Courant du collecteur étant donné la tension base-émetteur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Courant collecteur dans les BJT = Taux de transfert actuel*Courant de saturation*(exp(([Charge-e]*Tension de l'émetteur de base)/([BoltZ]*Impureté de température)-1))
Icc = α*Isat*(exp(([Charge-e]*VBE)/([BoltZ]*to)-1))
Cette formule utilise 2 Constantes, 1 Les fonctions, 5 Variables
Constantes utilisées
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valeur prise comme 1.38064852E-23
Fonctions utilisées
exp - Dans une fonction exponentielle, la valeur de la fonction change d'un facteur constant pour chaque changement d'unité dans la variable indépendante., exp(Number)
Variables utilisées
Courant collecteur dans les BJT - (Mesuré en Ampère) - Le courant de collecteur dans les BJT est le courant circulant à travers la borne de collecteur du transistor. C'est un paramètre fondamental qui caractérise son comportement et ses performances.
Taux de transfert actuel - Le rapport de transfert de courant fait référence au rapport entre le courant du collecteur et le courant de base. Ce rapport est un paramètre crucial pour comprendre la capacité d’amplification d’un BJT.
Courant de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de saturation fait référence au courant maximum qui peut traverser le transistor lorsqu'il est complètement activé.
Tension de l'émetteur de base - (Mesuré en Volt) - La tension de l'émetteur de base fait référence à la chute de tension entre les bornes de base et d'émetteur du transistor lorsqu'il est en mode actif.
Impureté de température - (Mesuré en Kelvin) - Impureté de température, un indice de base représentant la température moyenne de l'air sur différentes échelles de temps.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Taux de transfert actuel: 0.2 --> Aucune conversion requise
Courant de saturation: 2.015 Ampère --> 2.015 Ampère Aucune conversion requise
Tension de l'émetteur de base: 0.9 Microvolt --> 9E-07 Volt (Vérifiez la conversion ​ici)
Impureté de température: 20 Kelvin --> 20 Kelvin Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Icc = α*Isat*(exp(([Charge-e]*VBE)/([BoltZ]*to)-1)) --> 0.2*2.015*(exp(([Charge-e]*9E-07)/([BoltZ]*20)-1))
Évaluer ... ...
Icc = 0.148332854505356
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.148332854505356 Ampère --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.148332854505356 0.148333 Ampère <-- Courant collecteur dans les BJT
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

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Créé par banuprakash
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
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Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
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10+ Courant de collecteur Calculatrices

Courant du collecteur étant donné la tension base-émetteur
​ Aller Courant collecteur dans les BJT = Taux de transfert actuel*Courant de saturation*(exp(([Charge-e]*Tension de l'émetteur de base)/([BoltZ]*Impureté de température)-1))
Courant de collecteur lorsque le courant de saturation est dû à la tension continue
​ Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)-Courant de saturation pour CC*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)
Courant de collecteur utilisant la tension précoce pour le transistor NPN
​ Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)*(1+Tension collecteur-émetteur/Tension d'alimentation)
Courant de collecteur donné tension précoce pour le transistor PNP
​ Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(-Tension base-émetteur/Tension thermique)*(1+Tension collecteur-émetteur/Tension d'alimentation)
Courant de collecteur utilisant le courant de saturation
​ Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(Tension base-émetteur*[Charge-e]/([BoltZ]*300))
Courant de collecteur utilisant le courant de fuite
​ Aller Courant de collecteur = (Courant de base*Gain de courant de l'émetteur commun)+Courant de fuite collecteur-émetteur
Courant de collecteur du transistor PNP
​ Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*(e^(Tension base-émetteur/Tension thermique))
Courant de collecteur du transistor PNP lorsque le gain de courant de l'émetteur commun
​ Aller Courant de collecteur = Gain de courant d'émetteur commun forcé*Courant de base
Courant de collecteur utilisant le courant d'émetteur
​ Aller Courant de collecteur = Gain de courant de base commune*Courant de l'émetteur
Courant de collecteur de BJT
​ Aller Courant de collecteur = Courant de l'émetteur-Courant de base

Courant du collecteur étant donné la tension base-émetteur Formule

Courant collecteur dans les BJT = Taux de transfert actuel*Courant de saturation*(exp(([Charge-e]*Tension de l'émetteur de base)/([BoltZ]*Impureté de température)-1))
Icc = α*Isat*(exp(([Charge-e]*VBE)/([BoltZ]*to)-1))
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