Время задержки между эмиттером и коллектором Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Время задержки эмиттера-коллектора = Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера
τec = τscr+τc+τb+τe
В этой формуле используются 5 Переменные
Используемые переменные
Время задержки эмиттера-коллектора - (Измеряется в Второй) - Время задержки эмиттер-коллектор определяется как время прохождения через область или пространство обеднения база-коллектор.
Время задержки коллектора базы - (Измеряется в Второй) - Время задержки коллектора базы означает дополнительное время, необходимое сигналу для распространения через объемно заряженную область коллекторного перехода базы.
Время зарядки коллектора - (Измеряется в Второй) - Время зарядки коллектора — это время, необходимое для вытеснения неосновных носителей в базовой области биполярного транзистора из области коллектора после выключения транзистора.
Базовое время доставки - (Измеряется в Второй) - Базовое транзитное время — это среднее время, необходимое меньшинственным перевозчикам для пересечения квазинейтральной зоны базы.
Время зарядки эмиттера - (Измеряется в Второй) - Время зарядки эмиттера определяется как дрейф в движении заряженных частиц, вызванный полем: когда вы смещаете эмиттерный переход вперед, вы получаете большую диффузию.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Время задержки коллектора базы: 5.5 микросекунда --> 5.5E-06 Второй (Проверьте преобразование ​здесь)
Время зарядки коллектора: 6.4 микросекунда --> 6.4E-06 Второй (Проверьте преобразование ​здесь)
Базовое время доставки: 10.1 микросекунда --> 1.01E-05 Второй (Проверьте преобразование ​здесь)
Время зарядки эмиттера: 5273 микросекунда --> 0.005273 Второй (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
τec = τscrcbe --> 5.5E-06+6.4E-06+1.01E-05+0.005273
Оценка ... ...
τec = 0.005295
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.005295 Второй -->5295 микросекунда (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
5295 микросекунда <-- Время задержки эмиттера-коллектора
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

15 БЮТ-микроволновые устройства Калькуляторы

Максимальная частота колебаний
​ Идти Максимальная частота колебаний = sqrt(Частота усиления короткого замыкания с общим эмиттером/(8*pi*Базовое сопротивление*Базовая емкость коллектора))
Время задержки базового коллектора
​ Идти Время задержки коллектора базы = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время зарядки коллектора+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера)
Время зарядки базы излучателя
​ Идти Время зарядки эмиттера = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Базовое время доставки)
Время зарядки коллектора
​ Идти Время зарядки коллектора = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера)
Базовое время в пути
​ Идти Базовое время доставки = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Время зарядки эмиттера)
Время задержки между эмиттером и коллектором
​ Идти Время задержки эмиттера-коллектора = Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера
Базовая емкость коллектора
​ Идти Базовая емкость коллектора = Частота среза в BJT/(8*pi*Максимальная частота колебаний^2*Базовое сопротивление)
Базовое сопротивление
​ Идти Базовое сопротивление = Частота среза в BJT/(8*pi*Максимальная частота колебаний^2*Базовая емкость коллектора)
Фактор лавинного умножения
​ Идти Фактор лавинного умножения = 1/(1-(Приложенное напряжение/Лавинное напряжение пробоя)^Допинговый числовой коэффициент)
Скорость дрейфа насыщения
​ Идти Скорость насыщенного дрейфа в BJT = Расстояние от эмиттера до коллектора/Среднее время прохождения эмиттера к коллектору
Расстояние от эмиттера до коллектора
​ Идти Расстояние от эмиттера до коллектора = Максимальное приложенное напряжение в BJT/Максимальное электрическое поле в BJT
Общее время в пути
​ Идти Общее время в пути = Базовое время доставки+Область истощения коллектора
Общее время зарядки
​ Идти Общее время зарядки = Время зарядки эмиттера+Время зарядки коллектора
Частота среза микроволновой печи
​ Идти Частота среза в BJT = 1/(2*pi*Время задержки эмиттера-коллектора)
Дырочный ток эмиттера
​ Идти Дырочный ток эмиттера = Базовый ток+Коллекторный ток

Время задержки между эмиттером и коллектором формула

Время задержки эмиттера-коллектора = Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера
τec = τscr+τc+τb+τe

Что такое частотный диапазон микроволн?

Микроволновые частоты находятся в диапазоне от 109 Гц (1 ГГц) до 1000 ГГц с соответствующими длинами волн от 30 до 0,03 см. В этой спектральной области находится ряд приложений систем связи, которые важны как в военном, так и в гражданском секторах.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!