Capacité au sol Calculatrice

↳

Électronique

Civil

Électrique

Electronique et instrumentation

Ingénieur chimiste

La science des matériaux

L'ingénierie de production

Mécanique

⤿

Sous-système de chemin de données de tableau

Caractéristiques de conception CMOS

Caractéristiques des circuits CMOS

Caractéristiques du retard CMOS

Caractéristiques temporelles CMOS

Mesures de puissance CMOS

Onduleurs CMOS

Sous-système CMOS à usage spécial

✖La tension d'agresseur fait référence à la tension évitée dans un circuit CMOS, qui est généralement une petite tension positive ajoutée au signal d'entrée pour éviter un déclenchement indésirable du circuit.ⓘ Tension de l'agresseur [V_agr]			+10% -10%
✖La capacité adjacente est la capacité au point adjacent.ⓘ Capacité adjacente [C_adj]			+10% -10%
✖La tension de la victime est calculée lorsque la victime est activement conduite, le conducteur fournira alors du courant pour s'opposer afin de réduire le bruit de la victime.ⓘ Tension de la victime [V_tm]			+10% -10%

✖La capacité de terre est la capacité à la masse du circuit CMOS.ⓘ Capacité au sol [C_gnd]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Capacité au sol

Formule

`"C"_{"gnd"} = (("V"_{"agr"}*"C"_{"adj"})/"V"_{"tm"})-"C"_{"adj"}`

Exemple

`"2.980392pF"=(("17.5V"*"8pF")/"12.75V")-"8pF"`

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Sous-système de chemin de données de tableau Formules PDF

Capacité au sol Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité au sol = ((Tension de l'agresseur*Capacité adjacente)/Tension de la victime)-Capacité adjacente
C_gnd = ((V_agr*C_adj)/V_tm)-C_adj
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Capacité au sol - (Mesuré en Farad) - La capacité de terre est la capacité à la masse du circuit CMOS.
Tension de l'agresseur - (Mesuré en Volt) - La tension d'agresseur fait référence à la tension évitée dans un circuit CMOS, qui est généralement une petite tension positive ajoutée au signal d'entrée pour éviter un déclenchement indésirable du circuit.
Capacité adjacente - (Mesuré en Farad) - La capacité adjacente est la capacité au point adjacent.
Tension de la victime - (Mesuré en Volt) - La tension de la victime est calculée lorsque la victime est activement conduite, le conducteur fournira alors du courant pour s'opposer afin de réduire le bruit de la victime.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de l'agresseur: 17.5 Volt --> 17.5 Volt Aucune conversion requise
Capacité adjacente: 8 picofarad --> 8E-12 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Tension de la victime: 12.75 Volt --> 12.75 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_gnd = ((V_agr*C_adj)/V_tm)-C_adj --> ((17.5*8E-12)/12.75)-8E-12

Évaluer ... ...

C_gnd = 2.98039215686275E-12

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

2.98039215686275E-12 Farad -->2.98039215686275 picofarad (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

2.98039215686275 ≈ 2.980392 picofarad <-- Capacité au sol

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Conception et applications CMOS » Sous-système de chemin de données de tableau » Capacité au sol

Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 19 Sous-système de chemin de données de tableau Calculatrices

Retard du multiplexeur

Aller Retard du multiplexeur = (Délai de l'additionneur de saut de retenue-(Délai de propagation+(2*(Porte ET à entrée N-1)*Délai de porte ET-OU)-Délai XOR))/(Entrée K ET Porte-1)

Délai d'additionneur de report

Aller Délai de l'additionneur de saut de retenue = Délai de propagation+2*(Porte ET à entrée N-1)*Délai de porte ET-OU+(Entrée K ET Porte-1)*Retard du multiplexeur+Délai XOR

Délai d'additionneur de portage

Aller Délai d'additionneur de portage = Délai de propagation+Délai de propagation du groupe+((Porte ET à entrée N-1)+(Entrée K ET Porte-1))*Délai de porte ET-OU+Délai XOR

Délai d'additionneur d'augmentation de report

Aller Délai de l'additionneur d'incrément de report = Délai de propagation+Délai de propagation du groupe+(Entrée K ET Porte-1)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR

Retard critique dans les portes

Aller Retard critique dans les portes = Délai de propagation+(Porte ET à entrée N+(Entrée K ET Porte-2))*Délai de porte ET-OU+Retard du multiplexeur

Délai de propagation de groupe

Aller Délai de propagation = Délai de l'additionneur d'arbre-(log2(Fréquence absolue)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR)

Délai d'additionneur d'arbre

Aller Délai de l'additionneur d'arbre = Délai de propagation+log2(Fréquence absolue)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR

Capacité de cellule

Aller Capacité cellulaire = (Capacité des bits*2*Variation de tension sur Bitline)/(Tension positive-(Variation de tension sur Bitline*2))

Capacité de bit

Aller Capacité des bits = ((Tension positive*Capacité cellulaire)/(2*Variation de tension sur Bitline))-Capacité cellulaire

Variation de tension sur Bitline

Aller Variation de tension sur Bitline = (Tension positive/2)*Capacité cellulaire/(Capacité cellulaire+Capacité des bits)

Délai « XOR »

Aller Délai XOR = Temps d'ondulation-(Délai de propagation+(Portes sur le chemin critique-1)*Délai de porte ET-OU)

Retard du chemin critique de l'additionneur de report d'ondulation

Aller Temps d'ondulation = Délai de propagation+(Portes sur le chemin critique-1)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR

Capacité au sol

Aller Capacité au sol = ((Tension de l'agresseur*Capacité adjacente)/Tension de la victime)-Capacité adjacente

Zone de mémoire contenant N bits

Aller Zone de cellule mémoire = (Zone d'une cellule mémoire d'un bit*Fréquence absolue)/Efficacité de la baie

Zone de cellule mémoire

Aller Zone d'une cellule mémoire d'un bit = (Efficacité de la baie*Zone de cellule mémoire)/Fréquence absolue

Efficacité de la baie

Aller Efficacité de la baie = (Zone d'une cellule mémoire d'un bit*Fréquence absolue)/Zone de cellule mémoire

N-Bit Carry-Skip Adder

Aller Additionneur de sauts de transport N-bits = Porte ET à entrée N*Entrée K ET Porte

Porte 'Et' d'entrée K

Aller Entrée K ET Porte = Additionneur de sauts de transport N-bits/Porte ET à entrée N

Porte 'Et' d'entrée N

Aller Porte ET à entrée N = Additionneur de sauts de transport N-bits/Entrée K ET Porte

Capacité au sol Formule

Capacité au sol = ((Tension de l'agresseur*Capacité adjacente)/Tension de la victime)-Capacité adjacente
C_gnd = ((V_agr*C_adj)/V_tm)-C_adj

Comment le bruit varie-t-il selon la victime et l'agresseur ?

Supposons que le fil A commute alors que B est censé rester constant. Cela introduit du bruit lorsque B commute partiellement. Nous appelons A l'agresseur ou l'auteur et B la victime(t). Lorsque la victime flotte, le bruit persiste indéfiniment. Lorsque la victime est conduite, le conducteur la récupère. Des pilotes plus gros (plus rapides) s'opposent au couplage plus tôt et entraînent un bruit représentant un pourcentage plus faible de la tension d'alimentation. Notez que lors de l'événement de bruit, le transistor victime est dans sa région linéaire tandis que l'agresseur est en saturation. Pour des pilotes de taille égale, cela signifie que Raggressor est deux à quatre fois Rvictim, avec des ratios plus élevés résultant d'une plus grande saturation de vitesse.

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!