Ogólne wzmocnienie napięciowe wzmacniacza ze wspólnym emiterem Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*(1/Odporność kolekcjonerska+1/Odporność na obciążenie+1/Skończona rezystancja wyjściowa)^-1
Gfv = -gmp*(Rin/(Rin+Rsig))*(1/Rc+1/RL+1/Rout)^-1
Ta formuła używa 7 Zmienne
Używane zmienne
Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego - Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego jest miarą wzmocnienia wzmacniacza lub systemu elektronicznego, która jest wyprowadzana z napięcia wejściowego i sprzężenia zwrotnego z wyjścia.
Transkonduktancja pierwotna MOSFET - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.
Rezystancja wejściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wejściowa 2 to opór, jaki element elektryczny lub obwód stawia przepływowi prądu elektrycznego po przyłożeniu do niego napięcia.
Rezystancja sygnału - (Mierzone w Om) - Rezystancja sygnału to rezystancja zasilana przez źródło napięcia sygnału wzmacniacza.
Odporność kolekcjonerska - (Mierzone w Om) - Rezystancja kolektora to opozycja oferowana prądowi przepływającemu przez kolektor.
Odporność na obciążenie - (Mierzone w Om) - Rezystancja obciążenia to wartość rezystancji obciążenia podana dla sieci.
Skończona rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Skończona rezystancja wyjściowa jest miarą tego, jak bardzo impedancja wyjściowa tranzystora zmienia się wraz ze zmianami napięcia wyjściowego.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Transkonduktancja pierwotna MOSFET: 19.77 Millisiemens --> 0.01977 Siemens (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Rezystancja wejściowa: 0.301 Kilohm --> 301 Om (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Rezystancja sygnału: 1.12 Kilohm --> 1120 Om (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Odporność kolekcjonerska: 1.01 Kilohm --> 1010 Om (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Odporność na obciążenie: 1.013 Kilohm --> 1013 Om (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Skończona rezystancja wyjściowa: 0.35 Kilohm --> 350 Om (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Gfv = -gmp*(Rin/(Rin+Rsig))*(1/Rc+1/RL+1/Rout)^-1 --> -0.01977*(301/(301+1120))*(1/1010+1/1013+1/350)^-1
Ocenianie ... ...
Gfv = -0.866234994090138
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
-0.866234994090138 --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
-0.866234994090138 -0.866235 <-- Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

8 Wzmacniacz ze wspólnym emiterem Kalkulatory

Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym kolektorem
​ Iść Całkowite wzmocnienie napięcia = ((Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Odporność na obciążenie)/((Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Odporność na obciążenie+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera+Rezystancja sygnału)
Ogólne wzmocnienie napięciowe wzmacniacza ze wspólnym emiterem
​ Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*(1/Odporność kolekcjonerska+1/Odporność na obciążenie+1/Skończona rezystancja wyjściowa)^-1
Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym emiterem
​ Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Wspólne wzmocnienie prądu bazowego*Odporność kolekcjonerska/Rezystancja emitera*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))
Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem
​ Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem dla rezystancji wejściowej małosygnałowej
​ Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/(Mały opór wejściowy sygnału+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera))^-1
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem przy danej rezystancji emitera
​ Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/((Całkowity opór+Rezystancja emitera)*(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))^-1
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem
​ Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1
Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem
​ Iść Podstawowe napięcie składowe = Rezystancja wejściowa*Prąd bazowy

13 Wzmocnienie wspólnych wzmacniaczy scenicznych Kalkulatory

Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym kolektorem
​ Iść Całkowite wzmocnienie napięcia = ((Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Odporność na obciążenie)/((Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Odporność na obciążenie+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera+Rezystancja sygnału)
Ogólne wzmocnienie napięciowe wzmacniacza ze wspólnym emiterem
​ Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*(1/Odporność kolekcjonerska+1/Odporność na obciążenie+1/Skończona rezystancja wyjściowa)^-1
Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym źródłem
​ Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*(1/Odporność na drenaż+1/Odporność na obciążenie+1/Skończona rezystancja wyjściowa)^-1
Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym emiterem
​ Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Wspólne wzmocnienie prądu bazowego*Odporność kolekcjonerska/Rezystancja emitera*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))
Całkowite wzmocnienie prądu w odniesieniu do wzmocnienia napięcia
​ Iść Wspólne wzmocnienie prądu bazowego = Całkowite wzmocnienie napięcia/(Odporność kolekcjonerska/Rezystancja emitera*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału)))
Wzmocnienie napięcia obwodu otwartego wzmacniacza CS
​ Iść Wzmocnienie napięcia w obwodzie otwartym = Skończona rezystancja wyjściowa/(Skończona rezystancja wyjściowa+1/Transkonduktancja pierwotna MOSFET)
Całkowite wzmocnienie napięcia wtórnika źródła
​ Iść Całkowite wzmocnienie napięcia = Odporność na obciążenie/(Odporność na obciążenie+1/Transkonduktancja pierwotna MOSFET)
Ujemne wzmocnienie napięcia od bazy do kolektora
​ Iść Ujemne wzmocnienie napięcia = -Wspólne wzmocnienie prądu bazowego*(Odporność kolekcjonerska/Rezystancja emitera)
Wspólne wzmocnienie prądu bazowego
​ Iść Wspólne wzmocnienie prądu bazowego = (Wzmocnienie napięcia*Rezystancja emitera/Odporność kolekcjonerska)
Bieżące wzmocnienie kontrolowanego tranzystora źródłowego
​ Iść Aktualny zysk = 1/(1+1/(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Opór pomiędzy drenem a ziemią))
Całkowite wzmocnienie napięcia wzmacniacza CS
​ Iść Wzmocnienie napięcia = Napięcie obciążenia/Napięcie wejściowe
Napięcie emitera w odniesieniu do wzmocnienia napięcia
​ Iść Napięcie emitera = Napięcie kolektora/Wzmocnienie napięcia
Wzmocnienie napięcia wzmacniacza wspólnej bazy
​ Iść Wzmocnienie napięcia = Napięcie kolektora/Napięcie emitera

Ogólne wzmocnienie napięciowe wzmacniacza ze wspólnym emiterem Formułę

Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*(1/Odporność kolekcjonerska+1/Odporność na obciążenie+1/Skończona rezystancja wyjściowa)^-1
Gfv = -gmp*(Rin/(Rin+Rsig))*(1/Rc+1/RL+1/Rout)^-1

Co robi zwykły wzmacniacz emitera?

Wspólna konfiguracja wzmacniacza emitera zapewnia wzmocnienie napięcia i jest jedną z najczęściej używanych konfiguracji tranzystorów do projektowania obwodów elektronicznych. Obwód wzmacniacza tranzystorowego wspólnego emitera jest jednym z głównych obwodów stosowanych w projektowaniu obwodów elektronicznych, oferując wiele zalet.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!