Coefficient d'effet corporel Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))
γ = modulus((Vt-Vt0)/(sqrt(Φs+(Vsb))-sqrt(Φs)))
Cette formule utilise 2 Les fonctions, 5 Variables
Fonctions utilisées
sqrt - स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते., sqrt(Number)
modulus - जेव्हा ती संख्या दुसऱ्या संख्येने भागली जाते तेव्हा संख्येचे मापांक उरते., modulus
Variables utilisées
Coefficient d'effet corporel - Le coefficient d'effet corporel est l'influence de la tension source-volume dans le courant en raison du changement de la tension de seuil.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale requise pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.
Tension de seuil DIBL - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil dibl est définie comme la tension minimale requise par la jonction source du potentiel corporel, lorsque la source est au potentiel corporel.
Potentiel des surfaces - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de surface est un paramètre clé dans l’évaluation de la propriété DC des transistors à couches minces.
Différence potentielle du corps source - (Mesuré en Volt) - La différence de potentiel du corps source est calculée lorsqu'un potentiel appliqué de manière externe est égal à la somme de la chute de tension aux bornes de la couche d'oxyde et de la chute de tension aux bornes du semi-conducteur.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Tension de seuil: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil DIBL: 0.59 Volt --> 0.59 Volt Aucune conversion requise
Potentiel des surfaces: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Aucune conversion requise
Différence potentielle du corps source: 1.36 Volt --> 1.36 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
γ = modulus((Vt-Vt0)/(sqrt(Φs+(Vsb))-sqrt(Φs))) --> modulus((0.3-0.59)/(sqrt(6.86+(1.36))-sqrt(6.86)))
Évaluer ... ...
γ = 1.16985454290539
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
1.16985454290539 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
1.16985454290539 1.169855 <-- Coefficient d'effet corporel
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

25 Optimisation des matériaux VLSI Calculatrices

Densité de charge de la région d'épuisement en vrac VLSI
Aller Densité de charge de la région d'épuisement global = -(1-((Étendue latérale de la région d'épuisement avec source+Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain)/(2*Longueur du canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentration d'accepteur*abs(2*Potentiel des surfaces))
Coefficient d'effet corporel
Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))
Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI
Aller Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tension intégrée de jonction)/([Charge-e]*Concentration d'accepteur))
Jonction Tension intégrée VLSI
Aller Tension intégrée de jonction = ([BoltZ]*Température/[Charge-e])*ln(Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs/(Concentration intrinsèque)^2)
Capacité parasitaire totale de la source
Aller Capacité parasite de la source = (Capacité entre la jonction du corps et la source*Zone de diffusion de la source)+(Capacité entre la jonction du corps et la paroi latérale*Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source)
Courant de saturation des canaux courts VLSI
Aller Courant de saturation des canaux courts = Largeur de canal*Vitesse de dérive des électrons de saturation*Capacité d'oxyde par unité de surface*Tension de source de drain de saturation
Courant de jonction
Aller Courant de jonction = (Puissance statique/Tension du collecteur de base)-(Courant sous-seuil+Conflit actuel+Courant de porte)
Potentiel de surface
Aller Potentiel des surfaces = 2*Différence potentielle du corps source*ln(Concentration d'accepteur/Concentration intrinsèque)
Longueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte
Aller Longueur de la porte = Capacité de porte/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Largeur du portail)
Capacité d'oxyde de porte
Aller Capacité de la couche d'oxyde de grille = Capacité de porte/(Largeur du portail*Longueur de la porte)
Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps
Aller Tension de seuil DIBL = Coefficient DIBL*Potentiel de drainage vers la source+Tension de seuil
Coefficient DIBL
Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source
Pente sous-seuil
Aller Pente sous-seuil = Différence potentielle du corps source*Coefficient DIBL*ln(10)
Capacité de porte
Aller Capacité de porte = Frais de canal/(Tension porte à canal-Tension de seuil)
Tension de seuil
Aller Tension de seuil = Tension porte à canal-(Frais de canal/Capacité de porte)
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète = Capacité d'oxyde par unité de surface*Facteur d'échelle
Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller Épaisseur d'oxyde de porte après mise à l'échelle complète = Épaisseur d'oxyde de porte/Facteur d'échelle
Charge de canal
Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)
Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète = Profondeur de jonction/Facteur d'échelle
Tension critique
Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal
Longueur du canal après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller Longueur du canal après mise à l'échelle complète = Longueur du canal/Facteur d'échelle
Capacité de porte intrinsèque
Aller Capacité de chevauchement de porte MOS = Capacité de la porte MOS*Largeur de transition
Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller Largeur du canal après mise à l'échelle complète = Largeur de canal/Facteur d'échelle
Mobilité à Mosfet
Aller Mobilité dans MOSFET = K Premier/Capacité de la couche d'oxyde de grille
K-Prime
Aller K Premier = Mobilité dans MOSFET*Capacité de la couche d'oxyde de grille

Coefficient d'effet corporel Formule

Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))
γ = modulus((Vt-Vt0)/(sqrt(Φs+(Vsb))-sqrt(Φs)))

Comment le corps, la quatrième borne d'un transistor, affecte la tension de seuil ?

Le corps est une quatrième borne implicite d’un transistor. Lorsqu'une tension est appliquée entre la source et le corps, elle augmente la quantité de charge nécessaire pour inverser le canal, ce qui augmente donc la tension de seuil. L'effet de corps dégrade encore les performances des transistors qui tentent de passer la valeur faible.

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