Fréquence maximale des oscillations dans MESFET Calculatrice

✖La fréquence de gain unitaire est définie comme la fréquence de l'amplificateur lorsque le gain de puissance est unitaire.ⓘ Fréquence de gain unitaire [f_t]			+10% -10%
✖La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.ⓘ Résistance aux fuites [R_d]			+10% -10%
✖La résistance de métallisation de grille est définie comme la résistance de métallisation d'une bande de grille FET qui a pour effet de placer une résistance non linéaire en série avec la jonction de grille.ⓘ Résistance de métallisation de porte [R_g]			+10% -10%

✖La fréquence maximale des oscillations est définie comme la limite supérieure pratique pour le fonctionnement utile du circuit avec MESFET.ⓘ Fréquence maximale des oscillations dans MESFET [f_m]

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Formule

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Fréquence maximale des oscillations dans MESFET

Formule

`"f"_{"m"} = ("f"_{"t"}/2)*sqrt("R"_{"d"}/"R"_{"g"})`

Exemple

`"65.28817Hz"=("10.3Hz"/2)*sqrt("450Ω"/"2.8Ω")`

Calculatrice

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Fréquence maximale des oscillations dans MESFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Fréquence maximale des oscillations = (Fréquence de gain unitaire/2)*sqrt(Résistance aux fuites/Résistance de métallisation de porte)
f_m = (f_t/2)*sqrt(R_d/R_g)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 4 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Fréquence maximale des oscillations - (Mesuré en Hertz) - La fréquence maximale des oscillations est définie comme la limite supérieure pratique pour le fonctionnement utile du circuit avec MESFET.
Fréquence de gain unitaire - (Mesuré en Hertz) - La fréquence de gain unitaire est définie comme la fréquence de l'amplificateur lorsque le gain de puissance est unitaire.
Résistance aux fuites - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.
Résistance de métallisation de porte - (Mesuré en Ohm) - La résistance de métallisation de grille est définie comme la résistance de métallisation d'une bande de grille FET qui a pour effet de placer une résistance non linéaire en série avec la jonction de grille.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Fréquence de gain unitaire: 10.3 Hertz --> 10.3 Hertz Aucune conversion requise
Résistance aux fuites: 450 Ohm --> 450 Ohm Aucune conversion requise
Résistance de métallisation de porte: 2.8 Ohm --> 2.8 Ohm Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

f_m = (f_t/2)*sqrt(R_d/R_g) --> (10.3/2)*sqrt(450/2.8)

Évaluer ... ...

f_m = 65.2881661777779

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

65.2881661777779 Hertz --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

65.2881661777779 ≈ 65.28817 Hertz <-- Fréquence maximale des oscillations

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 13 Caractéristiques du MESFET Calculatrices

Fréquence de coupure utilisant la fréquence maximale

Aller Fréquence de coupure = (2*Fréquence maximale des oscillations)/(sqrt(Résistance aux fuites/(Résistance à la source+Résistance de métallisation de porte+Résistance d'entrée)))

Résistance de métallisation de porte

Aller Résistance de métallisation de porte = ((Résistance aux fuites*Fréquence de coupure^2)/(4*Fréquence maximale des oscillations^2))-(Résistance à la source+Résistance d'entrée)

Résistance à la source

Aller Résistance à la source = ((Résistance aux fuites*Fréquence de coupure^2)/(4*Fréquence maximale des oscillations^2))-(Résistance de métallisation de porte+Résistance d'entrée)

Résistance d'entrée

Aller Résistance d'entrée = ((Résistance aux fuites*Fréquence de coupure^2)/(4*Fréquence maximale des oscillations^2))-(Résistance de métallisation de porte+Résistance à la source)

Résistance de vidange du MESFET

Aller Résistance aux fuites = ((4*Fréquence maximale des oscillations^2)/Fréquence de coupure^2)*(Résistance à la source+Résistance de métallisation de porte+Résistance d'entrée)

Transconductance dans la région de saturation

Aller Transconductance = Conductance de sortie*(1-sqrt((Barrière potentielle de diode Schottky-Tension de porte)/Pincer la tension))

Fréquence maximale des oscillations dans MESFET

Aller Fréquence maximale des oscillations = (Fréquence de gain unitaire/2)*sqrt(Résistance aux fuites/Résistance de métallisation de porte)

Fréquence maximale d'oscillation donnée Transconductance

Aller Fréquence maximale des oscillations = Transconductance/(pi*Capacité de la source de porte)

Fréquence de coupure en fonction de la transconductance et de la capacité

Aller Fréquence de coupure = Transconductance/(2*pi*Capacité de la source de porte)

Capacité de la source de porte

Aller Capacité de la source de porte = Transconductance/(2*pi*Fréquence de coupure)

Longueur de porte du MESFET

Aller Longueur de la porte = Vitesse de dérive saturée/(4*pi*Fréquence de coupure)

Fréquence de coupure

Aller Fréquence de coupure = Vitesse de dérive saturée/(4*pi*Longueur de la porte)

Transconductance dans MESFET

Aller Transconductance = 2*Capacité de la source de porte*pi*Fréquence de coupure

Fréquence maximale des oscillations dans MESFET Formule

Fréquence maximale des oscillations = (Fréquence de gain unitaire/2)*sqrt(Résistance aux fuites/Résistance de métallisation de porte)
f_m = (f_t/2)*sqrt(R_d/R_g)

Qu'est-ce que MESFET?

Un MESFET (transistor à effet de champ métal-semi-conducteur) est un dispositif semi-conducteur à transistor à effet de champ similaire à un JFET avec une jonction Schottky (métal-semi-conducteur) au lieu d'une jonction ap-n pour une grille.

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