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Caractéristiques de conception CMOS
Formules : 24   Taille : 398 kb
Caractéristiques des circuits CMOS
Formules : 15   Taille : 358 kb
Caractéristiques du retard CMOS
Formules : 13   Taille : 320 kb
Caractéristiques temporelles CMOS
Formules : 17   Taille : 320 kb
Mesures de puissance CMOS
Formules : 17   Taille : 372 kb
Sous-système CMOS à usage spécial
Formules : 20   Taille : 348 kb

Contenu du PDF Sous-système de chemin de données de tableau

Liste des 19 Sous-système de chemin de données de tableau Formules

Capacité au sol
Capacité de bit
Capacité de cellule
Délai « XOR »
Délai d'additionneur d'arbre
Délai d'additionneur d'augmentation de report
Délai d'additionneur de portage
Délai d'additionneur de report
Délai de propagation de groupe
Efficacité de la baie
N-Bit Carry-Skip Adder
Porte 'Et' d'entrée K
Porte 'Et' d'entrée N
Retard critique dans les portes
Retard du chemin critique de l'additionneur de report d'ondulation
Retard du multiplexeur
Variation de tension sur Bitline
Zone de cellule mémoire
Zone de mémoire contenant N bits

Variables utilisées dans le PDF Sous-système de chemin de données de tableau

  1. A Zone de cellule mémoire (Millimètre carré)
  2. Abit Zone d'une cellule mémoire d'un bit (Millimètre carré)
  3. Cadj Capacité adjacente (picofarad)
  4. Cbit Capacité des bits (picofarad)
  5. Ccell Capacité cellulaire (picofarad)
  6. Cgnd Capacité au sol (picofarad)
  7. E Efficacité de la baie
  8. fabs Fréquence absolue (Hertz)
  9. K Entrée K ET Porte
  10. n Porte ET à entrée N
  11. Ncarry Additionneur de sauts de transport N-bits
  12. Ngates Portes sur le chemin critique
  13. Tao Délai de porte ET-OU (Nanoseconde)
  14. tcla Délai d'additionneur de portage (Nanoseconde)
  15. Tgd Retard critique dans les portes (Nanoseconde)
  16. tgp Délai de propagation du groupe (Nanoseconde)
  17. Tinc Délai de l'additionneur d'incrément de report (Nanoseconde)
  18. tmux Retard du multiplexeur (Nanoseconde)
  19. tpg Délai de propagation (Nanoseconde)
  20. Tripple Temps d'ondulation (Nanoseconde)
  21. Tskip Délai de l'additionneur de saut de retenue (Nanoseconde)
  22. ttree Délai de l'additionneur d'arbre (Nanoseconde)
  23. Txor Délai XOR (Nanoseconde)
  24. Vagr Tension de l'agresseur (Volt)
  25. Vdd Tension positive (Volt)
  26. Vtm Tension de la victime (Volt)
  27. ΔV Variation de tension sur Bitline (Volt)

Constantes, fonctions et mesures utilisées dans le PDF Sous-système de chemin de données de tableau

  1. Fonction: log2, log2(Number)
    Le logarithme binaire (ou log base 2) est la puissance à laquelle il faut élever le nombre 2 pour obtenir la valeur n.
  2. La mesure: Temps in Nanoseconde (ns)
    Temps Conversion d'unité
  3. La mesure: Zone in Millimètre carré (mm²)
    Zone Conversion d'unité
  4. La mesure: Fréquence in Hertz (Hz)
    Fréquence Conversion d'unité
  5. La mesure: Capacitance in picofarad (pF)
    Capacitance Conversion d'unité
  6. La mesure: Potentiel électrique in Volt (V)
    Potentiel électrique Conversion d'unité

Sous-système de chemin de données de tableau gratuit PDF

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