Fréquence de coupure en fonction de la transconductance et de la capacité Calculatrice

✖La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de drain et la variation de la tension grille-source, en supposant une tension drain-source constante.ⓘ Transconductance [g_m]			+10% -10%
✖La capacité grille-source est une capacité parasite qui existe entre les bornes grille et source d'un MESFET ou d'autres types de transistors.ⓘ Capacité de la source de porte [C_gs]			+10% -10%

✖La fréquence de coupure est définie comme la fréquence de coin est une limite dans la réponse en fréquence du système à laquelle l'énergie circulant à travers le système commence à être réduite plutôt que de la traverser.ⓘ Fréquence de coupure en fonction de la transconductance et de la capacité [f_co]

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Formule

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Fréquence de coupure en fonction de la transconductance et de la capacité

Formule

`"f"_{"co"} = "g"_{"m"}/(2*pi*"C"_{"gs"})`

Exemple

`"30.02923Hz"="0.05S"/(2*pi*"265μF")`

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Fréquence de coupure en fonction de la transconductance et de la capacité Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Fréquence de coupure = Transconductance/(2*pi*Capacité de la source de porte)
f_co = g_m/(2*pi*C_gs)
Cette formule utilise 1 Constantes, 3 Variables

Constantes utilisées

pi - Constante d'Archimède Valeur prise comme 3.14159265358979323846264338327950288

Variables utilisées

Fréquence de coupure - (Mesuré en Hertz) - La fréquence de coupure est définie comme la fréquence de coin est une limite dans la réponse en fréquence du système à laquelle l'énergie circulant à travers le système commence à être réduite plutôt que de la traverser.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de drain et la variation de la tension grille-source, en supposant une tension drain-source constante.
Capacité de la source de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-source est une capacité parasite qui existe entre les bornes grille et source d'un MESFET ou d'autres types de transistors.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Transconductance: 0.05 Siemens --> 0.05 Siemens Aucune conversion requise
Capacité de la source de porte: 265 microfarades --> 0.000265 Farad (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

f_co = g_m/(2*pi*C_gs) --> 0.05/(2*pi*0.000265)

Évaluer ... ...

f_co = 30.0292345456406

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

30.0292345456406 Hertz --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

30.0292345456406 ≈ 30.02923 Hertz <-- Fréquence de coupure

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Sonu Kumar Keshri

Institut national de technologie, Patna (NITP), Patna

Sonu Kumar Keshri a créé cette calculatrice et 5 autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 13 Caractéristiques du MESFET Calculatrices

Fréquence de coupure utilisant la fréquence maximale

Aller Fréquence de coupure = (2*Fréquence maximale des oscillations)/(sqrt(Résistance aux fuites/(Résistance à la source+Résistance de métallisation de porte+Résistance d'entrée)))

Résistance de métallisation de porte

Aller Résistance de métallisation de porte = ((Résistance aux fuites*Fréquence de coupure^2)/(4*Fréquence maximale des oscillations^2))-(Résistance à la source+Résistance d'entrée)

Résistance à la source

Aller Résistance à la source = ((Résistance aux fuites*Fréquence de coupure^2)/(4*Fréquence maximale des oscillations^2))-(Résistance de métallisation de porte+Résistance d'entrée)

Résistance d'entrée

Aller Résistance d'entrée = ((Résistance aux fuites*Fréquence de coupure^2)/(4*Fréquence maximale des oscillations^2))-(Résistance de métallisation de porte+Résistance à la source)

Résistance de vidange du MESFET

Aller Résistance aux fuites = ((4*Fréquence maximale des oscillations^2)/Fréquence de coupure^2)*(Résistance à la source+Résistance de métallisation de porte+Résistance d'entrée)

Transconductance dans la région de saturation

Aller Transconductance = Conductance de sortie*(1-sqrt((Barrière potentielle de diode Schottky-Tension de porte)/Pincer la tension))

Fréquence maximale des oscillations dans MESFET

Aller Fréquence maximale des oscillations = (Fréquence de gain unitaire/2)*sqrt(Résistance aux fuites/Résistance de métallisation de porte)

Fréquence maximale d'oscillation donnée Transconductance

Aller Fréquence maximale des oscillations = Transconductance/(pi*Capacité de la source de porte)

Fréquence de coupure en fonction de la transconductance et de la capacité

Aller Fréquence de coupure = Transconductance/(2*pi*Capacité de la source de porte)

Capacité de la source de porte

Aller Capacité de la source de porte = Transconductance/(2*pi*Fréquence de coupure)

Longueur de porte du MESFET

Aller Longueur de la porte = Vitesse de dérive saturée/(4*pi*Fréquence de coupure)

Fréquence de coupure

Aller Fréquence de coupure = Vitesse de dérive saturée/(4*pi*Longueur de la porte)

Transconductance dans MESFET

Aller Transconductance = 2*Capacité de la source de porte*pi*Fréquence de coupure

Fréquence de coupure en fonction de la transconductance et de la capacité Formule

Fréquence de coupure = Transconductance/(2*pi*Capacité de la source de porte)
f_co = g_m/(2*pi*C_gs)

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