Capacité de la source de porte Calculatrice

✖La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de drain et la variation de la tension grille-source, en supposant une tension drain-source constante.ⓘ Transconductance [g_m]			+10% -10%
✖La fréquence de coupure est définie comme la fréquence de coin est une limite dans la réponse en fréquence du système à laquelle l'énergie circulant à travers le système commence à être réduite plutôt que de la traverser.ⓘ Fréquence de coupure [f_co]			+10% -10%

✖La capacité grille-source est une capacité parasite qui existe entre les bornes grille et source d'un MESFET ou d'autres types de transistors.ⓘ Capacité de la source de porte [C_gs]

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Formule

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Capacité de la source de porte

Formule

`"C"_{"gs"} = "g"_{"m"}/(2*pi*"f"_{"co"})`

Exemple

`"264.8169μF"="0.05S"/(2*pi*"30.05Hz")`

Calculatrice

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Capacité de la source de porte Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de la source de porte = Transconductance/(2*pi*Fréquence de coupure)
C_gs = g_m/(2*pi*f_co)
Cette formule utilise 1 Constantes, 3 Variables

Constantes utilisées

pi - Constante d'Archimède Valeur prise comme 3.14159265358979323846264338327950288

Variables utilisées

Capacité de la source de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-source est une capacité parasite qui existe entre les bornes grille et source d'un MESFET ou d'autres types de transistors.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de drain et la variation de la tension grille-source, en supposant une tension drain-source constante.
Fréquence de coupure - (Mesuré en Hertz) - La fréquence de coupure est définie comme la fréquence de coin est une limite dans la réponse en fréquence du système à laquelle l'énergie circulant à travers le système commence à être réduite plutôt que de la traverser.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Transconductance: 0.05 Siemens --> 0.05 Siemens Aucune conversion requise
Fréquence de coupure: 30.05 Hertz --> 30.05 Hertz Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_gs = g_m/(2*pi*f_co) --> 0.05/(2*pi*30.05)

Évaluer ... ...

C_gs = 0.000264816877024784

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.000264816877024784 Farad -->264.816877024784 microfarades (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

264.816877024784 ≈ 264.8169 microfarades <-- Capacité de la source de porte

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » Théorie des micro-ondes » Dispositifs à semi-conducteurs micro-ondes » Caractéristiques du MESFET » Capacité de la source de porte

Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 13 Caractéristiques du MESFET Calculatrices

Fréquence de coupure utilisant la fréquence maximale

Aller Fréquence de coupure = (2*Fréquence maximale des oscillations)/(sqrt(Résistance aux fuites/(Résistance à la source+Résistance de métallisation de porte+Résistance d'entrée)))

Résistance de métallisation de porte

Aller Résistance de métallisation de porte = ((Résistance aux fuites*Fréquence de coupure^2)/(4*Fréquence maximale des oscillations^2))-(Résistance à la source+Résistance d'entrée)

Résistance à la source

Aller Résistance à la source = ((Résistance aux fuites*Fréquence de coupure^2)/(4*Fréquence maximale des oscillations^2))-(Résistance de métallisation de porte+Résistance d'entrée)

Résistance d'entrée

Aller Résistance d'entrée = ((Résistance aux fuites*Fréquence de coupure^2)/(4*Fréquence maximale des oscillations^2))-(Résistance de métallisation de porte+Résistance à la source)

Résistance de vidange du MESFET

Aller Résistance aux fuites = ((4*Fréquence maximale des oscillations^2)/Fréquence de coupure^2)*(Résistance à la source+Résistance de métallisation de porte+Résistance d'entrée)

Transconductance dans la région de saturation

Aller Transconductance = Conductance de sortie*(1-sqrt((Barrière potentielle de diode Schottky-Tension de porte)/Pincer la tension))

Fréquence maximale des oscillations dans MESFET

Aller Fréquence maximale des oscillations = (Fréquence de gain unitaire/2)*sqrt(Résistance aux fuites/Résistance de métallisation de porte)

Fréquence maximale d'oscillation donnée Transconductance

Aller Fréquence maximale des oscillations = Transconductance/(pi*Capacité de la source de porte)

Fréquence de coupure en fonction de la transconductance et de la capacité

Aller Fréquence de coupure = Transconductance/(2*pi*Capacité de la source de porte)

Capacité de la source de porte

Aller Capacité de la source de porte = Transconductance/(2*pi*Fréquence de coupure)

Longueur de porte du MESFET

Aller Longueur de la porte = Vitesse de dérive saturée/(4*pi*Fréquence de coupure)

Fréquence de coupure

Aller Fréquence de coupure = Vitesse de dérive saturée/(4*pi*Longueur de la porte)

Transconductance dans MESFET

Aller Transconductance = 2*Capacité de la source de porte*pi*Fréquence de coupure

Capacité de la source de porte Formule

Capacité de la source de porte = Transconductance/(2*pi*Fréquence de coupure)
C_gs = g_m/(2*pi*f_co)

Quelles sont les applications du MESFET ?

Les MESFET offrent des avantages tels qu'un gain élevé, une vitesse élevée, un faible bruit et une faible consommation d'énergie, ce qui les rend adaptés à diverses applications dans les domaines de l'électronique, des télécommunications et du biomédical.

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