Gain de tension global de l'amplificateur à émetteur commun Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Gain de tension de rétroaction = -Transconductance primaire MOSFET*(Résistance d'entrée/(Résistance d'entrée+Résistance du signal))*(1/Résistance des collectionneurs+1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie finie)^-1
Gfv = -gmp*(Rin/(Rin+Rsig))*(1/Rc+1/RL+1/Rout)^-1
Cette formule utilise 7 Variables
Variables utilisées
Gain de tension de rétroaction - Le gain de tension de rétroaction est une mesure du gain d'un amplificateur ou d'un système électronique dérivé de la tension d'entrée et du retour de la sortie.
Transconductance primaire MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.
Résistance d'entrée - (Mesuré en Ohm) - La résistance d'entrée 2 est l'opposition qu'un composant ou un circuit électrique présente au flux de courant électrique lorsqu'une tension lui est appliquée.
Résistance du signal - (Mesuré en Ohm) - La résistance du signal est la résistance qui est alimentée par la source de tension de signal d'un amplificateur.
Résistance des collectionneurs - (Mesuré en Ohm) - La Résistance Collecteur est l'opposition offerte au courant traversant le collecteur.
Résistance à la charge - (Mesuré en Ohm) - La résistance de charge est la valeur de résistance de charge donnée pour le réseau.
Résistance de sortie finie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Transconductance primaire MOSFET: 19.77 millisiemens --> 0.01977 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Résistance d'entrée: 0.301 Kilohm --> 301 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance du signal: 1.12 Kilohm --> 1120 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance des collectionneurs: 1.01 Kilohm --> 1010 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance à la charge: 1.013 Kilohm --> 1013 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance de sortie finie: 0.35 Kilohm --> 350 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Gfv = -gmp*(Rin/(Rin+Rsig))*(1/Rc+1/RL+1/Rout)^-1 --> -0.01977*(301/(301+1120))*(1/1010+1/1013+1/350)^-1
Évaluer ... ...
Gfv = -0.866234994090138
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
-0.866234994090138 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
-0.866234994090138 -0.866235 <-- Gain de tension de rétroaction
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

8 Amplificateur à émetteur commun Calculatrices

Gain de tension de rétroaction global de l'amplificateur à collecteur commun
Aller Gain de tension global = ((Gain de courant de base du collecteur+1)*Résistance à la charge)/((Gain de courant de base du collecteur+1)*Résistance à la charge+(Gain de courant de base du collecteur+1)*Résistance de l'émetteur+Résistance du signal)
Gain de tension global de l'amplificateur à émetteur commun
Aller Gain de tension de rétroaction = -Transconductance primaire MOSFET*(Résistance d'entrée/(Résistance d'entrée+Résistance du signal))*(1/Résistance des collectionneurs+1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie finie)^-1
Gain de tension de rétroaction global de l'amplificateur à émetteur commun
Aller Gain de tension de rétroaction = -Gain de courant de base commune*Résistance des collectionneurs/Résistance de l'émetteur*(Résistance d'entrée/(Résistance d'entrée+Résistance du signal))
Résistance de sortie de l'amplificateur CE dégénéré par l'émetteur
Aller Résistance aux fuites = Résistance de sortie finie+(Transconductance primaire MOSFET*Résistance de sortie finie)*(1/Résistance de l'émetteur+1/Résistance d'entrée de petit signal)
Résistance d'entrée de l'amplificateur à émetteur commun compte tenu de la résistance d'entrée à petit signal
Aller Résistance d'entrée = (1/Résistance de base+1/Résistance de base 2+1/(Résistance d'entrée de petit signal+(Gain de courant de base du collecteur+1)*Résistance de l'émetteur))^-1
Résistance d'entrée de l'amplificateur à émetteur commun compte tenu de la résistance de l'émetteur
Aller Résistance d'entrée = (1/Résistance de base+1/Résistance de base 2+1/((Résistance totale+Résistance de l'émetteur)*(Gain de courant de base du collecteur+1)))^-1
Résistance d'entrée de l'amplificateur émetteur commun
Aller Résistance d'entrée = (1/Résistance de base+1/Résistance de base 2+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1
Tension fondamentale dans l'amplificateur à émetteur commun
Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance d'entrée*Courant de base

13 Gain des amplificateurs de scène communs Calculatrices

Gain de tension de rétroaction global de l'amplificateur à collecteur commun
Aller Gain de tension global = ((Gain de courant de base du collecteur+1)*Résistance à la charge)/((Gain de courant de base du collecteur+1)*Résistance à la charge+(Gain de courant de base du collecteur+1)*Résistance de l'émetteur+Résistance du signal)
Gain de tension global de l'amplificateur à émetteur commun
Aller Gain de tension de rétroaction = -Transconductance primaire MOSFET*(Résistance d'entrée/(Résistance d'entrée+Résistance du signal))*(1/Résistance des collectionneurs+1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie finie)^-1
Gain de tension de rétroaction global de l'amplificateur à source commune
Aller Gain de tension de rétroaction = -Transconductance primaire MOSFET*(Résistance d'entrée/(Résistance d'entrée+Résistance du signal))*(1/Résistance aux fuites+1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie finie)^-1
Gain de tension de rétroaction global de l'amplificateur à émetteur commun
Aller Gain de tension de rétroaction = -Gain de courant de base commune*Résistance des collectionneurs/Résistance de l'émetteur*(Résistance d'entrée/(Résistance d'entrée+Résistance du signal))
Gain de courant total par rapport au gain de tension
Aller Gain de courant de base commune = Gain de tension global/(Résistance des collectionneurs/Résistance de l'émetteur*(Résistance d'entrée/(Résistance d'entrée+Résistance du signal)))
Gain de tension en circuit ouvert de l'amplificateur CS
Aller Gain de tension en circuit ouvert = Résistance de sortie finie/(Résistance de sortie finie+1/Transconductance primaire MOSFET)
Gain de tension négatif de la base au collecteur
Aller Gain de tension négatif = -Gain de courant de base commune*(Résistance des collectionneurs/Résistance de l'émetteur)
Gain de tension global du suiveur de source
Aller Gain de tension global = Résistance à la charge/(Résistance à la charge+1/Transconductance primaire MOSFET)
Gain de courant de base commune
Aller Gain de courant de base commune = (Gain de tension*Résistance de l'émetteur/Résistance des collectionneurs)
Gain de courant du transistor à source contrôlée
Aller Gain actuel = 1/(1+1/(Transconductance primaire MOSFET*Résistance entre le drain et la terre))
Tension de l'émetteur par rapport au gain de tension
Aller Tension de l'émetteur = Tension du collecteur/Gain de tension
Gain de tension de l'amplificateur à base commune
Aller Gain de tension = Tension du collecteur/Tension de l'émetteur
Gain de tension total de l'amplificateur CS
Aller Gain de tension = Tension de charge/Tension d'entrée

Gain de tension global de l'amplificateur à émetteur commun Formule

Gain de tension de rétroaction = -Transconductance primaire MOSFET*(Résistance d'entrée/(Résistance d'entrée+Résistance du signal))*(1/Résistance des collectionneurs+1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie finie)^-1
Gfv = -gmp*(Rin/(Rin+Rsig))*(1/Rc+1/RL+1/Rout)^-1

Que fait un amplificateur émetteur commun?

La configuration d'amplificateur à émetteur commun fournit un gain de tension et est l'une des configurations de transistor les plus largement utilisées pour la conception de circuits électroniques. Le circuit amplificateur à transistor émetteur commun est l'un des circuits principaux à utiliser dans la conception de circuits électroniques et offre de nombreux avantages.

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