Courant de fuite du collecteur à l'émetteur Calculatrice

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Paramètres de fonctionnement des transistors

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Paramètres électrostatiques

✖Le facteur de transport de base est défini comme le facteur de courant de base requis pour transférer le courant de l'émetteur vers le collecteur du transistor BJT.ⓘ Facteur de transport de base [β]			+10% -10%
✖Le courant de fuite collecteur-base est un petit courant de collecteur qui circule si l'émetteur est en circuit ouvert et que la jonction collecteur-base est polarisée en inverse.ⓘ Courant de fuite de la base du collecteur [I_cbo]			+10% -10%

✖Le courant de fuite de l'émetteur du collecteur est un petit courant de collecteur qui circule si la base est en circuit ouvert et que le collecteur est polarisé en inverse par rapport à l'émetteur.ⓘ Courant de fuite du collecteur à l'émetteur [I_CEO]

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Formule

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Courant de fuite du collecteur à l'émetteur

Formule

`"I"_{"CEO"} = ("β"+1)*"I"_{"cbo"}`

Exemple

`"1.19mA"=("2.5"+1)*"0.34mA"`

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Courant de fuite du collecteur à l'émetteur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de fuite collecteur-émetteur = (Facteur de transport de base+1)*Courant de fuite de la base du collecteur
I_CEO = (β+1)*I_cbo
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Courant de fuite collecteur-émetteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant de fuite de l'émetteur du collecteur est un petit courant de collecteur qui circule si la base est en circuit ouvert et que le collecteur est polarisé en inverse par rapport à l'émetteur.
Facteur de transport de base - Le facteur de transport de base est défini comme le facteur de courant de base requis pour transférer le courant de l'émetteur vers le collecteur du transistor BJT.
Courant de fuite de la base du collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant de fuite collecteur-base est un petit courant de collecteur qui circule si l'émetteur est en circuit ouvert et que la jonction collecteur-base est polarisée en inverse.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Facteur de transport de base: 2.5 --> Aucune conversion requise
Courant de fuite de la base du collecteur: 0.34 Milliampère --> 0.00034 Ampère (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_CEO = (β+1)*I_cbo --> (2.5+1)*0.00034

Évaluer ... ...

I_CEO = 0.00119

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00119 Ampère -->1.19 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

1.19 Milliampère <-- Courant de fuite collecteur-émetteur

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » EDC » Paramètres de fonctionnement des transistors » Courant de fuite du collecteur à l'émetteur

Crédits

Créé par Akshada Kulkarni

Institut national des technologies de l'information (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni a créé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

Vérifié par Équipe Softusvista

Bureau de Softusvista (Pune), Inde

Équipe Softusvista a validé cette calculatrice et 1100+ autres calculatrices!

< 13 Paramètres de fonctionnement des transistors Calculatrices

Courant de vidange

Aller Courant de vidange = Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde de grille*(Largeur de jonction de porte/Longueur de porte)*(Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de saturation de la source de drain

Efficacité de l'émetteur

Aller Efficacité de l'émetteur = Courant de diffusion d'électrons/(Courant de diffusion d'électrons+Courant de diffusion de trou)

Courant de base utilisant le facteur d'amplification de courant

Aller Courant de base = Courant de l'émetteur*(1-Facteur d'amplification actuel)-Courant de fuite de la base du collecteur

Tension collecteur-émetteur

Aller Tension d'émetteur de collecteur = Tension du collecteur commun-Courant de collecteur*Résistance du collecteur

Courant de fuite du collecteur à l'émetteur

Aller Courant de fuite collecteur-émetteur = (Facteur de transport de base+1)*Courant de fuite de la base du collecteur

Facteur d'amplification actuel utilisant le facteur de transport de base

Aller Facteur d'amplification actuel = Facteur de transport de base/(Facteur de transport de base+1)

Courant de collecteur utilisant le facteur d'amplification de courant

Aller Courant de collecteur = Facteur d'amplification actuel*Courant de l'émetteur

Facteur d'amplification actuel

Aller Facteur d'amplification actuel = Courant de collecteur/Courant de l'émetteur

Courant de collecteur utilisant le facteur de transport de base

Aller Courant de collecteur = Facteur de transport de base*Courant de base

Facteur de transport de base

Aller Facteur de transport de base = Courant de collecteur/Courant de base

Courant d'émetteur

Aller Courant de l'émetteur = Courant de base+Courant de collecteur

Gain de courant du collecteur commun

Aller Gain de courant du collecteur commun = Facteur de transport de base+1

Résistance dynamique de l'émetteur

Aller Résistance dynamique de l'émetteur = 0.026/Courant de l'émetteur

Courant de fuite du collecteur à l'émetteur Formule

Courant de fuite collecteur-émetteur = (Facteur de transport de base+1)*Courant de fuite de la base du collecteur
I_CEO = (β+1)*I_cbo

Comment est obtenu le courant de fuite collecteur à émetteur?

Pour la configuration d'émetteur commune du transistor avec la jonction émetteur-base polarisée en direct et la jonction collecteur-base polarisée en inverse, la partie du courant d'émetteur qui atteint le collecteur est IC - ICEO (courant collecteur à émetteur). Ainsi, le courant de fuite est pris en compte et il se forme une expression que le courant de fuite collecteur-émetteur dans une configuration d'émetteur commune est (β 1) fois supérieur à celui dans une configuration de base commune.

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