Puissance totale dissipée en BJT Calculatrice

✖La tension collecteur-émetteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d'un transistor.ⓘ Tension collecteur-émetteur [V_CE]			+10% -10%
✖Le courant de collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.ⓘ Courant de collecteur [I_c]			+10% -10%
✖La tension base-émetteur est la tension directe entre la base et l'émetteur du transistor.ⓘ Tension base-émetteur [V_BE]			+10% -10%
✖Le courant de base est un courant crucial du transistor à jonction bipolaire. Sans le courant de base, le transistor ne peut pas s'allumer.ⓘ Courant de base [I_B]			+10% -10%

✖La puissance est la quantité d'énergie libérée par seconde dans un appareil.ⓘ Puissance totale dissipée en BJT [P]

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Formule

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Puissance totale dissipée en BJT

Formule

`"P" = "V"_{"CE"}*"I"_{"c"}+"V"_{"BE"}*"I"_{"B"}`

Exemple

`"16.14655mW"="3.15V"*"5mA"+"5.15V"*"0.077mA"`

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Puissance totale dissipée en BJT Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base
P = V_CE*I_c+V_BE*I_B
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Pouvoir - (Mesuré en Watt) - La puissance est la quantité d'énergie libérée par seconde dans un appareil.
Tension collecteur-émetteur - (Mesuré en Volt) - La tension collecteur-émetteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d'un transistor.
Courant de collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant de collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.
Tension base-émetteur - (Mesuré en Volt) - La tension base-émetteur est la tension directe entre la base et l'émetteur du transistor.
Courant de base - (Mesuré en Ampère) - Le courant de base est un courant crucial du transistor à jonction bipolaire. Sans le courant de base, le transistor ne peut pas s'allumer.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension collecteur-émetteur: 3.15 Volt --> 3.15 Volt Aucune conversion requise
Courant de collecteur: 5 Milliampère --> 0.005 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Tension base-émetteur: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Aucune conversion requise
Courant de base: 0.077 Milliampère --> 7.7E-05 Ampère (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

P = V_CE*I_c+V_BE*I_B --> 3.15*0.005+5.15*7.7E-05

Évaluer ... ...

P = 0.01614655

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.01614655 Watt -->16.14655 Milliwatt (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

16.14655 Milliwatt <-- Pouvoir

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< 16 Facteur/Gain d'amplification Calculatrices

Gain de tension global de l'amplificateur lorsque la résistance de charge est connectée à la sortie

Aller Gain de tension = Gain de courant de base commune*(1/Résistance du collecteur+1/Résistance de charge)^-1/(Résistance du signal+Résistance de l'émetteur)

Gain de tension global de l'amplificateur tampon compte tenu de la résistance de charge

Aller Gain de tension = Résistance de charge/(Résistance de charge+Résistance de l'émetteur+Résistance du signal/(Gain de courant de l'émetteur commun+1))

Facteur d'amplification de BJT

Aller Facteur d'amplification BJT = (Courant de collecteur/Tension de seuil)*((Tension CC positive+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur)

Gain de tension global compte tenu de la résistance de charge de BJT

Aller Gain de tension = -Transconductance*((Résistance du collecteur*Résistance de charge)/(Résistance du collecteur+Résistance de charge))

Gain en mode commun de BJT

Aller Gain en mode commun = -(Résistance du collecteur/(2*Résistance de sortie))*(Modification de la résistance du collecteur/Résistance du collecteur)

Puissance totale dissipée en BJT

Aller Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base

Gain de tension compte tenu de toutes les tensions

Aller Gain de tension = -(Tension d'alimentation-Tension collecteur-émetteur)/Tension thermique

Gain de tension donné Courant de collecteur

Aller Gain de tension = -(Courant de collecteur/Tension thermique)*Résistance du collecteur

Gain de courant de base commune

Aller Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Gain de courant d'émetteur commun utilisant le gain de courant de base commune

Aller Gain de courant de l'émetteur commun = Gain de courant de base commune/(1-Gain de courant de base commune)

Puissance totale fournie en BJT

Aller Pouvoir = Tension d'alimentation*(Courant de collecteur+Courant d'entrée)

Gain de tension en circuit ouvert donné Transrésistance en circuit ouvert

Aller Gain de tension en circuit ouvert = Transrésistance en circuit ouvert/Résistance d'entrée

Gain de courant d'émetteur commun forcé

Aller Gain de courant d'émetteur commun forcé = Courant de collecteur/Courant de base

Gain de tension compte tenu de la transconductance et de la résistance du collecteur

Aller Gain de tension = -Transconductance*Résistance du collecteur

Gain intrinsèque de BJT

Aller Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique

Gain de courant de court-circuit

Aller Gain actuel = Courant de sortie/Courant d'entrée

< 20 Circuit BJT Calculatrices

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Fréquence de transition du BJT

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))

Puissance totale dissipée en BJT

Aller Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base

Bande passante à gain unitaire de BJT

Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)

Courant de référence du miroir BJT

Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun

Mode commun Taux de réjection

Aller Mode commun Taux de réjection = 20*log10(Gain en mode différentiel/Gain en mode commun)

Résistance de sortie de BJT

Aller Résistance = (Tension d'alimentation+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur

Tension de sortie de l'amplificateur BJT

Aller Tension de sortie = Tension d'alimentation-Courant de vidange*Résistance de charge

Gain de courant de base commune

Aller Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire

Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base

Puissance totale fournie en BJT

Aller Pouvoir = Tension d'alimentation*(Courant de collecteur+Courant d'entrée)

Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur

Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Courant de collecteur utilisant le courant d'émetteur

Aller Courant de collecteur = Gain de courant de base commune*Courant de l'émetteur

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur

Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun

Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur

Tension du collecteur à l'émetteur à saturation

Aller Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur

Courant de collecteur de BJT

Aller Courant de collecteur = Courant de l'émetteur-Courant de base

Courant d'émetteur de BJT

Aller Courant de l'émetteur = Courant de collecteur+Courant de base

Transconductance de court-circuit

Aller Transconductance = Courant de sortie/Tension d'entrée

Gain intrinsèque de BJT

Aller Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique

Puissance totale dissipée en BJT Formule

Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base
P = V_CE*I_c+V_BE*I_B

Quelle est la puissance dissipée?

La définition de la dissipation d'énergie est le processus par lequel un appareil électronique ou électrique produit de la chaleur (perte ou gaspillage d'énergie) en tant que dérivé indésirable de son action principale. Comme dans le cas des unités centrales de traitement, la dissipation de puissance est une préoccupation majeure en architecture informatique. De plus, la dissipation de puissance dans les résistances est considérée comme un phénomène naturel. Il n'en reste pas moins que toutes les résistances qui font partie d'un circuit et ont une chute de tension à travers elles dissiperont l'énergie électrique. De plus, cette puissance électrique se transforme en énergie thermique, et donc toutes les résistances ont une (puissance) nominale. En outre, la puissance nominale d'une résistance est une classification qui paramètre la puissance maximale qu'elle peut dissiper avant d'atteindre une défaillance critique.

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