Temps de retard de l'émetteur au collecteur Calculatrice

✖Le temps de retard du collecteur de base fait référence au temps supplémentaire nécessaire au signal pour se propager à travers la région chargée d'espace de la jonction du collecteur de base.ⓘ Temps de retard du collecteur de base [τ_scr]			+10% -10%
✖Le temps de charge du collecteur fait référence au temps nécessaire aux porteurs minoritaires de la région de base d'un BJT pour être balayés hors de la région du collecteur après la désactivation du transistor.ⓘ Temps de charge du collecteur [τ_c]			+10% -10%
✖Le temps de transit de base est le temps moyen dont les transporteurs minoritaires ont besoin pour traverser la région quasi neutre de la base.ⓘ Temps de transit de base [τ_b]			+10% -10%
✖Le temps de charge de l'émetteur est défini comme la dérive du mouvement des particules chargées induite par un champ lorsque vous polarisez en direct la jonction de l'émetteur, vous obtenez une diffusion importante.ⓘ Temps de charge de l'émetteur [τ_e]			+10% -10%

✖Le temps de retard du collecteur émetteur est défini comme le temps de transit à travers la région ou l’espace d’épuisement du collecteur de base.ⓘ Temps de retard de l'émetteur au collecteur [τ_ec]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Temps de retard de l'émetteur au collecteur

Formule

`"τ"_{"ec"} = "τ"_{"scr"}+"τ"_{"c"}+"τ"_{"b"}+"τ"_{"e"}`

Exemple

`"5295μs"="5.5μs"+"6.4μs"+"10.1μs"+"5273μs"`

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Appareils à micro-ondes BJT Formules PDF PDF Image

Temps de retard de l'émetteur au collecteur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Temps de retard du collecteur émetteur = Temps de retard du collecteur de base+Temps de charge du collecteur+Temps de transit de base+Temps de charge de l'émetteur
τ_ec = τ_scr+τ_c+τ_b+τ_e
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Temps de retard du collecteur émetteur - (Mesuré en Deuxième) - Le temps de retard du collecteur émetteur est défini comme le temps de transit à travers la région ou l’espace d’épuisement du collecteur de base.
Temps de retard du collecteur de base - (Mesuré en Deuxième) - Le temps de retard du collecteur de base fait référence au temps supplémentaire nécessaire au signal pour se propager à travers la région chargée d'espace de la jonction du collecteur de base.
Temps de charge du collecteur - (Mesuré en Deuxième) - Le temps de charge du collecteur fait référence au temps nécessaire aux porteurs minoritaires de la région de base d'un BJT pour être balayés hors de la région du collecteur après la désactivation du transistor.
Temps de transit de base - (Mesuré en Deuxième) - Le temps de transit de base est le temps moyen dont les transporteurs minoritaires ont besoin pour traverser la région quasi neutre de la base.
Temps de charge de l'émetteur - (Mesuré en Deuxième) - Le temps de charge de l'émetteur est défini comme la dérive du mouvement des particules chargées induite par un champ lorsque vous polarisez en direct la jonction de l'émetteur, vous obtenez une diffusion importante.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Temps de retard du collecteur de base: 5.5 Microseconde --> 5.5E-06 Deuxième (Vérifiez la conversion ici)
Temps de charge du collecteur: 6.4 Microseconde --> 6.4E-06 Deuxième (Vérifiez la conversion ici)
Temps de transit de base: 10.1 Microseconde --> 1.01E-05 Deuxième (Vérifiez la conversion ici)
Temps de charge de l'émetteur: 5273 Microseconde --> 0.005273 Deuxième (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

τ_ec = τ_scr+τ_c+τ_b+τ_e --> 5.5E-06+6.4E-06+1.01E-05+0.005273

Évaluer ... ...

τ_ec = 0.005295

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.005295 Deuxième -->5295 Microseconde (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

5295 Microseconde <-- Temps de retard du collecteur émetteur

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Théorie des micro-ondes » Dispositifs à semi-conducteurs micro-ondes » Appareils à micro-ondes BJT » Temps de retard de l'émetteur au collecteur

Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 15 Appareils à micro-ondes BJT Calculatrices

Fréquence maximale des oscillations

Aller Fréquence maximale des oscillations = sqrt(Fréquence de gain de court-circuit de l'émetteur commun/(8*pi*Résistance de base*Capacité de base du collecteur))

Temps de charge de la base de l'émetteur

Aller Temps de charge de l'émetteur = Temps de retard du collecteur émetteur-(Temps de retard du collecteur de base+Temps de charge du collecteur+Temps de transit de base)

Temps de retard du collecteur de base

Aller Temps de retard du collecteur de base = Temps de retard du collecteur émetteur-(Temps de charge du collecteur+Temps de transit de base+Temps de charge de l'émetteur)

Temps de charge du collecteur

Aller Temps de charge du collecteur = Temps de retard du collecteur émetteur-(Temps de retard du collecteur de base+Temps de transit de base+Temps de charge de l'émetteur)

Temps de transit de base

Aller Temps de transit de base = Temps de retard du collecteur émetteur-(Temps de retard du collecteur de base+Temps de charge du collecteur+Temps de charge de l'émetteur)

Temps de retard de l'émetteur au collecteur

Aller Temps de retard du collecteur émetteur = Temps de retard du collecteur de base+Temps de charge du collecteur+Temps de transit de base+Temps de charge de l'émetteur

Capacité de base du collecteur

Aller Capacité de base du collecteur = Fréquence de coupure dans BJT/(8*pi*Fréquence maximale des oscillations^2*Résistance de base)

Résistance de base

Aller Résistance de base = Fréquence de coupure dans BJT/(8*pi*Fréquence maximale des oscillations^2*Capacité de base du collecteur)

Facteur de multiplication des avalanches

Aller Facteur de multiplication des avalanches = 1/(1-(Tension appliquée/Tension de rupture d'avalanche)^Facteur numérique de dopage)

Vitesse de dérive de saturation

Aller Vitesse de dérive saturée dans BJT = Distance émetteur-collecteur/Temps moyen pour parcourir l’émetteur jusqu’au collecteur

Distance entre l'émetteur et le collecteur

Aller Distance émetteur-collecteur = Tension appliquée maximale en BJT/Champ électrique maximal dans BJT

Temps de transit total

Aller Temps de transit total = Temps de transit de base+Région d'épuisement des collecteurs

Temps de charge total

Aller Temps de charge total = Temps de charge de l'émetteur+Temps de charge du collecteur

Fréquence de coupure du micro-ondes

Aller Fréquence de coupure dans BJT = 1/(2*pi*Temps de retard du collecteur émetteur)

Courant de trou de l'émetteur

Aller Courant de trou de l'émetteur = Courant de base+Courant du collecteur

Temps de retard de l'émetteur au collecteur Formule

Temps de retard du collecteur émetteur = Temps de retard du collecteur de base+Temps de charge du collecteur+Temps de transit de base+Temps de charge de l'émetteur
τ_ec = τ_scr+τ_c+τ_b+τ_e

Quelle est la gamme de fréquences des micro-ondes?

Les fréquences micro-ondes vont de 109 Hz (1 GHz) à 1000 GHz avec des longueurs d'onde respectives de 30 à 0,03 cm. Dans ce domaine spectral se trouvent un certain nombre d'applications de systèmes de communication qui sont importantes dans les secteurs militaire et civil.

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!