Tension critique Calculatrice

↳

Électronique

Civil

Électrique

Electronique et instrumentation

Ingénieur chimiste

La science des matériaux

L'ingénierie de production

Mécanique

⤿

Optimisation des matériaux VLSI

Conception VLSI analogique

✖Le champ électrique critique est défini comme la force électrique par unité de charge.ⓘ Champ électrique critique [E_x]			+10% -10%
✖Champ électrique sur la longueur du canal est le champ électrique produit dans le canal pendant le processus.ⓘ Champ électrique sur toute la longueur du canal [E_ch]			+10% -10%

✖La tension critique est la phase minimale par rapport à la tension neutre qui brille et apparaît tout au long du conducteur de ligne.ⓘ Tension critique [V_x]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Tension critique

Formule

`"V"_{"x"} = "E"_{"x"}*"E"_{"ch"}`

Exemple

`"28V"="0.004V/mm"*"7e-3V/mm"`

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Électronique Formule PDF

Tension critique Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal
V_x = E_x*E_ch
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Tension critique - (Mesuré en Volt) - La tension critique est la phase minimale par rapport à la tension neutre qui brille et apparaît tout au long du conducteur de ligne.
Champ électrique critique - (Mesuré en Volt par mètre) - Le champ électrique critique est défini comme la force électrique par unité de charge.
Champ électrique sur toute la longueur du canal - (Mesuré en Volt par mètre) - Champ électrique sur la longueur du canal est le champ électrique produit dans le canal pendant le processus.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Champ électrique critique: 0.004 Volt par millimètre --> 4 Volt par mètre (Vérifiez la conversion ici)
Champ électrique sur toute la longueur du canal: 0.007 Volt par millimètre --> 7 Volt par mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_x = E_x*E_ch --> 4*7

Évaluer ... ...

V_x = 28

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

28 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

28 Volt <-- Tension critique

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Fabrication VLSI » Optimisation des matériaux VLSI » Tension critique

Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 25 Optimisation des matériaux VLSI Calculatrices

Densité de charge de la région d'épuisement en vrac VLSI

Aller Densité de charge de la région d'épuisement global = -(1-((Étendue latérale de la région d'épuisement avec source+Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain)/(2*Longueur du canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentration d'accepteur*abs(2*Potentiel des surfaces))

Coefficient d'effet corporel

Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))

Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI

Aller Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tension intégrée de jonction)/([Charge-e]*Concentration d'accepteur))

Jonction Tension intégrée VLSI

Aller Tension intégrée de jonction = ([BoltZ]*Température/[Charge-e])*ln(Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs/(Concentration intrinsèque)^2)

Capacité parasitaire totale de la source

Aller Capacité parasite de la source = (Capacité entre la jonction du corps et la source*Zone de diffusion de la source)+(Capacité entre la jonction du corps et la paroi latérale*Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source)

Courant de saturation des canaux courts VLSI

Aller Courant de saturation des canaux courts = Largeur de canal*Vitesse de dérive des électrons de saturation*Capacité d'oxyde par unité de surface*Tension de source de drain de saturation

Courant de jonction

Aller Courant de jonction = (Puissance statique/Tension du collecteur de base)-(Courant sous-seuil+Conflit actuel+Courant de porte)

Potentiel de surface

Aller Potentiel des surfaces = 2*Différence potentielle du corps source*ln(Concentration d'accepteur/Concentration intrinsèque)

Longueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte

Aller Longueur de la porte = Capacité de porte/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Largeur du portail)

Capacité d'oxyde de porte

Aller Capacité de la couche d'oxyde de grille = Capacité de porte/(Largeur du portail*Longueur de la porte)

Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps

Aller Tension de seuil DIBL = Coefficient DIBL*Potentiel de drainage vers la source+Tension de seuil

Coefficient DIBL

Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source

Pente sous-seuil

Aller Pente sous-seuil = Différence potentielle du corps source*Coefficient DIBL*ln(10)

Capacité de porte

Aller Capacité de porte = Frais de canal/(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Tension de seuil

Aller Tension de seuil = Tension porte à canal-(Frais de canal/Capacité de porte)

Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète = Capacité d'oxyde par unité de surface*Facteur d'échelle

Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Épaisseur d'oxyde de porte après mise à l'échelle complète = Épaisseur d'oxyde de porte/Facteur d'échelle

Charge de canal

Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète = Profondeur de jonction/Facteur d'échelle

Tension critique

Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Longueur du canal après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Longueur du canal après mise à l'échelle complète = Longueur du canal/Facteur d'échelle

Capacité de porte intrinsèque

Aller Capacité de chevauchement de porte MOS = Capacité de la porte MOS*Largeur de transition

Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Largeur du canal après mise à l'échelle complète = Largeur de canal/Facteur d'échelle

Mobilité à Mosfet

Aller Mobilité dans MOSFET = K Premier/Capacité de la couche d'oxyde de grille

K-Prime

Aller K Premier = Mobilité dans MOSFET*Capacité de la couche d'oxyde de grille

Tension critique Formule

Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal
V_x = E_x*E_ch

Qu'est-ce que la dégradation de la mobilité ?

Une haute tension à la grille du transistor attire les porteurs vers le bord du canal, provoquant des collisions avec l'interface oxyde qui ralentissent les porteurs. C'est ce qu'on appelle la dégradation de la mobilité.

Qu'est-ce que la saturation de vitesse ?

Les porteurs approchent une vitesse maximale vsat lorsque des champs élevés sont appliqués. Ce phénomène est appelé saturation de vitesse.

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!