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Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang Taschenrechner
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P-Kanal-Verbesserung
Steilheit
Stromspannung
Verstärkungsfaktor/Verstärkung
Voreingenommenheit
Widerstand
✖
Der Eingangswiderstand ist der Widerstand gegen den Stromfluss in einem Stromkreis. Sie wird in Ohm (Ω) gemessen. Je höher der Widerstand, desto größer ist der Widerstand gegen den Stromfluss.
ⓘ
Eingangswiderstand [R
in
]
Abohm
EMU von Widerstands
ESU der Widerstands
Exaohm
Gigaohm
Kiloohm
Megahm
Mikroohm
Milliohm
Nanohm
Ohm
Petaohm
Planck-Impedanz
Quanten-Hall-Widerstand
Reziproker Siemens
Statohm
Volt pro Ampere
Yottaohm
Zettaohm
+10%
-10%
✖
Die Miller-Kapazität ist die äquivalente Eingangskapazität eines MOSFET-Verstärkers aufgrund des Miller-Effekts.
ⓘ
Miller-Kapazität [C
in
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulomb / Volt
Dekafarad
Dezifarad
EMU der Kapazitanz
ESU der Kapazität
Exafarad
Farad
Femtofarad
Gigafarad
Hektofarad
Kilofarad
Megafarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Petafarad
Pikofarad
Statfarad
Terrafarad
+10%
-10%
✖
Die Eckfrequenz einer Schaltung ist die Frequenz, bei der die Verstärkung der Schaltung deutlich abzunehmen beginnt.
ⓘ
Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang [f
c
]
Attohertz
Schläge / Minute
Zentihertz
Zyklus / Sekunde
Dekahertz
Dezihertz
Exahertz
Femtohertz
Frames pro Sekunde
Gigahertz
Hektohertz
Hertz
Kilohertz
Megahertz
Mikrohertz
Millihertz
Nanohertz
Petahertz
Pikohertz
Revolution pro Tag
Umdrehung pro Stunde
Umdrehung pro Minute
Revolution pro Sekunde
Terahertz
Yottahertz
Zettahertz
⎘ Kopie
Schritte
👎
Formel
✖
Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang
Formel
`"f"_{"c"} = 1/(2*pi*"R"_{"in"}*"C"_{"in"})`
Beispiel
`"110.8321Hz"=1/(2*pi*"200Ω"*"7.18μF")`
Taschenrechner
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Herunterladen MOSFET Formel Pdf
Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Eckfrequenz
= 1/(2*
pi
*
Eingangswiderstand
*
Miller-Kapazität
)
f
c
= 1/(2*
pi
*
R
in
*
C
in
)
Diese formel verwendet
1
Konstanten
,
3
Variablen
Verwendete Konstanten
pi
- Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288
Verwendete Variablen
Eckfrequenz
-
(Gemessen in Hertz)
- Die Eckfrequenz einer Schaltung ist die Frequenz, bei der die Verstärkung der Schaltung deutlich abzunehmen beginnt.
Eingangswiderstand
-
(Gemessen in Ohm)
- Der Eingangswiderstand ist der Widerstand gegen den Stromfluss in einem Stromkreis. Sie wird in Ohm (Ω) gemessen. Je höher der Widerstand, desto größer ist der Widerstand gegen den Stromfluss.
Miller-Kapazität
-
(Gemessen in Farad)
- Die Miller-Kapazität ist die äquivalente Eingangskapazität eines MOSFET-Verstärkers aufgrund des Miller-Effekts.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Eingangswiderstand:
200 Ohm --> 200 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Miller-Kapazität:
7.18 Mikrofarad --> 7.18E-06 Farad
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
f
c
= 1/(2*pi*R
in
*C
in
) -->
1/(2*
pi
*200*7.18E-06)
Auswerten ... ...
f
c
= 110.832133072351
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
110.832133072351 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
110.832133072351
≈
110.8321 Hertz
<--
Eckfrequenz
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell
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Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang
Credits
Erstellt von
Suma Madhuri
VIT-Universität
(VIT)
,
Chennai
Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Parminder Singh
Chandigarh-Universität
(KU)
,
Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!
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15 Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner
Leitwert des Kanals von MOSFETs
Gehen
Leitfähigkeit des Kanals
=
Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals
*
Oxidkapazität
*(
Kanalbreite
/
Kanallänge
)*
Spannung über Oxid
Größe der Elektronenladung im Kanal des MOSFET
Gehen
Elektronenladung im Kanal
=
Oxidkapazität
*
Kanalbreite
*
Kanallänge
*
Effektive Spannung
Übergangsfrequenz des MOSFET
Gehen
Übergangsfrequenz
=
Steilheit
/(2*
pi
*(
Source-Gate-Kapazität
+
Gate-Drain-Kapazität
))
Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis
Gehen
Phasenverschiebung
=
arctan
(
Kapazitive Reaktanz
/(
Widerstand
+
Lastwiderstand
))
Untere kritische Frequenz des Mosfet
Gehen
Eckfrequenz
= 1/(2*
pi
*(
Widerstand
+
Eingangswiderstand
)*
Kapazität
)
Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET
Gehen
Ausgangs-Miller-Kapazität
=
Gate-Drain-Kapazität
*((
Spannungsverstärkung
+1)/
Spannungsverstärkung
)
Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET
Gehen
Kanalbreite
=
Überlappungskapazität
/(
Oxidkapazität
*
Überlappungslänge
)
Phasenverschiebung im Eingangs-RC-Schaltkreis
Gehen
Phasenverschiebung
=
arctan
(
Kapazitive Reaktanz
/
Eingangswiderstand
)
Überlappungskapazität des MOSFET
Gehen
Überlappungskapazität
=
Kanalbreite
*
Oxidkapazität
*
Überlappungslänge
Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang
Gehen
Eckfrequenz
= 1/(2*
pi
*
Eingangswiderstand
*
Miller-Kapazität
)
Gesamtkapazität zwischen Gate und Kanal von MOSFETs
Gehen
Gate-Kanalkapazität
=
Oxidkapazität
*
Kanalbreite
*
Kanallänge
Kapazitive Reaktanz von Mosfet
Gehen
Kapazitive Reaktanz
= 1/(2*
pi
*
Frequenz
*
Kapazität
)
Miller-Kapazität von Mosfet
Gehen
Miller-Kapazität
=
Gate-Drain-Kapazität
*(
Spannungsverstärkung
+1)
Kritische Frequenz von Mosfet
Gehen
Kritische Frequenz in Dezibel
= 10*
log10
(
Kritische Frequenz
)
Dämpfung des RC-Schaltkreises
Gehen
Dämpfung
=
Basisspannung
/
Eingangsspannung
Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang Formel
Eckfrequenz
= 1/(2*
pi
*
Eingangswiderstand
*
Miller-Kapazität
)
f
c
= 1/(2*
pi
*
R
in
*
C
in
)
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