Capacité adjacente)/Tension de la victime)-Capacité adjacente

Zone de mémoire contenant N bits

Aller Zone de cellule mémoire = (Zone d'une cellule mémoire d'un bit*Fréquence absolue)/Efficacité de la baie

Zone de cellule mémoire

Aller Zone d'une cellule mémoire d'un bit = (Efficacité de la baie*Zone de cellule mémoire)/Fréquence absolue

Efficacité de la baie

Aller Efficacité de la baie = (Zone d'une cellule mémoire d'un bit*Fréquence absolue)/Zone de cellule mémoire

N-Bit Carry-Skip Adder

Aller Additionneur de sauts de transport N-bits = Porte ET à entrée N*Entrée K ET Porte

Porte 'Et' d'entrée K

Aller Entrée K ET Porte = Additionneur de sauts de transport N-bits/Porte ET à entrée N

Porte 'Et' d'entrée N

Aller Porte ET à entrée N = Additionneur de sauts de transport N-bits/Entrée K ET Porte

Zone de cellule mémoire Formule

Zone d'une cellule mémoire d'un bit = (Efficacité de la baie*Zone de cellule mémoire)/Fréquence absolue
A_bit = (E*A)/f_abs

Quelle est la signification de ras et cas dans la SDRAM?

La SDRAM reçoit sa commande d'adresse en deux mots d'adresse et utilise un schéma de multiplexage pour enregistrer les broches d'entrée. Le premier mot d'adresse est verrouillé dans la puce DRAM avec le stroboscope d'adresse de ligne (RAS) .Après la commande RAS, il y a le stroboscope d'adresse de colonne (CAS) pour verrouiller le deuxième mot d'adresse. valable pour la lecture.

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