Gain intrinsèque de BJT Calculatrice

✖La tension précoce est un phénomène qui se produit dans les BJT en raison des variations de largeur de la région de base lorsque la tension collecteur-base est modifiée. Cet effet modifie son gain actuel et son impédance d'E/S.ⓘ Tension précoce [V_A]			+10% -10%
✖La tension thermique est la tension produite dans la jonction pn.ⓘ Tension thermique [V_t]			+10% -10%

✖Le gain intrinsèque est défini comme le gain maximum du BJT.ⓘ Gain intrinsèque de BJT [A_o]

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Formule

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Gain intrinsèque de BJT

Formule

`"A"_{"o"} = "V"_{"A"}/"V"_{"t"}`

Exemple

`"0.265957"="1.25V"/"4.7V"`

Calculatrice

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Gain intrinsèque de BJT Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique
A_o = V_A/V_t
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Gain intrinsèque - Le gain intrinsèque est défini comme le gain maximum du BJT.
Tension précoce - (Mesuré en Volt) - La tension précoce est un phénomène qui se produit dans les BJT en raison des variations de largeur de la région de base lorsque la tension collecteur-base est modifiée. Cet effet modifie son gain actuel et son impédance d'E/S.
Tension thermique - (Mesuré en Volt) - La tension thermique est la tension produite dans la jonction pn.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension précoce: 1.25 Volt --> 1.25 Volt Aucune conversion requise
Tension thermique: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

A_o = V_A/V_t --> 1.25/4.7

Évaluer ... ...

A_o = 0.265957446808511

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.265957446808511 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.265957446808511 ≈ 0.265957 <-- Gain intrinsèque

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » BJT » Électronique analogique » Facteur/Gain d'amplification » Gain intrinsèque de BJT

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 16 Facteur/Gain d'amplification Calculatrices

Gain de tension global de l'amplificateur lorsque la résistance de charge est connectée à la sortie

Aller Gain de tension = Gain de courant de base commune*(1/Résistance du collecteur+1/Résistance de charge)^-1/(Résistance du signal+Résistance de l'émetteur)

Gain de tension global de l'amplificateur tampon compte tenu de la résistance de charge

Aller Gain de tension = Résistance de charge/(Résistance de charge+Résistance de l'émetteur+Résistance du signal/(Gain de courant de l'émetteur commun+1))

Facteur d'amplification de BJT

Aller Facteur d'amplification BJT = (Courant de collecteur/Tension de seuil)*((Tension CC positive+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur)

Gain de tension global compte tenu de la résistance de charge de BJT

Aller Gain de tension = -Transconductance*((Résistance du collecteur*Résistance de charge)/(Résistance du collecteur+Résistance de charge))

Gain en mode commun de BJT

Aller Gain en mode commun = -(Résistance du collecteur/(2*Résistance de sortie))*(Modification de la résistance du collecteur/Résistance du collecteur)

Puissance totale dissipée en BJT

Aller Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base

Gain de tension compte tenu de toutes les tensions

Aller Gain de tension = -(Tension d'alimentation-Tension collecteur-émetteur)/Tension thermique

Gain de tension donné Courant de collecteur

Aller Gain de tension = -(Courant de collecteur/Tension thermique)*Résistance du collecteur

Gain de courant de base commune

Aller Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Gain de courant d'émetteur commun utilisant le gain de courant de base commune

Aller Gain de courant de l'émetteur commun = Gain de courant de base commune/(1-Gain de courant de base commune)

Puissance totale fournie en BJT

Aller Pouvoir = Tension d'alimentation*(Courant de collecteur+Courant d'entrée)

Gain de tension en circuit ouvert donné Transrésistance en circuit ouvert

Aller Gain de tension en circuit ouvert = Transrésistance en circuit ouvert/Résistance d'entrée

Gain de courant d'émetteur commun forcé

Aller Gain de courant d'émetteur commun forcé = Courant de collecteur/Courant de base

Gain de tension compte tenu de la transconductance et de la résistance du collecteur

Aller Gain de tension = -Transconductance*Résistance du collecteur

Gain intrinsèque de BJT

Aller Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique

Gain de courant de court-circuit

Aller Gain actuel = Courant de sortie/Courant d'entrée

< 20 Circuit BJT Calculatrices

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Fréquence de transition du BJT

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))

Puissance totale dissipée en BJT

Aller Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base

Bande passante à gain unitaire de BJT

Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)

Courant de référence du miroir BJT

Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun

Mode commun Taux de réjection

Aller Mode commun Taux de réjection = 20*log10(Gain en mode différentiel/Gain en mode commun)

Résistance de sortie de BJT

Aller Résistance = (Tension d'alimentation+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur

Tension de sortie de l'amplificateur BJT

Aller Tension de sortie = Tension d'alimentation-Courant de vidange*Résistance de charge

Gain de courant de base commune

Aller Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire

Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base

Puissance totale fournie en BJT

Aller Pouvoir = Tension d'alimentation*(Courant de collecteur+Courant d'entrée)

Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur

Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Courant de collecteur utilisant le courant d'émetteur

Aller Courant de collecteur = Gain de courant de base commune*Courant de l'émetteur

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur

Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun

Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur

Tension du collecteur à l'émetteur à saturation

Aller Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur

Courant de collecteur de BJT

Aller Courant de collecteur = Courant de l'émetteur-Courant de base

Courant d'émetteur de BJT

Aller Courant de l'émetteur = Courant de collecteur+Courant de base

Transconductance de court-circuit

Aller Transconductance = Courant de sortie/Tension d'entrée

Gain intrinsèque de BJT

Aller Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique

Gain intrinsèque de BJT Formule

Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique
A_o = V_A/V_t

Quel transistor a un gain plus élevé BJT ou MOS et pourquoi?

Le BJT a plus de gain que le MOSFET car le MOSFET présente des caractéristiques Quadratic IV et BJT montre des caractéristiques Exponential IV et le changement de comportement exponentiel est plus important que le comportement Quadratic.

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