Fréquence critique dans le circuit RC d'entrée haute fréquence Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Fréquence de coin = 1/(2*pi*Résistance d'entrée*Capacité de Miller)
fc = 1/(2*pi*Rin*Cin)
Cette formule utilise 1 Constantes, 3 Variables
Constantes utilisées
pi - Constante d'Archimède Valeur prise comme 3.14159265358979323846264338327950288
Variables utilisées
Fréquence de coin - (Mesuré en Hertz) - La fréquence de coin d'un circuit est la fréquence à laquelle le gain du circuit commence à diminuer de manière significative.
Résistance d'entrée - (Mesuré en Ohm) - La résistance d'entrée est l'opposition au flux de courant dans un circuit électrique. Elle se mesure en ohms (Ω). Plus la résistance est élevée, plus il y a d’opposition au flux de courant.
Capacité de Miller - (Mesuré en Farad) - La capacité Miller est la capacité d'entrée équivalente d'un amplificateur MOSFET en raison de l'effet Miller.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Résistance d'entrée: 200 Ohm --> 200 Ohm Aucune conversion requise
Capacité de Miller: 7.18 microfarades --> 7.18E-06 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
fc = 1/(2*pi*Rin*Cin) --> 1/(2*pi*200*7.18E-06)
Évaluer ... ...
fc = 110.832133072351
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
110.832133072351 Hertz --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
110.832133072351 110.8321 Hertz <-- Fréquence de coin
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Suma Madhuri
Université VIT (VIT), Chennai
Suma Madhuri a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
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Vérifié par Parminder Singh
Université de Chandigarh (UC), Pendjab
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15 Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Conductance du canal des MOSFET
​ Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*(Largeur de canal/Longueur du canal)*Tension aux bornes de l'oxyde
Fréquence de transition du MOSFET
​ Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))
Amplitude de la charge électronique dans le canal du MOSFET
​ Aller Charge d'électrons dans le canal = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal*Tension efficace
Déphasage dans le circuit RC de sortie
​ Aller Déphasage = arctan(Réactance capacitive/(Résistance+Résistance à la charge))
Fréquence critique inférieure du Mosfet
​ Aller Fréquence de coin = 1/(2*pi*(Résistance+Résistance d'entrée)*Capacitance)
Sortie Miller Capacité Mosfet
​ Aller Capacité de sortie Miller = Capacité de vidange de porte*((Gain de tension+1)/Gain de tension)
Largeur du canal porte à source du MOSFET
​ Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)
Capacité de chevauchement du MOSFET
​ Aller Capacité de chevauchement = Largeur de canal*Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement
Capacité totale entre la porte et le canal des MOSFET
​ Aller Capacité du canal de porte = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal
Fréquence critique dans le circuit RC d'entrée haute fréquence
​ Aller Fréquence de coin = 1/(2*pi*Résistance d'entrée*Capacité de Miller)
Déphasage dans le circuit RC d'entrée
​ Aller Déphasage = arctan(Réactance capacitive/Résistance d'entrée)
Réactance capacitive du Mosfet
​ Aller Réactance capacitive = 1/(2*pi*Fréquence*Capacitance)
Capacité Miller du Mosfet
​ Aller Capacité de Miller = Capacité de vidange de porte*(Gain de tension+1)
Fréquence critique du Mosfet
​ Aller Fréquence critique en décibels = 10*log10(Fréquence critique)
Atténuation du circuit RC
​ Aller Atténuation = Tension de base/Tension d'entrée

Fréquence critique dans le circuit RC d'entrée haute fréquence Formule

Fréquence de coin = 1/(2*pi*Résistance d'entrée*Capacité de Miller)
fc = 1/(2*pi*Rin*Cin)
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