Calculatrice A à Z
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La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de drain et la variation de la tension grille-source, en supposant une tension drain-source constante.
ⓘ
Transconductance [g
m
]
Abmho
Ampère par Volt
Gigasiemens
Kilosiemens
mégasiemens
Mho
Micromho
Microsiemens
millisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Siemens
statmho
+10%
-10%
✖
La capacité grille-source est une capacité parasite qui existe entre les bornes grille et source d'un MESFET ou d'autres types de transistors.
ⓘ
Capacité de la source de porte [C
gs
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulombs / Volt
décafarad
décifarade
EMU de capacitance
ESU de capacitance
Exafarad
Farad
FemtoFarad
Gigafarad
Hectofarade
Kilofarad
Mégafarad
microfarades
Millifarad
Nanofarad
Petafarad
picofarad
Statfarad
Térafarad
+10%
-10%
✖
La fréquence maximale des oscillations est définie comme la limite supérieure pratique pour le fonctionnement utile du circuit avec MESFET.
ⓘ
Fréquence maximale d'oscillation donnée Transconductance [f
m
]
Attohertz
Beats / Minute
centihertz
Cycle / Seconde
Décahertz
Décihertz
Exahertz
Femtohertz
Images par seconde
Gigahertz
Hectohertz
Hertz
Kilohertz
Mégahertz
Microhertz
Millihertz
Nanohertz
Petahertz
Picohertz
Révolution par jour
Révolution par heure
Révolutions par minute
Révolution par seconde
Térahertz
Yottahertz
Zettahertz
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Fréquence maximale d'oscillation donnée Transconductance
Formule
`"f"_{"m"} = "g"_{"m"}/(pi*"C"_{"gs"})`
Exemple
`"60.05847Hz"="0.05S"/(pi*"265μF")`
Calculatrice
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Télécharger Caractéristiques du MESFET Formules PDF
Fréquence maximale d'oscillation donnée Transconductance Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Fréquence maximale des oscillations
=
Transconductance
/(
pi
*
Capacité de la source de porte
)
f
m
=
g
m
/(
pi
*
C
gs
)
Cette formule utilise
1
Constantes
,
3
Variables
Constantes utilisées
pi
- Constante d'Archimède Valeur prise comme 3.14159265358979323846264338327950288
Variables utilisées
Fréquence maximale des oscillations
-
(Mesuré en Hertz)
- La fréquence maximale des oscillations est définie comme la limite supérieure pratique pour le fonctionnement utile du circuit avec MESFET.
Transconductance
-
(Mesuré en Siemens)
- La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de drain et la variation de la tension grille-source, en supposant une tension drain-source constante.
Capacité de la source de porte
-
(Mesuré en Farad)
- La capacité grille-source est une capacité parasite qui existe entre les bornes grille et source d'un MESFET ou d'autres types de transistors.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Transconductance:
0.05 Siemens --> 0.05 Siemens Aucune conversion requise
Capacité de la source de porte:
265 microfarades --> 0.000265 Farad
(Vérifiez la conversion
ici
)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
f
m
= g
m
/(pi*C
gs
) -->
0.05/(
pi
*0.000265)
Évaluer ... ...
f
m
= 60.0584690912813
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
60.0584690912813 Hertz --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
60.0584690912813
≈
60.05847 Hertz
<--
Fréquence maximale des oscillations
(Calcul effectué en 00.004 secondes)
Tu es là
-
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Caractéristiques du MESFET
»
Fréquence maximale d'oscillation donnée Transconductance
Crédits
Créé par
Sonu Kumar Keshri
Institut national de technologie, Patna
(NITP)
,
Patna
Sonu Kumar Keshri a créé cette calculatrice et 5 autres calculatrices!
Vérifié par
Parminder Singh
Université de Chandigarh
(UC)
,
Pendjab
Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
<
13 Caractéristiques du MESFET Calculatrices
Fréquence de coupure utilisant la fréquence maximale
Aller
Fréquence de coupure
= (2*
Fréquence maximale des oscillations
)/(
sqrt
(
Résistance aux fuites
/(
Résistance à la source
+
Résistance de métallisation de porte
+
Résistance d'entrée
)))
Résistance de métallisation de porte
Aller
Résistance de métallisation de porte
= ((
Résistance aux fuites
*
Fréquence de coupure
^2)/(4*
Fréquence maximale des oscillations
^2))-(
Résistance à la source
+
Résistance d'entrée
)
Résistance à la source
Aller
Résistance à la source
= ((
Résistance aux fuites
*
Fréquence de coupure
^2)/(4*
Fréquence maximale des oscillations
^2))-(
Résistance de métallisation de porte
+
Résistance d'entrée
)
Résistance d'entrée
Aller
Résistance d'entrée
= ((
Résistance aux fuites
*
Fréquence de coupure
^2)/(4*
Fréquence maximale des oscillations
^2))-(
Résistance de métallisation de porte
+
Résistance à la source
)
Résistance de vidange du MESFET
Aller
Résistance aux fuites
= ((4*
Fréquence maximale des oscillations
^2)/
Fréquence de coupure
^2)*(
Résistance à la source
+
Résistance de métallisation de porte
+
Résistance d'entrée
)
Transconductance dans la région de saturation
Aller
Transconductance
=
Conductance de sortie
*(1-
sqrt
((
Barrière potentielle de diode Schottky
-
Tension de porte
)/
Pincer la tension
))
Fréquence maximale des oscillations dans MESFET
Aller
Fréquence maximale des oscillations
= (
Fréquence de gain unitaire
/2)*
sqrt
(
Résistance aux fuites
/
Résistance de métallisation de porte
)
Fréquence maximale d'oscillation donnée Transconductance
Aller
Fréquence maximale des oscillations
=
Transconductance
/(
pi
*
Capacité de la source de porte
)
Fréquence de coupure en fonction de la transconductance et de la capacité
Aller
Fréquence de coupure
=
Transconductance
/(2*
pi
*
Capacité de la source de porte
)
Capacité de la source de porte
Aller
Capacité de la source de porte
=
Transconductance
/(2*
pi
*
Fréquence de coupure
)
Longueur de porte du MESFET
Aller
Longueur de la porte
=
Vitesse de dérive saturée
/(4*
pi
*
Fréquence de coupure
)
Fréquence de coupure
Aller
Fréquence de coupure
=
Vitesse de dérive saturée
/(4*
pi
*
Longueur de la porte
)
Transconductance dans MESFET
Aller
Transconductance
= 2*
Capacité de la source de porte
*
pi
*
Fréquence de coupure
Fréquence maximale d'oscillation donnée Transconductance Formule
Fréquence maximale des oscillations
=
Transconductance
/(
pi
*
Capacité de la source de porte
)
f
m
=
g
m
/(
pi
*
C
gs
)
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