Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Eckfrequenz = 1/(2*pi*Eingangswiderstand*Miller-Kapazität)
fc = 1/(2*pi*Rin*Cin)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 3 Variablen
Verwendete Konstanten
pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288
Verwendete Variablen
Eckfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Eckfrequenz einer Schaltung ist die Frequenz, bei der die Verstärkung der Schaltung deutlich abzunehmen beginnt.
Eingangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Eingangswiderstand ist der Widerstand gegen den Stromfluss in einem Stromkreis. Sie wird in Ohm (Ω) gemessen. Je höher der Widerstand, desto größer ist der Widerstand gegen den Stromfluss.
Miller-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Miller-Kapazität ist die äquivalente Eingangskapazität eines MOSFET-Verstärkers aufgrund des Miller-Effekts.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Eingangswiderstand: 200 Ohm --> 200 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Miller-Kapazität: 7.18 Mikrofarad --> 7.18E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
fc = 1/(2*pi*Rin*Cin) --> 1/(2*pi*200*7.18E-06)
Auswerten ... ...
fc = 110.832133072351
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
110.832133072351 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
110.832133072351 110.8321 Hertz <-- Eckfrequenz
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Suma Madhuri
VIT-Universität (VIT), Chennai
Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

15 Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Leitwert des Kanals von MOSFETs
​ Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*(Kanalbreite/Kanallänge)*Spannung über Oxid
Größe der Elektronenladung im Kanal des MOSFET
​ Gehen Elektronenladung im Kanal = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge*Effektive Spannung
Übergangsfrequenz des MOSFET
​ Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis
​ Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/(Widerstand+Lastwiderstand))
Untere kritische Frequenz des Mosfet
​ Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*(Widerstand+Eingangswiderstand)*Kapazität)
Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET
​ Gehen Ausgangs-Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*((Spannungsverstärkung+1)/Spannungsverstärkung)
Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET
​ Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)
Phasenverschiebung im Eingangs-RC-Schaltkreis
​ Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/Eingangswiderstand)
Überlappungskapazität des MOSFET
​ Gehen Überlappungskapazität = Kanalbreite*Oxidkapazität*Überlappungslänge
Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang
​ Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*Eingangswiderstand*Miller-Kapazität)
Gesamtkapazität zwischen Gate und Kanal von MOSFETs
​ Gehen Gate-Kanalkapazität = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge
Kapazitive Reaktanz von Mosfet
​ Gehen Kapazitive Reaktanz = 1/(2*pi*Frequenz*Kapazität)
Miller-Kapazität von Mosfet
​ Gehen Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*(Spannungsverstärkung+1)
Kritische Frequenz von Mosfet
​ Gehen Kritische Frequenz in Dezibel = 10*log10(Kritische Frequenz)
Dämpfung des RC-Schaltkreises
​ Gehen Dämpfung = Basisspannung/Eingangsspannung

Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang Formel

Eckfrequenz = 1/(2*pi*Eingangswiderstand*Miller-Kapazität)
fc = 1/(2*pi*Rin*Cin)
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