Courant de collecteur utilisant la tension précoce pour le transistor NPN Calculatrice

✖Le courant de saturation est la densité de courant de fuite de la diode en l'absence de lumière. C'est un paramètre important qui différencie une diode d'une autre.ⓘ Courant de saturation [I_sat]			+10% -10%
✖La tension base-collecteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d'un transistor.ⓘ Tension base-collecteur [V_BC]			+10% -10%
✖La tension thermique est la tension produite dans la jonction pn.ⓘ Tension thermique [V_t]			+10% -10%
✖La tension collecteur-émetteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d'un transistor.ⓘ Tension collecteur-émetteur [V_CE]			+10% -10%
✖La tension d'alimentation est la source de tension d'entrée qui traverse le BJT.ⓘ Tension d'alimentation [V_DD]			+10% -10%

✖Le courant de collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.ⓘ Courant de collecteur utilisant la tension précoce pour le transistor NPN [I_c]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Courant de collecteur utilisant la tension précoce pour le transistor NPN

Formule

`"I"_{"c"} = "I"_{"sat"}*e^("V"_{"BC"}/"V"_{"t"})*(1+"V"_{"CE"}/"V"_{"DD"})`

Exemple

`"5.793345mA"="1.675mA"*e^("2V"/"4.7V")*(1+"3.15V"/"2.5V")`

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger BJT Formule PDF PDF Image

Courant de collecteur utilisant la tension précoce pour le transistor NPN Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)*(1+Tension collecteur-émetteur/Tension d'alimentation)
I_c = I_sat*e^(V_BC/V_t)*(1+V_CE/V_DD)
Cette formule utilise 1 Constantes, 6 Variables

Constantes utilisées

e - constante de Napier Valeur prise comme 2.71828182845904523536028747135266249

Variables utilisées

Courant de collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant de collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.
Courant de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de saturation est la densité de courant de fuite de la diode en l'absence de lumière. C'est un paramètre important qui différencie une diode d'une autre.
Tension base-collecteur - (Mesuré en Volt) - La tension base-collecteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d'un transistor.
Tension thermique - (Mesuré en Volt) - La tension thermique est la tension produite dans la jonction pn.
Tension collecteur-émetteur - (Mesuré en Volt) - La tension collecteur-émetteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d'un transistor.
Tension d'alimentation - (Mesuré en Volt) - La tension d'alimentation est la source de tension d'entrée qui traverse le BJT.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant de saturation: 1.675 Milliampère --> 0.001675 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Tension base-collecteur: 2 Volt --> 2 Volt Aucune conversion requise
Tension thermique: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Aucune conversion requise
Tension collecteur-émetteur: 3.15 Volt --> 3.15 Volt Aucune conversion requise
Tension d'alimentation: 2.5 Volt --> 2.5 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_c = I_sat*e^(V_BC/V_t)*(1+V_CE/V_DD) --> 0.001675*e^(2/4.7)*(1+3.15/2.5)

Évaluer ... ...

I_c = 0.00579334528085417

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00579334528085417 Ampère -->5.79334528085417 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

5.79334528085417 ≈ 5.793345 Milliampère <-- Courant de collecteur

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » BJT » Électronique analogique » Actuel » Courant de collecteur » Courant de collecteur utilisant la tension précoce pour le transistor NPN

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 9 Courant de collecteur Calculatrices

Courant de collecteur lorsque le courant de saturation est dû à la tension continue

Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)-Courant de saturation pour CC*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)

Courant de collecteur utilisant la tension précoce pour le transistor NPN

Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)*(1+Tension collecteur-émetteur/Tension d'alimentation)

Courant de collecteur donné tension précoce pour le transistor PNP

Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(-Tension base-émetteur/Tension thermique)*(1+Tension collecteur-émetteur/Tension d'alimentation)

Courant de collecteur utilisant le courant de saturation

Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(Tension base-émetteur*[Charge-e]/([BoltZ]*300))

Courant de collecteur utilisant le courant de fuite

Aller Courant de collecteur = (Courant de base*Gain de courant de l'émetteur commun)+Courant de fuite collecteur-émetteur

Courant de collecteur du transistor PNP

Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*(e^(Tension base-émetteur/Tension thermique))

Courant de collecteur du transistor PNP lorsque le gain de courant de l'émetteur commun

Aller Courant de collecteur = Gain de courant d'émetteur commun forcé*Courant de base

Courant de collecteur utilisant le courant d'émetteur

Aller Courant de collecteur = Gain de courant de base commune*Courant de l'émetteur

Courant de collecteur de BJT

Aller Courant de collecteur = Courant de l'émetteur-Courant de base

Courant de collecteur utilisant la tension précoce pour le transistor NPN Formule

Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)*(1+Tension collecteur-émetteur/Tension d'alimentation)
I_c = I_sat*e^(V_BC/V_t)*(1+V_CE/V_DD)

Qu'est-ce qu'un transistor NPN?

Les transistors NPN sont des dispositifs à trois bornes et à trois couches qui peuvent fonctionner comme des amplificateurs ou des commutateurs électroniques. Le transistor bipolaire standard ou BJT se présente sous deux formes de base. Un type NPN (négatif-positif-négatif) et un type PNP (positif-négatif-positif).

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!