Kollektor-Emitter-Leckstrom Taschenrechner

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Betriebsparameter des Transistors

Diodeneigenschaften

Elektrostatische Parameter

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Ladungsträgereigenschaften

✖Der Basistransportfaktor ist definiert als der Faktor des Basisstroms, der erforderlich ist, um den Emitterstrom zum Kollektor des BJT-Transistors zu übertragen.ⓘ Basistransportfaktor [β]			+10% -10%
✖Der Kollektor-Basis-Leckstrom ist ein kleiner Kollektorstrom, der fließt, wenn der Emitter offen ist und die Kollektor-Basis-Verbindung umgekehrt vorgespannt ist.ⓘ Kollektorbasis-Leckstrom [I_cbo]			+10% -10%

✖Der Kollektor-Emitter-Leckstrom ist ein kleiner Kollektorstrom, der fließt, wenn die Basis offen ist und der Kollektor in Bezug auf den Emitter in Sperrrichtung vorgespannt ist.ⓘ Kollektor-Emitter-Leckstrom [I_CEO]

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Formel

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Kollektor-Emitter-Leckstrom

Formel

`"I"_{"CEO"} = ("β"+1)*"I"_{"cbo"}`

Beispiel

`"1.19mA"=("2.5"+1)*"0.34mA"`

Taschenrechner

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Kollektor-Emitter-Leckstrom Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kollektor-Emitter-Leckstrom = (Basistransportfaktor+1)*Kollektorbasis-Leckstrom
I_CEO = (β+1)*I_cbo
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Kollektor-Emitter-Leckstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektor-Emitter-Leckstrom ist ein kleiner Kollektorstrom, der fließt, wenn die Basis offen ist und der Kollektor in Bezug auf den Emitter in Sperrrichtung vorgespannt ist.
Basistransportfaktor - Der Basistransportfaktor ist definiert als der Faktor des Basisstroms, der erforderlich ist, um den Emitterstrom zum Kollektor des BJT-Transistors zu übertragen.
Kollektorbasis-Leckstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektor-Basis-Leckstrom ist ein kleiner Kollektorstrom, der fließt, wenn der Emitter offen ist und die Kollektor-Basis-Verbindung umgekehrt vorgespannt ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Basistransportfaktor: 2.5 --> Keine Konvertierung erforderlich
Kollektorbasis-Leckstrom: 0.34 Milliampere --> 0.00034 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_CEO = (β+1)*I_cbo --> (2.5+1)*0.00034

Auswerten ... ...

I_CEO = 0.00119

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00119 Ampere -->1.19 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.19 Milliampere <-- Kollektor-Emitter-Leckstrom

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Akshada Kulkarni

Nationales Institut für Informationstechnologie (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indien

Team Softusvista hat diesen Rechner und 1100+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 Betriebsparameter des Transistors Taschenrechner

Stromverbrauch

Gehen Stromverbrauch = Mobilität des Elektrons*Gate-Oxid-Kapazität*(Breite der Torverbindung/Torlänge)*(Gate-Source-Spannung- Grenzspannung)*Drain-Source-Sättigungsspannung

Emitter-Effizienz

Gehen Emitter-Effizienz = Elektronendiffusionsstrom/(Elektronendiffusionsstrom+Lochdiffusionsstrom)

Kollektor-Emitter-Spannung

Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Gemeinsame Kollektorspannung-Kollektorstrom*Sammlerwiderstand

Basisstrom unter Verwendung des Stromverstärkungsfaktors

Gehen Basisstrom = Emitterstrom*(1-Aktueller Verstärkungsfaktor)-Kollektorbasis-Leckstrom

Kollektor-Emitter-Leckstrom

Gehen Kollektor-Emitter-Leckstrom = (Basistransportfaktor+1)*Kollektorbasis-Leckstrom

Aktueller Verstärkungsfaktor unter Verwendung des Basistransportfaktors

Gehen Aktueller Verstärkungsfaktor = Basistransportfaktor/(Basistransportfaktor+1)

Kollektorstrom unter Verwendung des Stromverstärkungsfaktors

Gehen Kollektorstrom = Aktueller Verstärkungsfaktor*Emitterstrom

Aktueller Verstärkungsfaktor

Gehen Aktueller Verstärkungsfaktor = Kollektorstrom/Emitterstrom

Kollektorstrom unter Verwendung des Basistransportfaktors

Gehen Kollektorstrom = Basistransportfaktor*Basisstrom

Basistransportfaktor

Gehen Basistransportfaktor = Kollektorstrom/Basisstrom

Emitterstrom

Gehen Emitterstrom = Basisstrom+Kollektorstrom

Gemeinsamer Kollektorstromgewinn

Gehen Gemeinsamer Kollektorstromgewinn = Basistransportfaktor+1

Dynamischer Emitterwiderstand

Gehen Dynamischer Emitterwiderstand = 0.026/Emitterstrom

Kollektor-Emitter-Leckstrom Formel

Kollektor-Emitter-Leckstrom = (Basistransportfaktor+1)*Kollektorbasis-Leckstrom
I_CEO = (β+1)*I_cbo

Wie wird ein Leckstrom von Kollektor zu Emitter erhalten?

Für die gemeinsame Emitterkonfiguration des Transistors mit vorwärts vorgespanntem Emitter-Basis-Übergang und rückwärts vorgespanntem Kollektor-Basis-Übergang ist der Teil des Emitterstroms, der den Kollektor erreicht, IC - ICEO (Kollektor-Emitter-Strom). Somit wird der Leckstrom berücksichtigt und es wird ein Ausdruck gebildet, dass der Kollektor-Emitter-Leckstrom in der Konfiguration mit gemeinsamem Emitter (β 1) mal größer ist als der in der Konfiguration mit gemeinsamer Basis.

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